【技术实现步骤摘要】
本申请涉及透射电镜样品承载领域，特别是一种载样芯片、载样芯片制造方法及加样方法。
技术介绍
1、透射电子显微镜(tem)广泛用于材料，物理以及生物化学等多个领域。透射电镜观察时常用支持膜负载小尺度的样品，支持膜为一层非晶质的薄膜。在冷冻电镜的相关技术中，支持膜通常形成有孔洞，携带有样品的溶液会在孔洞处成膜，使得样品停留在孔洞内，透射电镜发射的电子束穿过样品，从而对样品成像。
2、相关技术中通常使用载网承载支持膜，载网通常是一种多孔的金属片，可采用cu、ni、mo、au及尼龙等材料制作，对样品以及支持膜起加固和支撑作用。一些相关技术中，先将制好的支持膜漂浮于水面，再通过载网捞起支持膜，使得支持膜贴覆在载网上。单独的支持膜薄且脆弱，捞起过程需要人工操作，操作难度和操作成本高，不利于支持膜的大批量生产，同时人工操作还存在一致性差、容易出现污染等缺陷，导致成像质量不佳，不利于样品的观察。
3、此外，支持膜通常采用碳膜，但是传统的碳膜难以满足冷冻样品，如单颗粒蛋白冷冻tem成像样品的高质量成像需求，一方面，蛋白质容易吸附在碳膜表面，导致液膜中的蛋白质密度下降；另一方面，碳膜导电性不佳，电子束成像过程中电荷容易在液膜中积累，既损伤样品，也不利于样品的观察。
4、不仅如此，载网可能存在平整度差的问题，相应会导致覆盖在载网上的支持膜平整度差，降低成膜的质量，例如导致液膜的厚度难以准确控制等，不利于样品的观察。
技术实现思路
1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的
2、根据本申请提供的载样芯片，包括衬底和支持膜，所述衬底形成有至少一个贯通的成像窗口，所述支持膜覆盖所述成像窗口，所述支持膜形成有至少一个贯通的第一孔洞，所述第一孔洞在所述衬底的投影位于所述成像窗口之内。
3、根据本申请提供的载样芯片，至少具有如下技术效果：衬底用于安装到透射电镜的样品传递装置上或者用于安装到载网上，支持膜通过光刻方法生长于衬底的表面，从而省去了人工贴覆支持膜的步骤，有利于提高载样芯片的一致性以及载样芯片的大批量生产，还能够降低载样芯片受污染的风险，从而提高样品的观察效果，光刻方法也能够提高形成的支持膜的平整度，进一步提高样品的成像质量。
4、根据本申请的一些实施例，所述支持膜为镍钛膜。
5、根据本申请的一些实施例，所述支持膜用于接触外部的导电件。
6、根据本申请的一些实施例，所述第一孔洞的直径大于或等于0.6μm并且小于或等于10μm。
7、根据本申请的一些实施例，所述支持膜的厚度大于或等于10nm并且小于或等于50nm。
8、根据本申请的一些实施例，所述载样芯片包括支撑结构，所述支撑结构用于支撑所述支持膜。
9、根据本申请的一些实施例，所述支撑结构包括支撑框架，所述支撑框架包括以下方式中的一种：所述支撑框架至少覆盖在所述支持膜的一侧表面；所述支撑框架部分或全部地嵌入所述支持膜中。
10、根据本申请的一些实施例，所述支撑框架和所述衬底分别从所述支持膜的两侧支撑所述支持膜。
11、根据本申请的一些实施例，所述支撑框架覆盖所述成像窗口，所述支撑框架形成有至少一个贯通的第二孔洞，所述第一孔洞在所述支撑框架的投影位于所述第二孔洞之内。
12、根据本申请的一些实施例，所述支撑框架包括栅线，多个所述栅线相互交错形成格栅，所述格栅形成所述第二孔洞。
13、根据本申请的一些实施例，所述支撑框架的强度大于所述支持膜。
14、根据本申请的一些实施例，所述支撑框架的材料采用金属、硅或者硅化物。
15、根据本申请的一些实施例，所述支撑结构包括膜板，所述膜板形成有至少一个贯通的第三孔洞，所述支持膜沉积于所述膜板的表面，所述第一孔洞和所述第三孔洞的至少一部分对齐。
16、根据本申请的一些实施例，所述支持膜覆盖所述膜板的至少一侧。
17、根据本申请的一些实施例，所述支持膜沉积于所述膜板的背面、所述衬底的背面以及所述成像窗口的侧壁，位于所述成像窗口的侧壁的所述支持膜连接在位于所述衬底的背面的所述支持膜以及位于所述膜板的表面的所述支持膜之间，位于所述衬底的背面的所述支持膜用于连接外部的导电件。
18、根据本申请的一些实施例，所述第三孔洞的侧壁部分或全部地从所述支持膜暴露。
19、根据本申请的一些实施例，暴露出的所述膜板从所述支持膜向所述第一孔洞的中心延伸。
20、根据本申请的一些实施例，所述膜板的亲水性高于所述支持膜。
21、根据本申请的一些实施例，所述载样芯片包括导电膜，所述导电膜与所述支持膜连接，所述导电膜用于连接外部的导电件，所述导电膜的导电性大于所述支持膜，以加快电荷的导出。
22、根据本申请的一些实施例，所述支撑结构包括支撑框架，所述导电膜和所述支持膜分别覆盖所述支撑框架，所述导电膜和所述支持膜的覆盖区域相互连接或部分重叠，所述支撑框架支撑所述导电膜和所述支持膜。
23、根据本申请的一些实施例，所述支撑框架覆盖所述成像窗口，所述支撑框架形成有至少一个贯通的第二孔洞，所述第一孔洞在所述支撑框架的投影位于所述第二孔洞之内。
24、根据本申请的一些实施例，所述支撑结构包括膜板，所述膜板覆盖所述支撑框架，所述导电膜形成于所述膜板的表面，所述支持膜沉积于所述膜板未被所述导电膜覆盖的表面，所述膜板形成有至少一个贯通的第三孔洞，所述第一孔洞和所述第三孔洞的至少一部分对齐。
25、根据本申请的一些实施例，所述支撑结构包括膜板，所述支撑框架覆盖所述膜板，所述导电膜形成于所述支撑框架的表面，所述支持膜沉积于所述膜板被所述第二孔洞暴露出的表面，所述膜板形成有至少一个贯通的第三孔洞，所述第一孔洞和所述第三孔洞的至少一部分对齐。
26、根据本申请的一些实施例，所述衬底的材料采用硅化物。
27、根据本申请提供的载样芯片制造方法，包括以下步骤：
28、提供衬底；
29、形成覆盖所述衬底的支持膜；
30、从背离所述支持膜的一侧对所述衬底刻蚀开窗，形成成像窗口；
31、其中，所述支持膜形成有至少一个贯通的第一孔洞，所述第一孔洞在所述衬底的投影位于所述成像窗口之内。
32、根据本申请的一些实施例，所述载样芯片制造方法还包括，形成用于支撑所述支持膜的支撑结构。
33、根据本申请的一些实施例，所述支撑结构包括支撑框架，形成所述支撑框架，包括：通过刻蚀工艺或者lift-off工艺在所述衬底上形成具有第二孔洞的所述支撑框架；形成所述支持膜，包括：通过刻蚀工艺或者lift-off工艺在所述支撑框架上形成所述支持膜，所述第一孔洞在所述支撑框架的投影位于所述第二孔洞之内。...
【技术保护点】
1.一种载样芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的载样芯片，其特征在于，所述支持膜为镍钛膜。
3.根据权利要求2所述的载样芯片，其特征在于，所述支持膜用于接触外部的导电件。
4.根据权利要求1所述的载样芯片，其特征在于，所述第一孔洞的直径大于或等于0.6μm并且小于或等于10μm。
5.根据权利要求1所述的载样芯片，其特征在于，所述支持膜的厚度大于或等于10nm并且小于或等于50nm。
6.根据权利要求1所述的载样芯片，其特征在于，所述载样芯片包括支撑结构，所述支撑结构用于支撑所述支持膜。
7.根据权利要求6所述的载样芯片，其特征在于，所述支撑结构包括支撑框架，所述支撑框架包括以下方式中的一种：
8.根据权利要求7所述的载样芯片，其特征在于，所述支撑框架和所述衬底分别从所述支持膜的两侧支撑所述支持膜。
9.根据权利要求7所述的载样芯片，其特征在于，所述支撑框架覆盖所述成像窗口，所述支撑框架形成有至少一个贯通的第二孔洞，所述第一孔洞在所述支撑框架的投影位于所述第二孔洞之内。<...
【技术特征摘要】
1.一种载样芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的载样芯片，其特征在于，所述支持膜为镍钛膜。
3.根据权利要求2所述的载样芯片，其特征在于，所述支持膜用于接触外部的导电件。
4.根据权利要求1所述的载样芯片，其特征在于，所述第一孔洞的直径大于或等于0.6μm并且小于或等于10μm。
5.根据权利要求1所述的载样芯片，其特征在于，所述支持膜的厚度大于或等于10nm并且小于或等于50nm。
6.根据权利要求1所述的载样芯片，其特征在于，所述载样芯片包括支撑结构，所述支撑结构用于支撑所述支持膜。
7.根据权利要求6所述的载样芯片，其特征在于，所述支撑结构包括支撑框架，所述支撑框架包括以下方式中的一种：
8.根据权利要求7所述的载样芯片，其特征在于，所述支撑框架和所述衬底分别从所述支持膜的两侧支撑所述支持膜。
9.根据权利要求7所述的载样芯片，其特征在于，所述支撑框架覆盖所述成像窗口，所述支撑框架形成有至少一个贯通的第二孔洞，所述第一孔洞在所述支撑框架的投影位于所述第二孔洞之内。
10.根据权利要求9所述的载样芯片，其特征在于，所述支撑框架包括栅线，多个所述栅线相互交错形成格栅，所述格栅形成所述第二孔洞。
11.根据权利要求7所述的载样芯片，其特征在于，所述支撑框架的强度大于所述支持膜。
12.根据权利要求7所述的载样芯片，其特征在于，所述支撑框架的材料采用金属、硅、或者硅化物。
13.根据权利要求6或7所述的载样芯片，其特征在于，所述支撑结构包括膜板，所述膜板覆盖所述衬底的正面，所述膜板形成有至少一个贯通的第三孔洞，所述支持膜沉积于所述膜板的表面，所述第一孔洞和所述第三孔洞的至少一部分对齐。
14.根据权利要求13所述的载样芯片，其特征在于，所述支持膜覆盖所述膜板的至少一侧。
15.根据权利要求14所述的载样芯片，其特征在于，所述支持膜沉积于所述膜板的背面、所述衬底的背面以及所述成像窗口的侧壁，位于所述成像窗口的侧壁的所述支持膜连接在位于所述衬底的背面的所述支持膜以及位于所述膜板的表面的所述支持膜之间，位于所述衬底的背面的所述支持膜用于连接外部的导电件。
16.根据权利要求13所述的载样芯片，其特征在于，所述第三孔洞的侧壁部分或全部地从所述支持膜暴露。
17.根据权利要求16所述的载样芯片，其特征在于，暴露出的所述膜板从所述支持膜向所述第一孔洞的中心延伸。
18.根据权利要求16所述的载样芯片，其特征在于，所述膜板的亲水性高于所述支持膜。
19.根据权利要求6所述的载样芯片，其特征在于，所述载样芯片包括导电膜，所述导电膜与所述支持膜连接，所述导电膜用于连接外部的导电件，所述导电膜的导电性大于所述支持膜，以加快电荷的导出。
20.根据权利要求19所述的载样芯片，其特征在于，所述支撑结构包括支撑框架，所述导电膜和所述支持膜分别覆盖所述支撑框架，所述导电膜和所述支持膜的覆盖区域相互连接或部分重叠，所述支撑框架支撑所述导电膜和所述支持...
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