电容式数字隔离器及电子设备制造技术

本发明专利技术提供了一种电容式数字隔离器及电子设备，涉及隔离器的技术领域，该电容式数字隔离器，包括：第一芯片、第二芯片和第三衬底；第三衬底为绝缘衬底；第三衬底在第一芯片上堆叠贴合设置，第二芯片与第一芯片分离设置；第三衬底远离第一芯片的一面设置有第一金属化图形；第一芯片堆叠第三衬底的一面设置有第二金属化图形，当第三衬底在第一芯片上堆叠时，第一金属化图形和第二金属化图形部分重叠；第一芯片设置有第一电路，第二芯片设置有第二电路；第一电路和第二电路用于实现信号传输。本发明专利技术提供的电容式数字隔离器及电子设备，可以按照实际需求去设置第三衬底的厚度，有效拓宽了电容式数字隔离器的应用场景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及隔离器的，尤其是涉及一种电容式数字隔离器及电子设备。

技术介绍

1、电容数字隔离器被广泛应用于取代光耦，传统的电容数字隔离器使用集成电路后道工艺制造厚介质层，通过厚介质层形成高压电容。

2、通常，相关技术中，会通过串联两个芯片表面的厚介质层，来实现更高的耐压能力。

3、但是，这种技术受限于以下几点。

4、(1)在集成电路后道工艺中，沉积厚介质层是非常消耗机台时间的，即使用速度较快的pecvd(plasma enhanced chemical vapor deposition，pecvd，等离子体增强化学气相沉积)方式进行介质层的沉积，也需要相当长的制造时间，这限制了芯片表面沉积厚介质层的经济性；

5、(2)pecvd的沉积一般在特定气体组分、压强、和电场的腔体中进行，在芯片表面沉积介质的同时，也会在腔体的表面形成介质膜。当介质膜达到一定厚度时，会改变腔体中的环境，影响继续沉积，必须暂停生产进行刻蚀清理，这限制了芯片表面沉积厚介质层的生产效率；

6、(3)pecvd沉积的介质和作为衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电容式数字隔离器，其特征在于，包括：第一芯片、第二芯片和第三衬底；其中，所述第三衬底为绝缘衬底；

2.根据权利要求1所述的电容式数字隔离器，其特征在于，所述第一芯片包括分离设置的第一子芯片和第四衬底；

3.根据权利要求2所述的电容式数字隔离器，其特征在于，所述第四衬底为封装基板；

4.根据权利要求1所述的电容式数字隔离器，其特征在于，所述第一金属化图形包括成对设置的第一极板和第二极板；所述第二金属化图形包含成对设置的第三极板和第四极板；

5.根据权利要求4所述的电容式数字隔离器，其特征在于，所述预设比值范围为0.9～1.1，所述预设...

【技术特征摘要】

1.一种电容式数字隔离器，其特征在于，包括：第一芯片、第二芯片和第三衬底；其中，所述第三衬底为绝缘衬底；

2.根据权利要求1所述的电容式数字隔离器，其特征在于，所述第一芯片包括分离设置的第一子芯片和第四衬底；

3.根据权利要求2所述的电容式数字隔离器，其特征在于，所述第四衬底为封装基板；

4.根据权利要求1所述的电容式数字隔离器，其特征在于，所述第一金属化图形包括成对设置的第一极板和第二极板；所述第二金属化图形包含成对设置的第三极板和第四极板；

5.根据权利要求4所述的电容式数字隔离器，其特征在于，所述预设比值范围为0.9～1.1，所述预设阈值为0.1。

6.根据权利要求4所述的电容式数字隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：方向明，
申请(专利权)人：深圳线易微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：