System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种光伏电池及光伏组件、光伏系统技术方案_技高网

一种光伏电池及光伏组件、光伏系统技术方案

技术编号:41408608 阅读:3 留言:0更新日期:2024-05-20 19:35
本发明专利技术公开了一种光伏电池及光伏组件、光伏系统,涉及太阳能电池技术领域,其包括硅基片、设置于硅基片正面的发射钝化结构、设置于硅基片背面的隧穿电场钝化结构、电极组件,发射钝化结构设置有本征非晶硅层、掺硼非晶硅层、掺硼多晶硅层或掺硼微晶硅层、正面钝化层;电极组件包括第一电极和第二电极,第一电极与发射钝化结构相连,第二电极与隧穿电场钝化结构相连。本光伏电池通过设置掺硼多晶硅层或掺硼微晶硅层,配合掺硼非晶硅层,替代了现有TOPCon电池在硅基片正面设置的硼扩散层,使本光伏电池制备过程无需经历激光选择性重掺步骤,从而根源上解决了TOPCon电池硼扩散困难、激光选择性重掺对电池片基片损伤大的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池,特别是涉及一种光伏电池及光伏组件、光伏系统


技术介绍

1、topcon电池是一种使用超薄氧化层作为钝化层结构的太阳能电池。现有topcon电池一般需要在n型硅基片的正表面扩散硼元素,以达到形成pn结的目的。该种类型的topcon电池量产技术成熟,是行业内主流的topcon电池结构。

2、然而,该种类型的topcon电池仍存在若干不足,其一是现有的硼扩散工艺的操作难度较大,在硼元素的扩散过程中,扩散硼源通过气体携源的方式通入扩散设备内,扩散硼源在n型硅基片的正表面容易分布不均匀,导致所形成的pn结不均匀,而且,在硅基片上扩散硼本身也非常困难,硼元素难以扩散进入硅基片,其二,该种类型的topcon电池的正面pn结制备技术,除需要在n型硅基片的正表面进行通硼源实现扩散外,还需要进行后续的激光重掺步骤,才能通过激光把硼元素扩散到硅基片内,形成选择性发射极,但是,激光选择性重掺工艺对电池片的基片损伤大。此外,该种类型的topcon电池的钝化效果主要集中在n型硅基片的背面,电池的正面钝化效果不够好。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种光伏电池及包括其的光伏组件、光伏系统,以解决现有topcon电池制备过程中存在的硼扩散困难、激光选择性重掺对电池片基片损伤大的问题。

2、为了实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案:

3、一种光伏电池,包括硅基片、设置于硅基片正面的发射钝化结构、设置于硅基片背面的隧穿电场钝化结构、电极组件,其中,

4、发射钝化结构设置有本征非晶硅层、掺硼非晶硅层、掺硼多晶硅层或掺硼微晶硅层、正面钝化层,本征非晶硅层设置在硅基片的正面;

5、电极组件包括第一电极和第二电极,第一电极与发射钝化结构相连,第二电极与隧穿电场钝化结构相连。

6、在一些实施方式中,隧穿电场钝化结构包括隧穿氧化层、重掺多晶硅层、背面氮化硅层,隧穿氧化层设置在硅基片的背面。

7、在一些实施方式中,正面钝化层包括氧化铝层,氧化铝层设置在掺硼多晶硅层或掺硼微晶硅层的正面。

8、在一些实施方式中,正面钝化层还包括氮化硅层或氧化硅层,氮化硅层或氧化硅层设置在氧化铝层的正面。

9、在一些实施方式中,第一电极的数量为多个,多个第一电极沿硅基片的长度方向间隔设置;第二电极的数量为多个,多个第一电极沿硅基片的长度方向间隔设置。

10、在一些实施方式中,第一电极的一端设置于掺硼多晶硅层或掺硼微晶硅层内,或者第一电极的一端设置于掺硼多晶硅层或掺硼微晶硅层与掺硼非晶硅层的交界处。

11、在一些实施方式中,第一电极、第二电极为银电极。

12、在一些实施方式中,硅基片为n型硅基片。

13、基于前述的光伏电池,本专利技术还提供一种光伏组件,该光伏组件包括前述的光伏电池。

14、基于前述的光伏组件,本专利技术还提供一种光伏系统,该光伏系统包括前述的光伏组件。

15、本专利技术实施例一种光伏电池及包括其的光伏组件、光伏系统与现有技术相比,其有益效果在于:

16、(1)本光伏电池通过设置掺硼多晶硅层或掺硼微晶硅层,配合掺硼非晶硅层,替代了现有topcon电池在硅基片正面设置的硼扩散层,使本光伏电池制备过程无需经历激光选择性重掺步骤,从而根源上解决了topcon电池硼扩散困难、激光选择性重掺控制不好,则激光会对电池片基片损伤大的问题;

17、(2)本光伏电池通过在硅基片的正面设置本征非晶硅层,使硅基片的正面形成本征非晶硅层、正面钝化层等多个钝化结构,有效改善电池片正面的钝化效果,降低电池片发电过程中的电学损失;

18、(3)本光伏电池通过设置掺硼多晶硅层,提高了本光伏电池发射钝化结构的电导率,有效改善了发射钝化结构的电性能,减少发射钝化结构的电学传输损耗。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光伏电池,其特征在于,包括硅基片、设置于硅基片正面的发射钝化结构、设置于硅基片背面的隧穿电场钝化结构以及电极组件,其中,

2.根据权利要求1所述的光伏电池,其特征在于,所述隧穿电场钝化结构包括隧穿氧化层、重掺多晶硅层、背面氮化硅层,所述隧穿氧化层设置在所述硅基片的背面。

3.根据权利要求1所述的光伏电池,其特征在于,所述正面钝化层包括氧化铝层,所述氧化铝层设置在所述掺硼多晶硅层或所述掺硼微晶硅层的正面。

4.根据权利要求3所述的光伏电池,其特征在于,所述正面钝化层还包括氮化硅层或氧化硅层,所述氮化硅层或所述氧化硅层设置在所述氧化铝层的正面。

5.根据权利要求1所述的光伏电池,其特征在于,所述第一电极的数量为多个,多个所述第一电极沿所述硅基片的长度方向间隔设置;所述第二电极的数量为多个,多个所述第一电极沿所述硅基片的长度方向间隔设置。

6.根据权利要求1所述的光伏电池,其特征在于,所述第一电极的一端设置于所述掺硼多晶硅层或所述掺硼微晶硅层内,或者,

7.根据权利要求1所述的光伏电池,其特征在于,所述第一电极、所述第二电极均为银电极。

8.根据权利要求1所述的光伏电池,其特征在于,所述硅基片为N型硅基片。

9.一种光伏组件,其特征在于,包括权利要求1-8任一项所述的光伏电池。

10.一种光伏系统,其特征在于,包括权利要求9所述的光伏组件。

...

【技术特征摘要】

1.一种光伏电池,其特征在于,包括硅基片、设置于硅基片正面的发射钝化结构、设置于硅基片背面的隧穿电场钝化结构以及电极组件,其中,

2.根据权利要求1所述的光伏电池,其特征在于,所述隧穿电场钝化结构包括隧穿氧化层、重掺多晶硅层、背面氮化硅层,所述隧穿氧化层设置在所述硅基片的背面。

3.根据权利要求1所述的光伏电池,其特征在于,所述正面钝化层包括氧化铝层,所述氧化铝层设置在所述掺硼多晶硅层或所述掺硼微晶硅层的正面。

4.根据权利要求3所述的光伏电池,其特征在于,所述正面钝化层还包括氮化硅层或氧化硅层,所述氮化硅层或所述氧化硅层设置在所述氧化铝层的正面。

5.根据权利要求1所述的光伏电...

【专利技术属性】
技术研发人员:姚昕黄立峰刘晓萌杨卓林唐果
申请(专利权)人:江西沐邦高科股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1