【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子元件封装，具体涉及一种封装结构及其制备方法。
技术介绍
1、随着半导体业的迅速发展，封装技术的应用范围日益广泛，封装形式更趋多样化。其中，覆晶技术(flip-chip)，也称“倒晶封装”或“倒晶封装法”，其既是一种芯片互连技术，也是一种较为理想的芯片粘接技术。
2、在对基板和晶粒进行连接时，通常是先将锡膏涂在基板和晶粒的焊盘上，然后通过回流焊的方式加热锡膏，使锡膏熔化并在固化后连接基板和晶粒。然而，此种连接方式晶粒相对于基板的偏移量较小，无法满足一些场景中晶粒高精准度封装的要求。
技术实现思路
1、鉴于以上内容，有必要提出一种封装结构，以提高晶粒与基板的封装精度。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种封装结构，包括晶粒、基板及第一焊接部，所述晶粒上设有第一焊盘，所述基板上设有与所述第一焊盘对应的第二焊盘，所述第一焊接部连接于所述第一焊盘和所述第二焊盘之间，所述晶粒上还设有与所述第一焊盘间隔设置的第一辅助焊盘，所述基板上还设有与所述第二焊盘间隔设置的第二辅助焊盘，所述封装结构还包括第二焊接部，所述第二辅助焊盘与所述第一辅助焊盘对应设置，所述第二焊接部连接于所述第一辅助焊盘和所述第二辅助焊盘之间；所述第一辅助焊盘设于所述晶粒上的第一预设位置，与所述晶粒上除了所述第一预设位置外的其他位置相比，所述第一预设位置与所述晶粒的重心之间的距离最长。
3、上述的封装结构中，通过在晶粒上设置与第一焊盘间隔设置的第一辅助焊盘，以及在基板上设置与
4、在一些实施例中，所述第二辅助焊盘设于所述基板上的第二预设位置，所述第二预设位置与所述第一预设位置对应设置。
5、在一些实施例中，所述第一辅助焊盘为多个，多个所述第一辅助焊盘分别设于所述晶粒的角落。
6、在一些实施例中，所述第一辅助焊盘的形状为矩形、长条形或圆形，其中位于所述晶粒的对角方向上的两个相对的角落的至少两个所述第一辅助焊盘的重心与位于所述晶粒中心的所述第一焊盘的重心均在一条直线上。
7、在一些实施例中，所述第一辅助焊盘与所述晶粒边缘之间的距离范围小于或等于3mm。
8、在一些实施例中，所述第一辅助焊盘的面积与所述第一焊盘的面积的比值范围为0.01-5。
9、在一些实施例中，所述第一焊盘与所述第一辅助焊盘之间的最小间距值为a，所述第一焊盘为多个，多个所述第一焊盘中任意两个所述第一焊盘之间的间距值为b，a与b的比值范围为0.1-3。
10、在一些实施例中，所述第一辅助焊盘和所述第一焊盘相对于所述晶粒表面的高度相等。
11、在一些实施例中，所述第一辅助焊盘和所述第二辅助焊盘的形状相同。
12、第二方面，本专利技术实施例还提供了一种封装结构的制备方法，该方法包括以下步骤：蚀刻晶粒以于所述晶粒上形成第一焊盘和与所述第一焊盘间隔设置的第一辅助焊盘，其中所述第一辅助焊盘形成于所述晶粒上的第一预设位置，与所述晶粒上除了所述第一预设位置外的其他位置相比，所述第一预设位置与所述晶粒的重心之间的距离最长；蚀刻基板以于所述基板上形成第二焊盘和与所述第二焊盘间隔设置的第二辅助焊盘；涂覆焊料于所述第二焊盘及第二辅助焊盘上；将所述晶粒盖设于所述基板，并使所述第一焊盘对位于所述第二焊盘且贴附于所述第二焊盘上的所述焊料，以及使所述第一辅助焊盘对位于所述第二辅助焊盘且贴附于所述第二辅助焊盘上的所述焊料；加热所述焊料以使所述第一焊盘与所述第二焊盘之间的所述焊料熔化，并使所述第一辅助焊盘与所述第二辅助焊盘之间的所述焊料熔化，熔化的所述焊料能够作用于所述第一焊盘和所述第一辅助焊盘以带动所述晶粒相对于所述基板转动，直至所述第一焊盘对准于所述第二焊盘。
13、在一些实施例中，所述第一焊盘和所述第一辅助焊盘为同时蚀刻形成，所述第二焊盘和所述第二辅助焊盘为同时蚀刻形成。
14、上述的封装结构的制备方法，先通过蚀刻晶粒以于晶粒上形成第一焊盘和与第一焊盘间隔设置的第一辅助焊盘；然后蚀刻基板以于基板上形成第二焊盘和与第二焊盘间隔设置的第二辅助焊盘；接着涂覆焊料于第二焊盘及第二辅助焊盘上；之后将晶粒盖设于基板，并使第一焊盘对位于第二焊盘且贴附于第二焊盘上的焊料，以及使第一辅助焊盘对位于第二辅助焊盘且贴附于第二辅助焊盘上的焊料；最后加热焊料以使第一焊盘与第二焊盘之间的焊料熔化，并使第一辅助焊盘与第二辅助焊盘之间的焊料熔化，熔化的焊料能够作用于第一焊盘和第一辅助焊盘以带动晶粒相对于基板转动，直至第一焊盘对准于第二焊盘。由于第一辅助焊盘形成于晶粒上的第一预设位置，且与晶粒上除了第一预设位置外的其他位置相比，第一预设位置与所述晶粒的重心之间的距离最长，故，位于第一预设位置的第一辅助焊盘能够为晶粒相对于基板转动提供最大的旋转力矩，从而提高晶粒和基板之间的自对准能力，进而提高晶粒与基板的封装精度，在一定程度上亦可扩展晶粒的封装使用场景。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种封装结构，包括晶粒、基板及第一焊接部，所述晶粒上设有第一焊盘，所述基板上设有与所述第一焊盘对应的第二焊盘，所述第一焊接部连接于所述第一焊盘和所述第二焊盘之间，其特征在于：
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二辅助焊盘设于所述基板上的第二预设位置，所述第二预设位置与所述第一预设位置对应设置。
3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一辅助焊盘为多个，多个所述第一辅助焊盘分别设于所述晶粒的角落。
4.如权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第一辅助焊盘的形状为矩形、长条形或圆形，其中位于所述晶粒的对角方向上的两个相对的角落的至少两个所述第一辅助焊盘的重心与位于所述晶粒中心的所述第一焊盘的重心均在一条直线上。
5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一辅助焊盘与所述晶粒边缘之间的距离范围为小于或等于3mm。
6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一辅助焊盘的面积与所述第一焊盘的面积的比值范围为0.01-5。
7.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述
8.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一辅助焊盘和所述第一焊盘相对于所述晶粒表面的高度相等。
9.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一辅助焊盘和所述第二辅助焊盘的形状相同。
10.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
11.如权利要求10所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一焊盘和所述第一辅助焊盘为同时蚀刻形成，所述第二焊盘和所述第二辅助焊盘为同时蚀刻形成。
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，包括晶粒、基板及第一焊接部，所述晶粒上设有第一焊盘，所述基板上设有与所述第一焊盘对应的第二焊盘，所述第一焊接部连接于所述第一焊盘和所述第二焊盘之间，其特征在于：
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二辅助焊盘设于所述基板上的第二预设位置，所述第二预设位置与所述第一预设位置对应设置。
3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一辅助焊盘为多个，多个所述第一辅助焊盘分别设于所述晶粒的角落。
4.如权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第一辅助焊盘的形状为矩形、长条形或圆形，其中位于所述晶粒的对角方向上的两个相对的角落的至少两个所述第一辅助焊盘的重心与位于所述晶粒中心的所述第一焊盘的重心均在一条直线上。
5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一辅助焊盘与所述晶粒边缘之间的距离范围为小于或等于3m...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁远廷，刘忠武，
申请(专利权)人：荣谕科技成都有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。