【技术实现步骤摘要】
本公开的示例实施例涉及一种喷头和包括该喷头的衬底处理装置，并且更具体地，涉及一种能够防止衬底被污染的喷头和包括该喷头的衬底处理装置。
技术介绍
1、半导体器件可以通过使用各种工艺来制造。例如，可以通过允许硅晶片经历光刻工艺、蚀刻工艺、沉积工艺等来制造半导体器件。可以在这样的工艺中使用各种流体。例如，可以在蚀刻工艺和/或沉积工艺中使用等离子体。电极可以在处理期间用于形成和/或控制等离子体。
2、本
技术介绍
部分中公开的信息在实现本申请的实施例的过程之前或期间已经为专利技术人所知或由专利技术人导出，或者是在实现实施例的过程中获取的技术信息。因此，它可以包含不构成公众已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、一个或多个示例实施例提供了一种能够防止外部颗粒向内移动并引起内部颗粒向外移动的喷头、以及包括该喷头的衬底处理装置。
2、一个或多个示例实施例提供了一种能够防止衬底被污染的喷头、以及包括该喷头的衬底处理装置。
3、一个或多个示例实施例提供了一种能够增加组件的寿命以增加维护周期的喷头、以及包括该喷头的衬底处理装置。
4、附加方面部分地将在以下描述中阐述，且部分地将通过以下描述而变得清楚明白，或者可以通过实践所呈现的实施例来获知。
5、根据示例实施例的一个方面，一种喷头可以包括：内板，包括在第一方向上穿透内板的至少一个气孔；以及外板，至少部分地围绕内板，该外板具有轴线在第一方向上延伸的环形状，其中，外板可以包括：第一内表面，向下延伸
6、根据示例实施例的一个方面，一种衬底处理装置可以包括：喷头；以及至少部分地围绕喷头的外环，其中，喷头可以包括内板，该内板包括多个气孔，并且其中，内板的底表面可以在比外环的底表面的水平低的水平处。
7、根据示例实施例的一个方面，一种衬底处理装置可以包括：喷头；外环，至少部分地围绕喷头；以及加热衬垫环，至少部分地围绕外环，其中，喷头可以包括：内板，包括气孔；以及外板，至少部分地围绕内板，其中，外环可以包括石英，并且加热衬垫环包括与外环的材料不同的材料。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种喷头，包括：
2.根据权利要求1所述的喷头，其中，所述外板还包括：
3.根据权利要求2所述的喷头，其中，所述内板还包括：
4.根据权利要求3所述的喷头，其中，在所述突出底表面和所述突出顶表面中的每一个上未设置孔。
5.根据权利要求1所述的喷头，其中，所述第一角度在约45°至约65°的范围内。
6.根据权利要求1所述的喷头，其中，所述内板包括多个气孔，所述至少一个气孔在所述多个气孔之中，并且
7.根据权利要求1所述的喷头，其中，所述第二角度等于或小于约10°。
8.根据权利要求1所述的喷头，其中，所述外板的所述第一外表面的直径等于或大于约300mm。
9.一种衬底处理装置，包括：
10.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中，所述内板的厚度在约11mm至约13mm的范围内。
11.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中，所述外环包括石英。
12.根据权利要求11所述的衬底处理装置，还包括：加热衬垫环，至少部分地围绕所述外环，
13.
14.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中，所述喷头还包括：外板，在所述内板和所述外环之间，
15.一种衬底处理装置，包括：
16.根据权利要求15所述的衬底处理装置，
17.根据权利要求15所述的衬底处理装置，其中，所述加热衬垫环包括Y2O3。
18.根据权利要求15所述的衬底处理装置，还包括：
19.根据权利要求15所述的衬底处理装置，其中，所述内板的底表面在比所述外环的底表面的水平低的水平处。
20.根据权利要求19所述的衬底处理装置，其中，所述内板的所述底表面和所述外环的所述底表面之间的水平差在约1mm至约3mm的范围内。
...【技术特征摘要】
1.一种喷头，包括：
2.根据权利要求1所述的喷头，其中，所述外板还包括：
3.根据权利要求2所述的喷头，其中，所述内板还包括：
4.根据权利要求3所述的喷头，其中，在所述突出底表面和所述突出顶表面中的每一个上未设置孔。
5.根据权利要求1所述的喷头，其中，所述第一角度在约45°至约65°的范围内。
6.根据权利要求1所述的喷头，其中，所述内板包括多个气孔，所述至少一个气孔在所述多个气孔之中，并且
7.根据权利要求1所述的喷头，其中，所述第二角度等于或小于约10°。
8.根据权利要求1所述的喷头，其中，所述外板的所述第一外表面的直径等于或大于约300mm。
9.一种衬底处理装置，包括：
10.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中，所述内板的厚度在约11mm至约13mm的范围内。
11.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中，所述...
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