【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种芯片封装结构及其制造方法，尤指一种具电磁干扰屏蔽层及接地线的芯片封装结构及其制造方法。
技术介绍
1、静电常会出现在人们生活中，当物体上的正负电彼此失衡时，物体上所具有的正电或负电即会向其他物体夺取相对的负电或正电，使得其他物体的正电与负电失衡。静电在半导体芯片领域中，是导致电子系统暂时失效，或直接造成电子系统损害的负面因素之一，静电的产生会让半导体芯片所运作的电子系统无法正常运作，不利于产品的市场竞争力。
2、此外，现代各个领域都逐渐走向智能电器或人工智能的科技产品趋势，都需要运用到半导体芯片，倘若运用在医疗或交通方面的领域，当半导体芯片所运作的电子系统无法正常运作时，恐会造成人身安全的危险。
3、因此，为保护半导体芯片所运作的电子系统可以正常运作的一种具电磁干扰屏蔽层及接地线的芯片封装结构及其制造方法，为目前相关产业的迫切期待。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种具电磁干扰屏蔽层及接地线的芯片封装结构及其制造方法，其中该芯片封装结构包含一芯片封装单元、至少一电磁干扰屏蔽层及至少一接地线，其中每一该接地线是穿设地设在各电磁干扰屏蔽层与该芯片封装单元的一第一绝缘层上，每一该接地线具有一第一端及相对的一第二端，其中每一该接地线的该第一端是与各电磁干扰屏蔽层电性连接，其中每一该接地线的该第二端是与该芯片封装单元的至少一第一电路层的至少一接地端电性连接，供用以避免静电的产生，有效地解决静电让半导体芯片所运作的电子系统无法正常运作的
2、为达成上述目的，本专利技术提供一种具电磁干扰屏蔽层及接地线的芯片封装结构，该芯片封装结构包含一芯片封装单元、至少一电磁干扰屏蔽层及至少一接地线；其中该芯片封装单元具有一基板、至少一第一电路层、至少一芯片及一第一绝缘层，其中该至少一第一电路层具有至少一接地端，其中该至少一芯片是电性连接地设在该基板上的该至少一第一电路层上，其中该第一绝缘层是设在该基板上且包覆住该至少一芯片，该第一绝缘层具有一第一表面；其中该至少一电磁干扰屏蔽层是由金属材料所构成，该至少一电磁干扰屏蔽层是覆盖地设在该第一绝缘层的该第一表面上供用以防止该芯片封装单元受到电磁干扰；其中该至少一接地线是穿设地设在该至少一电磁干扰屏蔽层与该第一绝缘层上，该至少一接地线具有一第一端及相对的一第二端，其中该至少一接地线的该第一端是与该至少一电磁干扰屏蔽层电性连接，其中该至少一接地线的该第二端是与该至少一第一电路层的该至少一接地端电性连接，以利于增加产品的市场竞争力。
3、在本专利技术一较佳实施例中，该芯片封装单元进一步包含至少一第二电路层；其中该基板进一步具有一第一表面及相对的一第二表面，该基板的该第一表面上成型设有至少一盲孔；其中该至少一第一电路层进一步是设在该基板的该第一表面上并能延伸设在该基板的该至少一盲孔的内壁面上，其中该至少一第一电路层具有一第一表面，该至少一接地端是设于该至少一第一电路层的该第一表面上；其中该至少一第二电路层进一步是设在该基板的该第二表面上，其中该至少一第一电路层能通过该基板的该至少一盲孔延伸并电性连接地至该至少一第二电路层；其中该至少一芯片进一步是设在该至少一第一电路层的该第一表面上，其中该至少一芯片是先与该至少一第一电路层的该第一表面电性连接，再通过该至少一第一电路层由该基板的该至少一盲孔的内壁面延伸至该至少一第二电路层上，以使该至少一芯片能由该至少一第二电路层向外电性连接；其中该第一绝缘层进一步具有至少一盲孔，且该第一绝缘层的该至少一盲孔是对应并连通至该至少一第一电路层的该至少一接地端；其中该至少一电磁干扰屏蔽层是供用以防止该至少一第一电路层、该至少一第二电路层及该至少一芯片受到电磁干扰，其中该至少一电磁干扰屏蔽层具有至少一盲孔，且该至少一电磁干扰屏蔽层的该至少一盲孔是与该第一绝缘层的该至少一盲孔相连通；其中该至少一接地线是设在该至少一电磁干扰屏蔽层的该至少一盲孔内壁面与该第一绝缘层的该至少一盲孔内壁面上。
4、在本专利技术一较佳实施例中，该至少一第二电路层进一步具有一第一表面；其中该至少一电磁干扰屏蔽层进一步具有一第一表面；其中该芯片封装结构更具有至少一第一外护层及至少一第二外护层；其中该至少一第一外护层是设在该至少一电磁干扰屏蔽层的该第一表面上；其中该至少一第二外护层是设于该至少一第二电路层的该第一表面上，该至少一第二外护层上具有至少一开口，该至少一开口能供该至少一第二电路层的该第一表面对外露出。
5、在本专利技术一较佳实施例中，该至少一第二外护层的该至少一开口上进一步设有一锡球与该至少一第二电路层的该第一表面电性连接，以使该至少一芯片能通过该锡球对外电性连接。
6、在本专利技术一较佳实施例中，该芯片封装结构进一步包含一第二绝缘层；其中该第二绝缘层是填满地设于该第一绝缘层的该至少一盲孔内，且该第二绝缘层的高度与该第一绝缘层的高度齐平。
7、在本专利技术一较佳实施例中，该至少一电磁干扰屏蔽层进一步是利用压合的技艺设在该第一绝缘层的该第一表面上。
8、在本专利技术一较佳实施例中，该至少一电磁干扰屏蔽层是由铜金属所构成。
9、本专利技术更提供一种具电磁干扰屏蔽层及接地线的芯片封装结构的制造方法，其包含下列步骤：步骤s1：提供一芯片封装单元，该芯片封装单元具有一基板、至少一第一电路层、至少一芯片及一第一绝缘层，其中该至少一第一电路层具有至少一接地端，其中该至少一芯片是电性连接地设在该基板上的该至少一第一电路层上，其中该第一绝缘层是设在该基板上且包覆住该至少一芯片，该第一绝缘层具有一第一表面；步骤s2：在该第一绝缘层的该第一表面上全面覆盖地设置至少一电磁干扰屏蔽层，其中该至少一电磁干扰屏蔽层是由金属材料所构成；步骤s3：在该至少一电磁干扰屏蔽层及该第一绝缘层上同时钻孔成型出至少一盲孔，其中该至少一电磁干扰屏蔽层的该至少一盲孔是与该第一绝缘层的该至少一盲孔相连通，且该第一绝缘层的该至少一盲孔是对应并连通至该至少一第一电路层的该至少一接地端；及步骤s4：在该至少一电磁干扰屏蔽层的该至少一盲孔与该第一绝缘层的该至少一盲孔中设置至少一接地线，其中该至少一接地线具有一第一端及相对的一第二端，该至少一接地线的该第一端是与该至少一电磁干扰屏蔽层电性连接，该至少一接地线的该第二端是与该至少一第一电路层的该至少一接地端电性连接，以完成一芯片封装结构。
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1.一种具电磁干扰屏蔽层及接地线的芯片封装结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，该芯片封装单元进一步包含至少一第二电路层；其中该基板进一步具有一第一表面及相对的一第二表面，该基板的该第一表面上成型设有至少一盲孔；其中该至少一第一电路层进一步是设在该基板的该第一表面上并延伸设在该基板的该至少一盲孔的内壁面上，其中该至少一第一电路层具有一第一表面，该至少一接地端是设于该至少一第一电路层的该第一表面上；其中该至少一第二电路层进一步是设在该基板的该第二表面上，其中该至少一第一电路层通过该基板的该至少一盲孔延伸并电性连接地至该至少一第二电路层；其中该至少一芯片进一步是设在该至少一第一电路层的该第一表面上，其中该至少一芯片是先与该至少一第一电路层的该第一表面电性连接，再通过该至少一第一电路层由该基板的该至少一盲孔的内壁面延伸至该至少一第二电路层上，以使该至少一芯片由该至少一第二电路层向外电性连接；其中该第一绝缘层进一步具有至少一盲孔，且该第一绝缘层的该至少一盲孔是对应并连通至该至少一第一电路层的该至少一接地端；其中该至少一电磁干扰屏蔽层是供用以
3.如权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，该至少一第二电路层进一步具有一第一表面；其中该至少一电磁干扰屏蔽层进一步具有一第一表面；其中该芯片封装结构更具有至少一第一外护层及至少一第二外护层；其中该至少一第一外护层是设在该至少一电磁干扰屏蔽层的该第一表面上；其中该至少一第二外护层是设于该至少一第二电路层的该第一表面上，该至少一第二外护层上具有至少一开口，该至少一开口供该至少一第二电路层的该第一表面对外露出。
4.如权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，该至少一第二外护层的该至少一开口上进一步设有一锡球与该至少一第二电路层的该第一表面电性连接，以使该至少一芯片通过该锡球对外电性连接。
5.如权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，该芯片封装结构进一步包含一第二绝缘层；其中该第二绝缘层是填满地设于该第一绝缘层的该至少一盲孔内，且该第二绝缘层的高度与该第一绝缘层的高度齐平。
6.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，该至少一电磁干扰屏蔽层进一步是利用压合的技艺设在该第一绝缘层的该第一表面上。
7.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，该至少一电磁干扰屏蔽层是由铜金属所构成。
8.一种具电磁干扰屏蔽层及接地线的芯片封装结构的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种具电磁干扰屏蔽层及接地线的芯片封装结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，该芯片封装单元进一步包含至少一第二电路层；其中该基板进一步具有一第一表面及相对的一第二表面，该基板的该第一表面上成型设有至少一盲孔；其中该至少一第一电路层进一步是设在该基板的该第一表面上并延伸设在该基板的该至少一盲孔的内壁面上，其中该至少一第一电路层具有一第一表面，该至少一接地端是设于该至少一第一电路层的该第一表面上；其中该至少一第二电路层进一步是设在该基板的该第二表面上，其中该至少一第一电路层通过该基板的该至少一盲孔延伸并电性连接地至该至少一第二电路层；其中该至少一芯片进一步是设在该至少一第一电路层的该第一表面上，其中该至少一芯片是先与该至少一第一电路层的该第一表面电性连接，再通过该至少一第一电路层由该基板的该至少一盲孔的内壁面延伸至该至少一第二电路层上，以使该至少一芯片由该至少一第二电路层向外电性连接；其中该第一绝缘层进一步具有至少一盲孔，且该第一绝缘层的该至少一盲孔是对应并连通至该至少一第一电路层的该至少一接地端；其中该至少一电磁干扰屏蔽层是供用以防止该至少一第一电路层、该至少一第二电路层及该至少一芯片受到电磁干扰，其中该至少一电磁干扰屏蔽层具有至少一盲孔，且该至少一电磁干扰屏蔽层的该至少一盲孔是与该第一绝缘层的该至少一盲孔相连通；其中该至少一接地线是设在该至少一电磁干扰屏蔽...
【专利技术属性】
技术研发人员：于鸿祺，林俊荣，古瑞庭，
申请(专利权)人：华东科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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