粒子束检测方法、存储介质和电子设备技术

本发明专利技术公开了一种粒子束检测方法、存储介质和电子设备，应用于粒子束检测系统，所述粒子束检测方法包括：在所述偏转电极引导所述粒子源发射的粒子束运动至所述法拉第杯的情况下，确定所述法拉第杯检测到的电流的电流参数和所述粒子束检测系统的状态参数；基于所述电流参数、所述状态参数、所述粒子束的截面积，确定所述粒子束的密度特征数据；判断所述密度特征数据是否满足预设的密度条件，得到检测结果。应用本发明专利技术实施例提供的方案能够对粒子束进行密度检测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电学测量，尤其涉及一种粒子束检测方法、存储介质和电子设备。

技术介绍

1、扫描电镜的粒子枪可以发出具有蚀刻效果的粒子束，用于进行蚀刻作业。

2、粒子束的密度特征会影响样品上加工点的孔径和缝宽的蚀刻效果，例如，密度较低的粒子束能量较小，缝宽较浅。因此在蚀刻作业中需要控制粒子枪发射的粒子束的密度条件，以保证蚀刻效果符合预期。

3、相关技术中，虽然可以事先设置粒子枪的与密度相关的工作参数，对粒子束进行控制，但是实际发射的粒子束存在散射、环境因素等不确定影响，其包括的粒子可能减少，造成实际产生的粒子束与上述工作参数的设置不同，因此，需要对粒子束进行密度检测。

技术实现思路

1、本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种粒子束检测方法、存储介质和电子设备，以实现对粒子束进行密度检测。

2、根据本专利技术实施例的第一方面，提供了一种粒子束检测方法，应用于粒子束检测系统，所述粒子束检测系统包括：粒子源、偏转电极、法拉第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种粒子束检测方法，其特征在于，应用于粒子束检测系统，所述粒子束检测系统包括：粒子源、偏转电极、法拉第杯；所述粒子束检测方法包括：

2.根据权利要求1所述的粒子束检测方法，其特征在于，所述状态参数包括所述粒子束的运动速度；

3.根据权利要求1所述的粒子束检测方法，其特征在于，所述状态参数包括表示所述偏转电极的电压变化的电压增量，所述电流参数包括表示所述法拉第杯检测到的电流变化的电流增量；

4.根据权利要求1所述的粒子束检测方法，其特征在于，所述状态参数包括表示所述法拉第杯和所述偏转电极之间的距离变化的距离增量，所述电流参数包括表示所述法拉第杯检测到...

【技术特征摘要】

1.一种粒子束检测方法，其特征在于，应用于粒子束检测系统，所述粒子束检测系统包括：粒子源、偏转电极、法拉第杯；所述粒子束检测方法包括：

2.根据权利要求1所述的粒子束检测方法，其特征在于，所述状态参数包括所述粒子束的运动速度；

3.根据权利要求1所述的粒子束检测方法，其特征在于，所述状态参数包括表示所述偏转电极的电压变化的电压增量，所述电流参数包括表示所述法拉第杯检测到的电流变化的电流增量；

4.根据权利要求1所述的粒子束检测方法，其特征在于，所述状态参数包括表示所述法拉第杯和所述偏转电极之间的距离变化的距离增量，所述电流参数包括表示所述法拉第杯检测到的电流变化的电流增量；

5.根据权利要求1所述的粒子束检测方法，其特征在于，所述法拉第杯包括检测器和束流通孔；相对于所述检测器，所述束流通孔靠近所述粒子枪的出口。

6.根据权利要求5所述的粒子束检测方法，其特征在于，所述粒子束检测系统还包括光阑；所述光阑包括多个孔径不同的光阑孔；

7.根据权利要求6所述的粒子束检测方法，其特征在于，所述目标粒子束与所述法拉第杯的接触面积基于所述目标粒子束的截面积以及所述目标粒子束的散射范围确定。

8.根据权利要求7所述的粒子束检测方法，其特征在于，所述目标粒子束的散射范围按照以下方式确定：

9.根据权利要求8所述的粒子束检测方法，其特征在于，所述基于所述目...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈禹滔，徐龙泉，曹峰，张伟，
申请(专利权)人：国仪量子技术合肥股份有限公司，
类型：发明
国别省市：