【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种光电器件及其制备方法、显示装置。
技术介绍
1、目前广泛使用的光电器件为有机电致发光器件(oled)和量子点电致发光器件(qled)。传统的oled和qled器件结构主要包括阳极、空穴功能层、发光层、电子功能层及阴极。在电场的作用下，光电器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。
2、目前光电器件中，电子迁移性率往往大于空穴迁移率，造成空穴的注入不足以及过多的电子注入，即载流子失衡，从而导致发光层出现电子积累的现象。普遍认为，过多的电荷积累，会增大非发光复合的几率，如通过俄歇复合的过程损失能量，因而极大影响器件性能的稳定性。
3、因此，如何光电器件提高载流子平衡尤为重要。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种光电器件及其制备方法、显示装置，旨在改善现有的光电器件中载流子传输失衡的问题。
2、本申请实施例是这样实现的，提供一种光电器件，所述光电器件包括层叠的阳极、发光层、界面修饰层、电子功能层及阴极；所述界面修饰层中包括聚甲基丙烯酸与贵金属离子的络合物。
3、可选的，在本申请的一些实施例中，所述界面修饰层由聚甲基丙烯酸与贵金属离子的络合物组成。
4、可选的，在本申请的一些实施例中，所述贵金属离子选自金离子、银离子、铂离子、钯离子中的至少一种。
5、可选的，在
6、可选的，在本申请的一些实施例中，所述界面修饰层中还包括卤离子，所述卤离子选自氟离子、氯离子、溴离子、碘离子中的至少一种。
7、可选的，在本申请的一些实施例中，所述电子功能层的材料选自无机纳米晶材料或掺杂无机纳米晶材料；所述无机纳米晶材料选自氧化锌、二氧化钛、二氧化锡、氧化铝、氧化钙、二氧化硅、氧化镓、氧化锆、氧化镍、三氧化二锆中的一种或多种；所述掺杂无机纳米晶材料包括所述无机纳米晶材料和掺杂元素，所述掺杂元素选自于mg、ca、li、ga、al、co、mn中的至少一种；和/或所述发光层的材料为有机发光材料或量子点发光材料，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的tbpe荧光材料、发绿色光的ttpa荧光材料、发橙色光的tbrb荧光材料及发红色光的dbp荧光材料中的至少一种，所述量子点发光材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cdse、cds、cdte、znse、zns、cdte、znte、cdzns、cdznse、cdznte、znses、znsete、zntes、znseste、cdses、cdsete、cdtes、cdznses、cdznsete、cdseste、cdznseste及cdznste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自inp、inas、gap、gaas、gasb、aln、alp、inasp、innp、innsb、gaalnp及inalnp中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自pbs、pbse、pbte、pbses、pbsete、pbste中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种，所述核壳结构的量子点的核选自所述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses和zns中的至少一种；和/或所述阳极和所述阴极独立选自金属电极、碳电极、掺杂或非掺杂金属氧化物电极以及复合电极；其中，所述金属电极的材料选自al、ag、cu、mo、au、ba、ca以及mg中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo以及amo中的至少一种；所述复合电极的材料选自azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns以及zns/al/zns中的至少一种。
8、可选的，在本申请的一些实施例中，所述光电器件还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述阳极与所述发光层之间，所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层；所述空穴功能层包括所述空穴注入层和所述空穴传输层两层时，所述空穴注入层靠近所述阳极一侧设置，所述空穴传输层靠近所述发光层一侧设置，其中，所述空穴传输层的材料选自聚(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(n,n’-双(4-丁基苯基)-n,n’-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-n,n-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4’-二(9-咔唑)联苯、n,n’-二苯基-n,n’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、n,n’-二苯基-n,n’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)、spiro-npb、spiro-tpd、掺杂或非掺杂的nio、moo3、wo3、v2o5、p型氮化镓、cro3、cuo、mos2、mose2、ws3、wse3、cus、cuscn中的一种或多种；和/或所述空穴注入层的材料选自聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、酞菁铜、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种，所述过渡金属氧化物选自nio、moo2、wo3、cuo中的一种或多种，所述金属硫系化合物选自mos2、mose2、ws3、wse3、cus中的一种或多种。
9、相应的，本申请实施例还提供一种光电器件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供层叠的阴极及电子功能层；提供聚甲基丙烯酸与贵金属离子的络合物，将所述络合物设置在所述电子功能层上形成界面修饰层；在所述界面修饰层上形成层叠的发光层及阳极；或者所述制备方法包括如下步骤：提供层叠的阳极及发光层；提供聚甲基丙烯酸与贵金属离子的络合物，将所述络合物设置在所述发光层上形成界面修饰层；在所述界面修饰层上形成层叠的电子功能层及阴极。
10、可选的，在本申请的一些实施例中，所述提供聚甲基丙烯酸与贵金属离子的络合物，包括：将所述聚甲基丙烯酸与贵金属盐进行混合反应，所述聚甲基丙烯酸与所述贵金属盐中的所述贵金属离子形成所述络合物。
11、可选的，在本申请的一些实本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种光电器件，其特征在于：所述光电器件包括层叠的阳极、发光层、界面修饰层、电子功能层及阴极；所述界面修饰层中包括聚甲基丙烯酸与贵金属离子的络合物。
2.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述界面修饰层由聚甲基丙烯酸与贵金属离子的络合物组成。
3.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述贵金属离子选自金离子、银离子、铂离子、钯离子中的至少一种。
4.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述界面修饰层的厚度为5-15nm。
5.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述界面修饰层中还包括卤离子，所述卤离子选自氟离子、氯离子、溴离子、碘离子中的至少一种。
6.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：
7.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述光电器件还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述阳极与所述发光层之间；
8.一种光电器件的制备方法，其特征在于，
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述提供聚甲基丙烯酸与贵金属离子的络合物，包括：
10.
11.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述提供聚甲基丙烯酸与贵金属离子的络合物，包括：
12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于：
13.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于：
14.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于：
15.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-8任意一项所述的光电器件；或者所述显示装置包括如权利要求9-14任意一项所述的光电器件的制备方法制备得到的光电器件。
...【技术特征摘要】
1.一种光电器件，其特征在于：所述光电器件包括层叠的阳极、发光层、界面修饰层、电子功能层及阴极；所述界面修饰层中包括聚甲基丙烯酸与贵金属离子的络合物。
2.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述界面修饰层由聚甲基丙烯酸与贵金属离子的络合物组成。
3.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述贵金属离子选自金离子、银离子、铂离子、钯离子中的至少一种。
4.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述界面修饰层的厚度为5-15nm。
5.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述界面修饰层中还包括卤离子，所述卤离子选自氟离子、氯离子、溴离子、碘离子中的至少一种。
6.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：
7.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述光电器件还包括空穴...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄盼宁，王劲，贺晓光，黄子健，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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