【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工设备,尤其涉及一种半导体加工用离子注入设备。
技术介绍
1、离子注入机是高压小型加速器中的一种,应用数量最多;它是由离子源得到所需要的离子,经过加速得离子束流,用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入;离子注入机产生的离子束流注入晶圆中,对晶圆的背面注入离子作为接触层和场终止层。
2、在对晶圆背面进行注入离子时,需要使用装载盘对晶圆进行支撑放置,在对装载盘对晶圆进行安装时,需要使用螺栓固定住装载盘上的晶圆或使用多个可滑动的夹紧块夹紧固定晶圆;
3、使用螺栓固定的方式虽然紧固,但安装与拆卸晶圆较麻烦,容易因螺栓转动将晶圆压损;使用多个可滑动的夹紧块夹紧固定晶圆虽夹紧相对较为便捷,但硬质的夹紧块也容易从晶圆边缘挤压损伤晶圆;且晶圆在离子注入后无损取下较为不便,需要使用吸盘将晶圆吸起并转移,吸盘在多次使用后容易脏污损伤晶圆的表面,不利于晶圆的高质量生产。
技术实现思路
1、本申请实施例通过提供一种半导体加工用离子注入设备,解决了现有技术中在离
...【技术保护点】
1.一种半导体加工用离子注入设备,其特征在于:包括离子注入承载盘,离子注入承载盘包括基体(110)、定位在基体(110)顶部的承载体(120)、滑动夹持块(130)和浮动杆状块(140);
2.如权利要求1所述的半导体加工用离子注入设备,其特征在于:所述隔绝软垫(141)可拆卸固定在浮动杆状块(140)上。
3.如权利要求1所述的半导体加工用离子注入设备,其特征在于:所述承载体(120)转动连接在所述基体(110)上,在电机的驱动下进行转动。
4.如权利要求1所述的半导体加工用离子注入设备,其特征在于:所述离子注入承载盘的数量为多个
...【技术特征摘要】
1.一种半导体加工用离子注入设备,其特征在于:包括离子注入承载盘,离子注入承载盘包括基体(110)、定位在基体(110)顶部的承载体(120)、滑动夹持块(130)和浮动杆状块(140);
2.如权利要求1所述的半导体加工用离子注入设备,其特征在于:所述隔绝软垫(141)可拆卸固定在浮动杆状块(140)上。
3.如权利要求1所述的半导体加工用离子注入设备,其特征在于:所述承载体(120)转动连接在所述基体(110)上,在电机的驱动下进行转动。
4.如权利要求1所述的半导体加工用离子注入设备,其特征在于:所述离子注入承载盘的数量为多个,呈辐射状固定在转动承载盘(200)上;所述转动承载盘(200)转动连接在地面上,在控制单元的控制下进行转动。
5.如权利要求1至4任一所述的半导体加工用离子注...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘瑞,胡二亮,胡振华,
申请(专利权)人:滁州华瑞微电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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