【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，半导体器件的尺寸持续减小。近年来，为了实现更小的器件尺寸以及更高的器件集成度，场效应晶体管器件逐渐从平面晶体管结构向电学性能更优的鳍式晶体管结构过渡。
2、鳍式晶体管结构的重要构成部分包括鳍部结构、栅极结构以及源漏外延区，其中，栅极结构横跨鳍部结构的顶部以及部分侧壁表面。为了避免各晶体管结构之间相互影响，通常通过切割栅极结构的方式形成切割道，使栅极结构分立成互相隔离的若干单元，从而实现各晶体管结构的相互隔离。
3、现有技术中，由于器件尺寸的缩小，鳍部结构和栅极结构切割道之间的间隙很小，从而导致刻蚀工艺不彻底，导致间隙内留有残留物，影响器件的电学性能。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是，提供一种半导体结构及其形成方法，减少了刻蚀处理后的鳍部结构和栅极结构切割道之间的残留物，改善了工艺窗口，提升了器件性能。
2、为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的材料包括氮化钛。
4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在去除所述伪栅结构之后，在形成所述覆盖层之前，还包括：在所述栅开口内的鳍部结构上形成栅介质层。
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的材料包括氧化铪。
6.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体处理的工艺参数包括：氢气的浓度...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的材料包括氮化钛。
4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在去除所述伪栅结构之后，在形成所述覆盖层之前，还包括：在所述栅开口内的鳍部结构上形成栅介质层。
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的材料包括氧化铪。
6.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体处理的工艺参数包括：氢气的浓度占比范围为5％～15％；采用的压强范围为1torr～3torr；采用的温度范围为100摄氏度～200摄氏度。
7.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在去除所述伪栅结构之后，对所述阻挡层进行等离子体处理之前，还包括：在所述栅开口内的鳍部结构上形成第一氧化层。
8.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述覆盖层之后，还包括：在所述覆盖层以及阻挡层表面形成保护层；对所述覆盖层进行退火处理；去除所述保护层。
9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括无定形硅。
10.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅极切割开口的方法包括：在所述伪栅结构上形成掩膜层，所述掩膜层暴露出部分所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王英明，涂武涛，陈天锐，张辰睿，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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