【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，特别是涉及石英管清洗装置、雾化喷淋头及其雾化方法。
技术介绍
1、石英管为半导体炉管设备中常用部件，是构成工艺腔体的重要组成部件，是半导体器件制造设备(例如化学气相沉积(cvd)、物理气相沉积(pvd)、扩散设备(diff)或者成膜设备(t/f)等)中普遍使用的半导体设备耗材。石英管在工艺进行过程中会在表面附着副产物，副产物通常为单晶硅、多晶硅、氮化硅等。其中，石英管造价昂贵，因此需要在被彻底清洗后予以重复使用，以降低半导体器件的制造成本。然而，传统的石英管清洗装置通常是采用喷嘴喷射去离子水、氮气或者异丙醇(ipa)蒸气等等，以对石英管执行清洗和/或者干燥处理。然而，在保证清洗效果的同时需要耗费较多时间，清洗效率较低，同时需要耗费大量的清洗液，成本较高。
技术实现思路
1、基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种石英管清洗装置、雾化喷淋头及其雾化方法，它能够提高清洗效果与清洗效率，同时结构简单，成本低廉。
2、其技术方案如下：一种雾化喷淋头，所述雾化喷淋头包
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【技术保护点】
1.一种雾化喷淋头，其特征在于，所述雾化喷淋头包括：
2.根据权利要求1所述的雾化喷淋头，其特征在于，所述第一开关组件包括第一封堵件与第一弹性件；所述第一封堵件通过所述第一弹性件与所述本体相连，所述第一封堵件活动地设置于所述混合腔室的内部，用于打开或关闭所述进液口。
3.根据权利要求2所述的雾化喷淋头，其特征在于，所述混合腔室包括主腔室与第一活动通道，所述第一活动通道一端与所述主腔室相连通，所述第一活动通道另一端与所述进液口相连通，所述第一开关组件设置于所述第一活动通道中，所述第一活动通道内径小于所述主腔室的内径，所述第一活动通道的内径大于所述...
【技术特征摘要】
1.一种雾化喷淋头，其特征在于，所述雾化喷淋头包括：
2.根据权利要求1所述的雾化喷淋头，其特征在于，所述第一开关组件包括第一封堵件与第一弹性件；所述第一封堵件通过所述第一弹性件与所述本体相连，所述第一封堵件活动地设置于所述混合腔室的内部，用于打开或关闭所述进液口。
3.根据权利要求2所述的雾化喷淋头，其特征在于，所述混合腔室包括主腔室与第一活动通道，所述第一活动通道一端与所述主腔室相连通，所述第一活动通道另一端与所述进液口相连通，所述第一开关组件设置于所述第一活动通道中，所述第一活动通道内径小于所述主腔室的内径，所述第一活动通道的内径大于所述进液口的口径，所述第一封堵件活动地设置于所述第一活动通的内部，用于与所述进液口的口壁抵接以关闭所述进液口，以及与所述进液口分开以打开所述进液口。
4.根据权利要求3所述的雾化喷淋头，其特征在于，所述本体还设有与所述混合腔室相连通的进液通道，所述进液口形成于靠近于所述混合腔室的所述进液通道的一端。
5.根据权利要求2所述的雾化喷淋头，其特征在于，所述第二开关组件包括第二封堵件与第二弹性件；所述第二封堵件通过所述第二弹性件与所述本体相连，所述第二封堵件活动地设置于所述混合腔室的内部，用于打开或关闭所述雾化排气孔。
6.根据权利要求5所述的雾化喷淋头，其特征在于，所述混合腔室包括主腔室与第二活动通道；所述第二活动通道一端与所述主腔室相连通，所述第二活动通道另一端与所述雾化排气孔相连通；所述第二活动通道的内径小于所述主腔室的内径，所述第二活动通道的内径大于所述雾化排气孔的内径；
7.根据权利要求6所述的雾化喷淋头，其特征在于，所述密封配合段的内径在朝远离于所述雾化排气孔的方向上呈减小趋势。
8.根据权利要求6所述的雾化喷淋头，其特征在于，远离于所述主腔室的所述第二活动通道的一端设有过渡段，所述过渡段与所述雾化排气孔相连通，所述过渡段的内径在朝向所述雾化排气孔的方向上呈减小趋势。
9.根据权利要求5所述的雾化喷淋头，其特征在于，所述第二弹性件的弹性模量大于所述第一弹性件的弹性模量。
10.根据权利要求1至9任意一项所述的雾化喷淋头，其特征在于，所述进气口处设有单向阀，所述单向阀用于使所述进气口的气体单方向流进所述混合腔室。
11.一...
【专利技术属性】
技术研发人员：王怀庆，闫峥鹏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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