System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种砷化镓太阳电池栅线制备方法技术_技高网

一种砷化镓太阳电池栅线制备方法技术

技术编号:40773366 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-25 20:20
本发明专利技术提供一种砷化镓太阳电池栅线制备方法,包括以下步骤:在太阳电池基体上真空蒸镀粘附层,在所述粘附层上真空蒸镀导电层,在所述导电层的电池区域印刷栅线阻挡层,腐蚀所述导电层,腐蚀所述粘附层,去除所述栅线阻挡层。本发明专利技术的有益效果是保证了砷化镓太阳电池栅线的牢固度,方便了阻挡胶的去除,可与自动流水线兼容作业,有效的降低了成本,通过对侧蚀程度的控制,保证了砷化镓太阳电池栅线的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造,尤其是涉及一种砷化镓太阳电池栅线制备方法


技术介绍

1、砷化镓太阳电池具有高转换效率、抗辐照性能强的优点,在航天领域广泛应用。砷化镓太阳电池采用在4英寸或6英寸基底晶圆上进行外延,之后进行光刻、电极制备、减反射膜等工艺,从而制备出具有高可靠性能的砷化镓太阳电池。在当前技术水平下,只有采用真空法制备的电极能够满足砷化镓太阳电池的高可靠要求,如图1所示,首先制备出表面收口窄、下表面收口宽的光刻胶图形,然后蒸镀金属层,金属层垂直蒸镀,保证金属层厚度低于光刻胶厚度,蒸镀后光刻胶图形侧面裸露光刻胶,采用去胶液去除光刻胶,胶水渗透位置为光刻胶裸露图形侧面。真空蒸镀方式需经过装片、抽真空、蒸镀等方式制备,必须通过人工操作实现,无法实现自动流水线作业,从而拉高了砷化镓太阳电池制备的成本,限制了砷化镓太阳电池的规模化应用。

2、采用印刷作业的方式,可以使砷化镓太阳电池的制备实现全自动流转,有效降低成本。目前采用印刷作业制备砷化镓太阳电池栅线的方式为:

3、(1)在外延片上印刷金属浆料,固化后直接形成栅线。以此种方式制备的栅线电阻率太高,降低了转换效率,且栅线牢固度差,降低了可靠性。

4、(2)在外延片上印刷阻挡胶,之后进行电极蒸镀。如图2所示,在外延片上印刷表面收口宽、下表面收口窄的阻挡胶图形,然后蒸镀金属层,金属层垂直蒸镀,蒸镀后金属层全面覆盖印刷阻挡层所有表面,采用去胶液去除阻挡胶,印刷阻挡层无侧面裸露,导致无法去胶。以此种方式制备,电极蒸镀后,阻挡胶难以去除,无法与自动流水线兼容作业,不能有效的降低成本。


技术实现思路

1、为解决上述技术问题,本专利技术提供一种砷化镓太阳电池栅线制备方法,有效解决了砷化镓太阳电池栅线转换效率较低,牢固度较差,阻挡胶难以去除,生产成本较高的问题。

2、本专利技术采用的技术方案是:一种砷化镓太阳电池栅线制备方法,包括以下步骤:

3、在太阳电池基体上真空蒸镀粘附层;

4、在所述粘附层上真空蒸镀导电层;

5、在所述导电层的电池区域印刷栅线阻挡层;

6、腐蚀所述导电层;

7、腐蚀所述粘附层;

8、去除所述栅线阻挡层。

9、进一步,所述步骤在所述导电层的电池区域印刷栅线阻挡层,还包括在所述导电层的非电池区域印刷参考阻挡层。

10、进一步,所述参考阻挡层沿侧蚀方向的宽度为所述栅线阻挡层下部的导电层可容忍的单侧侧蚀厚度的两倍。

11、进一步,在所述步骤腐蚀所述导电层中,根据所述参考阻挡层的掉落状态控制所述栅线阻挡层下部的导电层的侧蚀程度。

12、进一步,所述粘附层的材质为ti或者ni,优选的为ti。

13、进一步,所述导电层的材质为ag或者cu,优选的为ag。

14、进一步,所述粘附层的厚度为20-500nm。

15、进一步,所述导电层的厚度为1-10μm。

16、本专利技术具有的优点和积极效果是:采用上述技术方案,使得真空蒸镀步骤位于栅线图形形成之前,有利于电极的牢固度,方便了阻挡胶的去除,可与自动流水线兼容作业,有效的降低了成本,通过对侧蚀程度的控制,保证了砷化镓太阳电池栅线的质量。

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【技术保护点】

1.一种砷化镓太阳电池栅线制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种砷化镓太阳电池栅线制备方法,其特征在于:所述步骤在所述导电层的电池区域印刷栅线阻挡层,还包括在所述导电层的非电池区域印刷参考阻挡层。

3.根据权利要求2所述的一种砷化镓太阳电池栅线制备方法,其特征在于:所述参考阻挡层沿侧蚀方向的宽度为所述栅线阻挡层下部的导电层可容忍的单侧侧蚀厚度的两倍。

4.根据权利要求3所述的一种砷化镓太阳电池栅线制备方法,其特征在于:在所述步骤腐蚀所述导电层中,根据所述参考阻挡层的掉落状态控制所述栅线阻挡层下部的导电层的侧蚀程度。

5.根据权利要求1-4任一所述的一种砷化镓太阳电池栅线制备方法,其特征在于:所述粘附层的材质为Ti或者Ni,优选的为Ti。

6.根据权利要求5所述的一种砷化镓太阳电池栅线制备方法,其特征在于:所述导电层的材质为Ag或者Cu,优选的为Ag。

7.根据权利要求1-4和6任一所述的一种砷化镓太阳电池栅线制备方法,其特征在于:所述粘附层的厚度为20-500nm。

8.根据权利要求7所述的一种砷化镓太阳电池栅线制备方法,其特征在于:所述导电层的厚度为1-10μm。

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【技术特征摘要】

1.一种砷化镓太阳电池栅线制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种砷化镓太阳电池栅线制备方法,其特征在于:所述步骤在所述导电层的电池区域印刷栅线阻挡层,还包括在所述导电层的非电池区域印刷参考阻挡层。

3.根据权利要求2所述的一种砷化镓太阳电池栅线制备方法,其特征在于:所述参考阻挡层沿侧蚀方向的宽度为所述栅线阻挡层下部的导电层可容忍的单侧侧蚀厚度的两倍。

4.根据权利要求3所述的一种砷化镓太阳电池栅线制备方法,其特征在于:在所述步骤腐蚀所述导电层中,根据所述参考阻挡层的掉落状态控制...

【专利技术属性】
技术研发人员:铁剑锐程保义郭志胜崔鹏李晓东杜永超肖志斌欧伟梁存宝王鑫张建港
申请(专利权)人:中电科蓝天科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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