System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种100nm以下固态电解质浆料的制备方法技术_技高网

一种100nm以下固态电解质浆料的制备方法技术

技术编号:40742633 阅读:5 留言:0更新日期:2024-03-25 20:01
一种100nm以下固态电解质浆料的制备方法,包括如下步骤:S1:制备固含量为5‑30 wt%的微米级固态电解质浆料,并且向所述微米级固态电解质浆料中添加0.1‑3 wt%的分散剂;S2:使用搅拌机进行搅拌分散,搅拌机的线速度为1~16m/s,搅拌时间为10~60min,得到分散好的微米级固态电解质浆料;S3:使用砂磨机对分散好的微米级固态电解质浆料进行颗粒细化处理,得到100nm以下的固态电解质浆料。本发明专利技术所述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,设计合理,通过对分散剂的筛选、各组分的配比及分散、砂磨工艺的优化,制备出粒径跨度小、粒度集中的100纳米以下固态电解质的浆料,方法简单,成本低廉,可规模化制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电池制备,具体涉及一种100nm以下固态电解质浆料的制备方法


技术介绍

1、随着固态、半固态电池行业的飞速发展,固态电解质的需求量与日俱增。然而,市面上大多数固态电解质的粒径大于200nm,或者粒度分布不均匀,存在双峰或是多锋现象。这对固态电解质的实际应用来说具有不好的影响,固态电解质并不能完全发挥其性能,尤其是在其应用于正/负极极片中掺混和正极包覆。在正/负极极片中,要求固态电解质掺混比例小,这就需要固态电解质粒径小且粒度集中。同样的,对于固态电解质正极包覆,更是要求固态电解质越小越好,并且粒度集中,这样可以在正极材料表面形成一层薄而均匀的层状结构,从而增强正极表面结构稳定性,降低界面阻抗,减少正极与电解液的接触,抑制副反应。

2、因此,需要寻找一种可以将固态电解质粒径降低至100nm以下并且可以获得分布均匀、粒度集中的固态电解质的制备工艺。


技术实现思路

1、专利技术目的:为了克服以上不足,本专利技术的目的是提供一种100nm以下固态电解质浆料的制备方法,设计合理,通过对分散剂的筛选、各组分的配比及分散、砂磨工艺的优化,制备出粒径跨度小、粒度集中的100纳米以下固态电解质的浆料,方法简单,成本低廉,可规模化制备,应用前景广泛。

2、本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的:

3、一种100nm以下固态电解质浆料的制备方法,包括如下步骤:

4、s1:制备固含量为5-30 wt%的微米级固态电解质浆料,并且向所述微米级固态电解质浆料中添加0.1-3 wt%的分散剂;

5、s2:使用搅拌机进行搅拌分散,搅拌机的线速度为1~16m/s,搅拌时间为10~60min,得到分散好的微米级固态电解质浆料;

6、s3:使用砂磨机对分散好的微米级固态电解质浆料进行颗粒细化处理,砂磨机的进料速度为1~20l/min,线速度为30~80m/min,研磨介质的填充率为30~60%,砂磨时间为10~60min,得到100nm以下的固态电解质浆料。

7、进一步的,上述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,所述步骤s1中,所述微米级固态电解质浆料的固含量为10 wt%。

8、进一步的,上述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,所述步骤s1中,所述微米级固态电解质浆料的微米级固态电解质选自氧化物固态电解质、硫化物固态电解质、卤化物固态电解质中的一种;所述氧化物固态电解质包括但不限于latp、llzo、llzto、llto;所述硫化物固态电解质包括但不限于lspc、lgps;所述卤化物固态电解质包括但不限于lic、lyc。

9、进一步的,上述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,所述微米级固态电解质浆料的微米级固态电解质为latp。

10、进一步的,上述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,所述步骤s1中,所述微米级固态电解质浆料的溶剂选自去离子水、nmp、dmso、dmf中的一种。

11、进一步的,上述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,所述步骤s1中,所述微米级固态电解质浆料的溶剂为去离子水。

12、进一步的,上述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,所述步骤s1中,所述分散剂选自聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸钠、六偏磷酸钠、聚磷酸钠、聚丙烯酸钠、羧甲基纤维素、硬质酸钠中的一种或者多种的组合。

13、进一步的,上述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,所述步骤s1中,所述分散剂为聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸钠的组合,所述聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸钠的质量比为1:2;所述分散剂的添加量为所述微米级固态电解质浆料质量的1.5%。

14、进一步的,上述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,所述步骤s2中,搅拌机的线速度为8m/s,搅拌时间为20min。

15、进一步的,上述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,所述步骤s3中,砂磨机的进料速度为6l/min,线速度为60m/min,研磨介质的填充率为45%,砂磨时间为20min;砂磨机的研磨介质选自氧化锆珠、玻璃珠,钢珠、硅酸锆珠中的一种。

16、优选的,砂磨机的研磨介质为氧化锆珠。

17、与现有技术相比,本专利技术具有如下的有益效果:本专利技术所述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,设计合理,针对现有技术中固态电解质的粒径难以降低至100nm以下的技术问题,通过对分散剂的筛选、各组分的配比及分散工艺、砂磨工艺的优化,制备出粒径跨度小、粒度集中的100纳米以下固态电解质的浆料,所述固态电解质浆料的制备技术简单,成本低廉,适合工业化生产,具有广泛的应用场景。

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【技术保护点】

1.一种100nm以下固态电解质浆料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述微米级固态电解质浆料的固含量为10 wt%。

3.根据权利要求1所述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述微米级固态电解质浆料的微米级固态电解质选自氧化物固态电解质、硫化物固态电解质、卤化物固态电解质中的一种;所述氧化物固态电解质包括但不限于LATP、LLZO、LLZTO、LLTO;所述硫化物固态电解质包括但不限于LSPC、LGPS;所述卤化物固态电解质包括但不限于LIC、LYC。

4.根据权利要求3所述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,其特征在于,所述微米级固态电解质浆料的微米级固态电解质为LATP。

5.根据权利要求1所述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述微米级固态电解质浆料的溶剂选自去离子水、NMP、DMSO、DMF中的一种。

6.根据权利要求5所述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述微米级固态电解质浆料的溶剂为去离子水。

7.根据权利要求1所述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述分散剂选自聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸钠、六偏磷酸钠、聚磷酸钠、聚丙烯酸钠、羧甲基纤维素、硬质酸钠中的一种或者多种的组合。

8.根据权利要求7所述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述分散剂为聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸钠的组合,所述聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸钠的质量比为1:2;所述分散剂的添加量为所述微米级固态电解质浆料质量的1.5%。

9.根据权利要求1所述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,搅拌机的线速度为8m/s,搅拌时间为20min。

10.根据权利要求1所述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,其特征在于,所述步骤S3中,砂磨机的进料速度为6L/min,线速度为60m/min,研磨介质的填充率为45%,砂磨时间为20min;砂磨机的研磨介质选自氧化锆珠、玻璃珠,钢珠、硅酸锆珠中的一种。

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【技术特征摘要】

1.一种100nm以下固态电解质浆料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,其特征在于,所述步骤s1中,所述微米级固态电解质浆料的固含量为10 wt%。

3.根据权利要求1所述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,其特征在于,所述步骤s1中,所述微米级固态电解质浆料的微米级固态电解质选自氧化物固态电解质、硫化物固态电解质、卤化物固态电解质中的一种;所述氧化物固态电解质包括但不限于latp、llzo、llzto、llto;所述硫化物固态电解质包括但不限于lspc、lgps;所述卤化物固态电解质包括但不限于lic、lyc。

4.根据权利要求3所述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,其特征在于,所述微米级固态电解质浆料的微米级固态电解质为latp。

5.根据权利要求1所述的100nm以下固态电解质浆料的制备方法,其特征在于,所述步骤s1中,所述微米级固态电解质浆料的溶剂选自去离子水、nmp、dmso、dmf中的一种。

6.根据权利要求5所述的100nm以下固态电解...

【专利技术属性】
技术研发人员:张全权刘博刘敏
申请(专利权)人:合源锂创苏州新能源科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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