一种用于微纳材料的尺寸缩减方法及电极制作方法技术

本发明专利技术提供一种采用ＦＩＢ低束流扫描刻蚀方法实现微纳材料尺寸缩减的方法及电极制作方法。该方法采用低束流ＦＩＢ刻蚀，使刻蚀具有原子尺度分辨率的图形加工精度，还可以用来对三维复杂纳米结构从不同入射角度、不同部位进行选择性尺寸缩减。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料微加工领域，尤其涉及基于聚焦离子束(FIB)低束流扫描刻蚀的 用于微纳材料的尺寸缩减方法及电极制作方法。
技术介绍
纳米电子器件是继微电子器件之后的下一代固体电子器件，其发展目标是克服突 破微电子领域器件集成发展很快就会达到的物理及/或经济上的极限；其主要思想是基于 纳米功能材料的量子效应来设计并制备纳米量子器件，以达到将集成电路进一步减小、替 代传统的硅器件的终极目标。一维/准一维纳米材料由于其独特的物理特性以及其在电子、光子及生物传感等 纳米器件上的应用而备受关注。随着电子器件尺寸朝着小尺度、低维度方向的发展，研究人 员们不断地合成出形貌丰富的纳米材料。然而，有些材料尺度受生长合成技术特点的约束， 无法达到真正的准一维/一维尺寸，因此，这就需要人们在不改变微纳材料原始空间布局 的情况下，通过空间纳米加工，将这些材料进行缩减，从而对其量子效应与尺寸效应进行研 允。在现有研究中，通常采用反应离子刻蚀(RIE)及离子束正向刻蚀处理方法，对位 于衬底平面内的纳米材料进行整体尺寸缩减，例如参见文献“Size Dependent Breakdown of Superco本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于微纳材料的尺寸缩减方法，其特征在于，采用ＦＩＢ低束流扫描刻蚀方法实现尺寸缩减。

【技术特征摘要】
一种用于微纳材料的尺寸缩减方法，其特征在于，采用FIB低束流扫描刻蚀方法实现尺寸缩减。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述FIB低束流扫描刻蚀方法包括如下步骤1)将具有微纳材料的衬底固定在样品台上；2)获取微纳材料的图像，并根据该图像调整微纳材料待减薄部分与离子束入射方向之 间的夹角在O到90度之间；3)以步骤2)所确定的微纳材料待减薄部分与离子束的位置，成像所述微纳材料，根据 该成像结果确定缩减区域；4)以步骤3)所确定的缩减区域，采用离子束束流小于20pA的离子束刻蚀微纳材料。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤2)的夹角在40到90度之间。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤3)还包括通过在所述成像结果 中形成扫描图形来确定缩减区域。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李无瑕，顾长志，崔阿娟，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]