【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种光电器件(10)，所述光电器件(10)包括第一部分(15)、第二部分(20)、第一接触件(25)和第二接触件(30)，所述第一部分(15)由具有n型掺杂和p型掺杂中的第一类型掺杂的第一半导体材料制成，所述第二部分(20)由具有n型掺杂和p型掺杂中的第二类型掺杂的第二半导体材料制成，所述第二类型掺杂与所述第一类型掺杂不同，所述第一部分(15)和所述第二部分(20)彼此接触并且形成p/n结，所述p/n结在所述第一部分(15)中包括耗尽区(70)，所述第一接触件(25)电连接至所述第一部分(15)，所述第二接触件(30)电连接至所述第二部分(20)，所述第一接触件(...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种光电器件(10)，所述光电器件(10)包括第一部分(15)、第二部分(20)、第一接触件(25)和第二接触件(30)，所述第一部分(15)由具有n型掺杂和p型掺杂中的第一类型掺杂的第一半导体材料制成，所述第二部分(20)由具有n型掺杂和p型掺杂中的第二类型掺杂的第二半导体材料制成，所述第二类型掺杂与所述第一类型掺杂不同，所述第一部分(15)和所述第二部分(20)彼此接触并且形成p/n结，所述p/n结在所述第一部分(15)中包括耗尽区(70)，所述第一接触件(25)电连接至所述第一部分(15)，所述第二接触件(30)电连接至所述第二部分(20)，所述第一接触件(25)和所述第二接触件(30)被配置成使得：当在所述第一接触件(25)与所述第二接触件(30)之间施加电压(v1)时，所述耗尽区(70)的尺寸取决于所述电压(v1)的值，
2.根据权利要求1所述的光电器件，其中，所述光子能量严格小于所述第二部分(20)的带隙值，所述带隙值是所述第二部分(20)的导带与价带之间的能量差。
3.根据权利要求1或2所述的光电器件，所述光电器件还包括温度调节器(50)，所述温度调节器(50)被配置成：将所述第二部分(20)的温度维持在下述值：所述值使得所述第二部分(20)中的载流子的热能小于或等于所述电离能的十分之一。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光电器件，所述光电器件还包括控制器(45)，所述控制器(45)被配置成：控制由所述发射器(40)生成所述辐射；以及在利用所述辐射对所述第二部分(20)进行照射时，对所述第一接触件(25)与所述第二接触件(30)之间的电压(v1)的值进行修改。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光电器件，所述光电器件(10)是晶体管，并且所述光电器件(10)还包括第三电接触件(35)，所述第三电接触件(35)电连接至所述第一部分(15)，所述第一接触件(25)是所述晶体管的源极，所述第二接触件(30)是所述晶体管的栅极，所述第三接触件(35)是所述晶体管的漏极，所述第一接触件(25)和所述第二接触件(30)被配置成使得：对于所述第一接触件(25)与所述第二接触件(30)之间的电压(v1)的给定值，所述耗尽区(70)阻止电荷载流子在所述第一部分(15)中在所述第一接...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱利安·佩尔诺，塞德里克·马桑特，尼古拉斯·鲁热，马丁·卡，克莱芒特·埃贝尔，
申请(专利权)人：国家健康和医学研究院，
类型：发明
国别省市：
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