垂直腔面发射激光器及其制作方法技术

一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制作方法、VCSEL阵列及光发射装置，包括：衬底，形成于衬底上的第一反射镜、有源区和第二反射镜，以及复合光栅；有源区位于第一反射镜和第二反射镜之间，复合光栅包括形成于第一材料层内的光栅结构以及形成于光栅结构的表面的介质层，第一材料层为第一反射镜的表面层或形成于第一反射镜的表面层上，介质层的第一表面具有与光栅结构的表面对应的形状，且第一表面为介质层远离光栅结构的表面。以上VCSEL的光栅是一种具备光学选模和表面钝化保护的复合型光栅，不仅能够实现更加稳定的VCSEL偏振方向控制，且与常规的VCSEL生产工艺兼容，从而以较低的制造成本获得了偏振锁定效果更好的VCSEL。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光学，尤指一种垂直腔面发射激光器(vcsel)及其制作方法。

技术介绍

1、垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser，vcsel)，又称垂直共振腔面射型激光器,是一种半导体激光器。vcsel相对于红外发光二极管(infraredlight emitting diode,ir led)，边缘发射激光器(edge emitting laser，eel)等具有窄光谱、低功耗、低温漂等特点，此外，可以在制造过程中进行测试，因此被广泛应用于多个领域，例如，光通信、光存储、激光打印、生物医疗、光学传感等领域。

2、vcsel输出激光的偏振方向通常是随机的，而在许多应用领域，具有稳定的偏振方向的激光输出对于整个系统来说是非常重要的，因此期望对vcsel进行偏振控制。

技术实现思路

1、本申请的目的是提供一种垂直腔面发射激光器(vcsel)及其制作方法、垂直腔表面发射激光器阵列及光发射装置，以提高对vcsel偏振控制的稳定性。</p>

2、第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述光栅结构的深度为30-250纳米。

3.根据权利要求1或2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述介质层的厚度为200-600纳米。

4.根据权利要求1-3任一项所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述介质层的厚度大于所述所述光栅结构的深度。

5.根据权利要求1-4任一项所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述介质层在所述光栅结构各处的厚度之差在第一范围内。

6.根据权利要求1-5任一项所述的垂直腔面发射激光器，其特...

【技术特征摘要】

1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述光栅结构的深度为30-250纳米。

3.根据权利要求1或2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述介质层的厚度为200-600纳米。

4.根据权利要求1-3任一项所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述介质层的厚度大于所述所述光栅结构的深度。

5.根据权利要求1-4任一项所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述介质层在所述光栅结构各处的厚度之差在第一范围内。

6.根据权利要求1-5任一项所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述光栅结构为周期性光栅结构，所述介质层为周期性介质层。

7.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述光栅结构的光栅周期为550-1200纳米。

8.根据权利要求6或7所述的垂直腔面发射激光器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：浙江老鹰半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：