【技术实现步骤摘要】
实施例涉及半导体装置。
技术介绍
1、随着对半导体装置的高性能、高速度和多功能性的需求增加，半导体装置的集成度正在增加。就这点而言，有必要实施具有精细宽度或精细距离的图案。此外，为了克服由于平面金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)的尺寸减小而导致的操作特性的限制，正在努力开发具有三维(3d)结构沟道的半导体装置。
技术实现思路
1、根据实施例的一方面，半导体装置可以包括：有源区域，其在衬底上在第一方向上延伸；多个沟道层，其位于有源区域上以在垂直于衬底的上表面的方向上彼此间隔开；栅极结构，其在衬底上与有源区域和多个沟道层交叉并且分别围绕多个沟道层，并且在第二方向上延伸；以及源极/漏极区域，其在栅极结构的至少一侧上位于有源区域上，并且接触多个沟道层，其中，栅极结构可以包括位于多个沟道层之中的最上的沟道层上的上部和在与多个沟道层竖直地重叠的区域中位于多个沟道层中的每一个之间的下部，其中，多个沟道层中的每一个在第一方向上的宽度可以小于栅极结构的下部之中的与相应的沟道层相邻的下部在第一方向上的宽度。
2、根据实施例的一方面，半导体装置可以包括：有源区域，其在衬底上在第一方向上延伸；多个沟道层，其位于有源区域上以在垂直于衬底的上表面的方向上彼此间隔开；栅极结构，其在衬底上与有源区域和多个沟道层交叉并且分别围绕多个沟道层，并且在第二方向上延伸；以及源极/漏极区域，其在栅极结构的至少一侧上位于有源区域上，并且接触多个沟道层，其中，源极/漏极区域和多个沟道层彼此接触的表面的至少一
3、根据实施例的一方面，半导体装置可以包括：有源区域，其在衬底上在第一方向上延伸；多个沟道层，其位于有源区域上以在垂直于衬底的上表面的方向上彼此间隔开；栅极结构，其在衬底上与有源区域和多个沟道层交叉并且分别围绕多个沟道层，并且在第二方向上延伸；以及源极/漏极区域，其在栅极结构的至少一侧上位于有源区域上，并且接触多个沟道层，其中，栅极结构可以包括位于多个沟道层之中的最上的沟道层上的上部和在与多个沟道层竖直地重叠的区域中位于多个沟道层中的每一个下方的下部，其中，多个沟道层中的每一个在多个沟道层中的每一个的中心水平上在第一方向上的宽度可以小于在第一方向上与其相邻的源极/漏极区域的外侧表面之间在栅极结构的下部中的每一个的中心水平上的宽度，其中，源极/漏极区域和多个沟道层彼此接触的表面的至少一部分可以具有(111)晶体取向，其中，源极/漏极区域的最下的部分可以设置在比栅极结构的下部的最下的部分的水平低的水平上。
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1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极区域中的每一个分别包括在与所述沟道层实质上相同的水平处朝向所述沟道层突出的突出部分。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极区域中的每一个的最下的部分低于所述栅极结构的下部中的最下的下部。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极区域包括：
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，在所述沟道层中的每一个的中心水平上从所述沟道层中的每一个的侧表面到所述第三外延层的外侧表面在所述第一方向上的第一距离不小于在所述栅极结构的下部中的每一个的中心水平上从所述第一外延层的外侧表面到所述第三外延层的外侧表面在所述第一方向上的第二距离。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极区域和所述沟道层彼此接触的表面的第一部分具有(111)晶体取向。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极区域和所述沟道层彼此接触的表面的第二部分
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极区域和所述沟道层彼此接触的表面的至少第三部分平行于所述衬底的上表面。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极区域和所述沟道层彼此接触的表面的至少一部分具有(111)晶体取向。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极区域和所述沟道层彼此接触的表面的至少一部分具有圆的形状。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
13.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括在所述沟道层中的每一个的下表面上位于所述栅极结构在所述第一方向上的相对侧上的内部间隔件层。
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，在所述栅极结构和所述沟道层彼此竖直地重叠的区域中，所述沟道层中的至少一个和所述源极/漏极区域彼此接触的表面之间在所述第一方向上的最小宽度小于所述源极/漏极区域和所述内部间隔件层彼此接触的表面之间在所述第一方向上的最小宽度。
15.一种半导体装置，包括：
16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极区域和所述有源区域彼此接触的表面的至少一部分具有(111)晶体取向。
17.根据权利要求15所述的半导体装置，其中：
18.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极区域和所述沟道层彼此接触的表面的第二部分具有(110)晶体取向。
19.根据权利要求15所述的半导体装置，还包括在所述沟道层中的每一个的下表面上位于所述栅极结构在所述第一方向上的相对侧上的内部间隔件层。
20.一种半导体装置，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极区域中的每一个分别包括在与所述沟道层实质上相同的水平处朝向所述沟道层突出的突出部分。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极区域中的每一个的最下的部分低于所述栅极结构的下部中的最下的下部。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极区域包括：
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，在所述沟道层中的每一个的中心水平上从所述沟道层中的每一个的侧表面到所述第三外延层的外侧表面在所述第一方向上的第一距离不小于在所述栅极结构的下部中的每一个的中心水平上从所述第一外延层的外侧表面到所述第三外延层的外侧表面在所述第一方向上的第二距离。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极区域和所述沟道层彼此接触的表面的第一部分具有(111)晶体取向。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极区域和所述沟道层彼此接触的表面的第二部分具有(110)晶体取向。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极区域和所述沟道层彼此接触的表面的至少第三部分平行于所述衬底的上表面。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极区域和所述沟道...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴范琎，姜明吉，金洞院，金永权，庾烋旻，郑秀真，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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