【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片清洗用二氧化碳供应，具体涉及一种亚临界二氧化碳供应系统。
技术介绍
1、半导体技术及产业反复急剧发展。小资的集聚技术越来越复杂。因此，可以快速收集大量资料。但是，这也需要在高度计算、大量多媒体的数据和精密测量、制导等领域有更高性能的计算机，因此不断要求器件的高密度化技术。器件密度的提高意味着线宽变窄。也就是说，生产芯片的工艺变得更加精细和精密。在晶片上制造半导体的过程中，经过逐步的过程，表面的污染物将呈几何级数增长，受这些污染物的影响，半导体器件的数量率将急剧下降。为了应对这种情况，虽然最理想的方法是逐步采用清洁工艺，完美地清除晶片表面的所有污染物，但这几乎是不可能的。因此高密度电路的性能。信赖性和生产良品率是由制作时使用的晶片或制作后元件表面存在的物理化学中不必要的杂质决定的。即使超精细化技术发达，如果清洁工艺不完善，发挥功能的元件也无法得到。也就是说。清洁技术不是半导体器件的清洁，而是半导体器件的制造技术。
2、由于集成电路特征尺寸的逐渐减小，器件结构会要求更高的纵横比，常规湿法清洗由于表面张力很难进入...
【技术保护点】
1.一种亚临界二氧化碳供应系统，其特征在于，按输入至输出方向，依次包括原料罐、增压泵、缓冲罐、加热装置及纯化装置，所述原料罐用于储存液态二氧化碳，所述增压泵用于将所述原料罐的液态二氧化碳输送至所述缓冲罐并加压，所述加热装置连接缓冲罐的输出端，用于将缓冲罐输出的液态二氧化碳加热气化，所述纯化装置用于对加热装置输出的气态二氧化碳进行纯化，去除气态二氧化碳中的杂质。
2.如权利要求1所述的亚临界二氧化碳供应系统，其特征在于，所述原料罐与缓冲罐之间的管路上设置有保冷组件，所述增压泵为隔膜泵。
3.如权利要求1所述的亚临界二氧化碳供应系统，其特征在于，在...
【技术特征摘要】
1.一种亚临界二氧化碳供应系统，其特征在于，按输入至输出方向，依次包括原料罐、增压泵、缓冲罐、加热装置及纯化装置，所述原料罐用于储存液态二氧化碳，所述增压泵用于将所述原料罐的液态二氧化碳输送至所述缓冲罐并加压，所述加热装置连接缓冲罐的输出端，用于将缓冲罐输出的液态二氧化碳加热气化，所述纯化装置用于对加热装置输出的气态二氧化碳进行纯化，去除气态二氧化碳中的杂质。
2.如权利要求1所述的亚临界二氧化碳供应系统，其特征在于，所述原料罐与缓冲罐之间的管路上设置有保冷组件，所述增压泵为隔膜泵。
3.如权利要求1所述的亚临界二氧化碳供应系统，其特征在于，在所述纯化装置之后设置有在线式杂质检测装置，所述在线式杂质检测装置用于检测所述纯化装置输出的气态二氧化碳中的杂质含量，当杂质含量符合预设条件时发出提示信息。
4.如权利要求3所述的亚临界二氧化碳供应系统，其特征在于，所述加热装置与纯化装置之间设置有前过滤装置，用于过滤气态二氧化碳中的杂质；和/或，所述纯化装置与在线式杂质检测装置之间设置有后过滤装...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓韬，许高坡，钟小禹，
申请(专利权)人：广州广钢气体能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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