【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，特别是涉及一种topcon电池及其制备方法。
技术介绍
1、太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。以光伏效应工作的晶硅太阳能电池为主流。topcon电池是光伏晶硅电池的一种，为基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触太阳能电池。目前的topcon电池的制备过程中，需要先进行晶化处理再进行掺杂处理的工艺，造成磷原子不容易被推进，造成掺杂层的掺杂浓度较低，使电极与硅片之间的接触电阻较高，影响电池的转换效率。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种topcon电池的制备方法，使内部的接触电阻较低，电池的转换效率较高。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供了一种topcon电池的制备方法，包括：
3、获取硅片，对所述硅片进行预处理形成硅衬底；
4、对所述硅衬底的正面进行硼扩散工艺处理，形成p+掺杂层；
5、对所述硅衬底的背面制备隧穿氧化层，在所述氧化层的表面通过沉积工艺形成本征非晶硅层；
6、对所述本征非晶硅层进行掺杂处理形成n+掺杂非晶硅层，对局部的所述n+掺杂非晶硅层进行选择性重掺杂处理形成n++重掺杂非晶硅层；
7、对所述n+掺杂非晶硅层和所述n++重掺杂非晶硅层进行晶化处理，使所述n+掺杂非晶硅层和所述n++重掺杂非晶硅层对应转化成n+掺杂多晶硅层和n++重掺杂多晶硅层；
8、通过金属化处理在所述硅衬底的正面形成第一电极，在所述n++重掺杂
9、在一些实施例中，所述硼扩散掺杂工艺处理在管式扩散炉中进行。
10、在一些实施例中，在所述金属化处理之前，去除所述硅衬底的正面因所述晶化处理而绕镀形成的所述多晶硅层。
11、在一些实施例中，在去除所述硅衬底的正面因所述晶化处理而形成的绕镀所述多晶硅层之后，对所述硅衬底的正面和背面进行钝化处理，对应形成第一钝化层和第二钝化层。
12、在一些实施例中，在所述第一钝化层的表面制备形成减反射层。
13、在一些实施例中，所述晶化处理采用退火工艺进行处理。
14、在一些实施例中，所述n+掺杂非晶硅层转化成所述n+掺杂多晶硅层后的厚度为40～120nm，方阻为100～200ω/□。
15、在一些实施例中，所述获取硅片为获取n型硅片。
16、本专利技术还提供一种topcon电池，包括：
17、硅衬底；
18、p+掺杂层，设于所述硅衬底的正面；
19、隧穿氧化层，设于所述硅衬底的背面；
20、n+掺杂层，设于所述隧穿氧化层远离所述硅衬底的一侧，所述n+掺杂层中具有电极接触区域，所述n+掺杂层由本征非晶硅层依次进行n+掺杂、晶化后形成；
21、n++重掺杂层，设于所述电极接触区域中，所述n++重掺杂层由局部的n+掺杂非晶硅层依次进行n++重掺杂、晶化后形成；以及
22、电极组件，包括第一电极和第二电极，所述第一电极的一端设于所述硅衬底远离所述隧穿氧化层的一侧，所述第二电极的一端设于所述n++重掺杂层中。
23、在一些实施例中，topcon电池还包括第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层设于所述p+掺杂层远离所述硅衬底的一侧，所述第二钝化层设于所述n+掺杂层远离所述隧穿氧化层的一侧。
24、本专利技术提供一种topcon电池的制备方法，与现有技术相比，其有益效果在于：
25、通过对所述本征非晶硅层进行掺杂处理形成n+掺杂非晶硅层，对局部的所述n+掺杂非晶硅层进行选择性重掺杂处理形成n++重掺杂非晶硅层；对所述n+掺杂非晶硅层和所述n++重掺杂非晶硅层进行晶化处理，使所述n+掺杂非晶硅层和所述n++重掺杂非晶硅层对应转化成n+掺杂多晶硅层和n++重掺杂多晶硅层；实现先掺杂处理再晶化处理，使得掺杂过程中磷原子更容易被推进，实现n+掺杂多晶硅层和n++重掺杂多晶硅层的掺杂浓度更高，从而降低了第二电极与硅衬底之间的接触电阻，提高了电池的转换效率。
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1.一种TOPCon电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于，所述硼扩散掺杂工艺处理在管式扩散炉中进行。
3.根据权利要求1所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于，在所述金属化处理之前，去除所述硅衬底的正面因所述晶化处理而绕镀形成的所述多晶硅层。
4.根据权利要求3所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于，在去除所述硅衬底的正面因所述晶化处理而形成的绕镀所述多晶硅层之后，对所述硅衬底的正面和背面进行钝化处理，对应形成第一钝化层和第二钝化层。
5.根据权利要求4所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于，在所述第一钝化层的表面制备形成减反射层。
6.根据权利要求1所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于，所述晶化处理采用退火工艺进行处理。
7.根据权利要求1所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于，所述N+掺杂非晶硅层转化成所述N+掺杂多晶硅层后的厚度为40～120nm，方阻为100～200Ω/□。
8.根据权利要求1-7
9.一种TOPCon电池，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的TOPCon电池，其特征在于，还包括第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层设于所述P+掺杂层远离所述硅衬底的一侧，所述第二钝化层设于所述N+掺杂层远离所述隧穿氧化层的一侧。
...【技术特征摘要】
1.一种topcon电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的topcon电池的制备方法，其特征在于，所述硼扩散掺杂工艺处理在管式扩散炉中进行。
3.根据权利要求1所述的topcon电池的制备方法，其特征在于，在所述金属化处理之前，去除所述硅衬底的正面因所述晶化处理而绕镀形成的所述多晶硅层。
4.根据权利要求3所述的topcon电池的制备方法，其特征在于，在去除所述硅衬底的正面因所述晶化处理而形成的绕镀所述多晶硅层之后，对所述硅衬底的正面和背面进行钝化处理，对应形成第一钝化层和第二钝化层。
5.根据权利要求4所述的topcon电池的制备方法，其特征在于，在所述第一钝化层的表面制备形成减反射层。
【专利技术属性】
技术研发人员：廖志远，王建文，胡朝冰，熊敏，
申请(专利权)人：江西沐邦高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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