【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体设备领域，具体涉及一种晶圆多级电镀用的干燥中转站。
技术介绍
1、晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片。进一步地，在对晶圆的先进封装技术中，重要工艺流程包括：涂胶—曝光—显影—烘烤—电镀—去胶—清洗，即先在晶圆上涂覆一层光刻胶，光刻胶经过曝光发生化学反应，然后通过显影将所需要的细微图形从掩模版转移至晶圆上，最后运用电化学反应，在晶圆的金属介质层上镀出所需金属，构成金属导线。
2、目前，现有的晶圆电镀设备通常设置有多个电镀池，并在晶圆电镀工艺中，一般需要在晶圆表层镀覆多层金属层，即，根据工艺要求，需要将晶圆装载于晶圆载架上，并按照镀层顺序将晶圆载架依次送入不同的电镀池内进行电镀。
3、然而，在实际电镀过程中，晶圆载架自一个电镀池取出时，其表面必然会附着该电镀池内的液体，当晶圆载架直接送入下一电镀池内时，其表面附着的液体容易对下一电镀池造成污染，且容易改变下一电镀池内的离...
【技术保护点】
1.一种晶圆多级电镀用的干燥中转站，晶圆电镀设备具有多个电镀池，其特征在于：所述中转站包括与所述多个电镀池相衔接的支撑架、设置在所述支撑架上并具有晶圆载架定位腔的定位槽、与所述定位槽相连接的干燥机构、用于将晶圆载架在所述定位槽和所述多个电镀池之间移动的转载机构，其中所述干燥机构包括分别与所述定位腔相连通的供气单元和气液分离单元，所述供气单元用于向所述定位腔吹送干燥气体，位于所述定位腔内的晶圆表面的液体在气压下同步滑落并与干燥气体形成气液混合物，且所述气液混合物流入所述气液分离单元分离排出。
2.根据权利要求1所述的晶圆多级电镀用的干燥中转站，其特征在于：所...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆多级电镀用的干燥中转站，晶圆电镀设备具有多个电镀池，其特征在于：所述中转站包括与所述多个电镀池相衔接的支撑架、设置在所述支撑架上并具有晶圆载架定位腔的定位槽、与所述定位槽相连接的干燥机构、用于将晶圆载架在所述定位槽和所述多个电镀池之间移动的转载机构，其中所述干燥机构包括分别与所述定位腔相连通的供气单元和气液分离单元，所述供气单元用于向所述定位腔吹送干燥气体，位于所述定位腔内的晶圆表面的液体在气压下同步滑落并与干燥气体形成气液混合物，且所述气液混合物流入所述气液分离单元分离排出。
2.根据权利要求1所述的晶圆多级电镀用的干燥中转站，其特征在于：所述定位槽有多个并依次排列在所述支撑架上，所述干燥机构有多组且与多个所述定位槽一一对应。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆多级电镀用的干燥中转站，其特征在于：所述支撑架包括并排间隔设置的架杆，所述定位槽顶部的两侧形成有挂耳，所述定位槽自所述挂耳自由架设在所述架杆上。
4.根据权利要求1所述的晶圆多级电镀用的干燥中转站，其特征在于：所述支撑架与所述多个电镀池并排设置，所述转载机构设置在所述支撑架和所述多个电镀池的上方，转载时，所述转载机构沿着直线方向移动所述晶圆载架。
5.根据权利要求1所述的晶圆多级电镀用的干燥中转站，其特征在于：所述气液分离单元包括具有分离腔的分离罐、连通所述分离腔和所述定位腔的输送管道、排液管道、排气管道，其中所述排液管道与所述分离腔的底部连通，所述排气管道具有自下而上插入所述分离腔内的内置管、位于所述分离腔外的外置管，所述内置管上套设有阻隔件，且所述阻隔件与所述分离罐的内壁之间形成供气流向上通过的环形通过区、与所述内置管的外壁之间形成阻碍液滴向上流动的环形阻隔区；所述输送管道的一端部自所述分离罐的侧壁插入所述分离腔，且所述一端部位于所述阻隔...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙雪峰，肖林峰，黎恩源，
申请(专利权)人：晟盈半导体设备江苏有限公司，
类型：新型
国别省市：
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