【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法。
技术介绍
1、覆铜陶瓷基板由于具有优良的电绝缘性能、高导热性、较好的热循环性能、优异的软钎焊性、高的附着强度，并且能像pcb板一样刻蚀出各种图形，因此已广泛应用于半导体制冷器、功率半导体模块、固体继电器、高频电源开关、混合动力汽车、大功率led等领域。对应用于高端功率器件的覆铜陶瓷基板而言，外观性能要求也在逐步提高。特别是对基板的翘曲，因其直接影响芯片的焊接性能，故对于基板的翘曲率有相应的要求。然而因铜和陶瓷，以及结合层之间的热膨胀系数差异导致烧结后的覆铜陶瓷基板发生翘曲，特别是如果覆铜陶瓷基板两侧铜厚有差异的情况下翘曲就会更难控制。
2、因此，亟需一种改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法，以解决上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于：提供一种改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法，以改善相关技术中覆铜陶瓷基板翘曲率较大的问题。
2、本专利技术提供一种改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法，该改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法包括：
3、s10：将翘曲值不合格的覆铜陶瓷基板的上下表面均贴柔性垫片；
4、s20：通过两个压板对贴附有所述柔性垫片的所述覆铜陶瓷基板的上下表面压紧；
5、s30：使所述覆铜陶瓷基板所在的环境成为贫氧环境；
6、s40：调高所述覆铜陶瓷基板所在环境的温度；
7、s50：将所述覆铜陶瓷基板所在的环境温度降至室温；
...【技术保护点】
1.一种改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法，其特征在于，S10中：所述柔性垫片的厚度小于所述覆铜陶瓷基板所允许的最大翘曲值，所述柔性垫片的厚度范围在0.1mm～10mm。
3.根据权利要求1所述的改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法，其特征在于，S10中：所述柔性垫片采用石墨纸或特氟龙布，所述柔性垫片的表面硬度＜50HV，耐高温＞100℃。
4.根据权利要求1所述的改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法，其特征在于，S20中：对所述覆铜陶瓷基板的上下表面压紧的压力为单位面积预设值P，10Pa≤P≤10Mpa。
5.根据权利要求1所述的改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法，其特征在于，S30中：所述贫氧环境为所述覆铜陶瓷基板所在的环境充满惰性气体；
6.根据权利要求1所述的改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法，其特征在于，S40具体包括：
7.根据权利要求6所述的改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法，其特征在于，S42中，所述覆铜陶瓷基板所在环境温度升高至所述b后，保温时
8.根据权利要求1所述的改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法，其特征在于，S50中，所述覆铜陶瓷基板所在的环境温度降温速率为预设值d，d≤50℃/min。
...【技术特征摘要】
1.一种改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法，其特征在于，s10中：所述柔性垫片的厚度小于所述覆铜陶瓷基板所允许的最大翘曲值，所述柔性垫片的厚度范围在0.1mm～10mm。
3.根据权利要求1所述的改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法，其特征在于，s10中：所述柔性垫片采用石墨纸或特氟龙布，所述柔性垫片的表面硬度＜50hv，耐高温＞100℃。
4.根据权利要求1所述的改善覆铜陶瓷基板翘曲的工艺方法，其特征在于，s20中：对所述覆铜陶瓷基板的上下表面压紧的压力为单位面积预设值p，10pa≤p≤...
【专利技术属性】
技术研发人员：盛彬，衡冬杰，
申请(专利权)人：宁波江丰同芯半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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