发光二极管及发光装置制造方法及图纸

本申请提供一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括：具有相对的出光面和背面的半导体叠层，半导体叠层沿出光面到背面的方向包括依次叠置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；在背面一侧，半导体叠层具有暴露出第一半导体层的第一台面和与第一台面相邻的第二台面；形成于半导体叠层背面的第一电极，该第一电极至少环绕部分第二台面，且环绕部分第二台面的第一电极向出光面的方向延伸；其中第一电极具有第一倒角部，第二台面具有第二倒角部，第一电极与第二台面具有一最小距离L，第二倒角部的曲率半径大于或等于本申请技术方案通过优化发光区域倒角部的设计结构来减弱尖端效应，提升发光二极管耐正向ESD的能力，进而提高产品可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造，特别是涉及一种发光二极管及发光装置。

技术介绍

1、近年来，随着技术的进步和产品的迭代，市场对于led的发光亮度(lop，lumenoutput per watt)需求越来越高，在追求更亮的设计的同时，在一定程度上也可能以牺牲产品部分可靠性为代价，例如通过增加发光区面积增大亮度，但伴随着发光区面积的增加，在led芯片尺寸不变的情况下，发光区与其他功能结构的间距将变小，尤其是发光区拐角的尖端位置，芯粒的电场分布均匀性较差，电子和空穴在尖端区域的浓度增加，尖端效应增强，芯粒抗静电(esd，electro-static discharge)能力减弱，在led的生产、运输和客户使用过程中容易出现esd击穿导致芯粒漏电的现象。而对于电子设备和元件来说，静电放电可能来自人体、设备或环境等多方复杂因素干扰，这些静电放电事件会对设备或元件的性能寿命产生直接负面影响，而具有良好的耐esd能力的设备或元件能够更好地抵御静电放电事件，提高其正常使用过程中的稳定性。

2、因此，在led设计和制造过程中，需要提供一种针对上述现有技术中的不足的改进技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一倒角部的曲率半径大于或等于

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极与所述第二台面的最小距离L的范围为2μm～10μm。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二台面具有一最短侧边，所述第一倒角部和所述第二倒角部的曲率半径均小于所述最短侧边的长度的一半。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二倒角部与所述第一倒角部具有相同或者不同的曲率半径。

6.根据权利要求5所述的发光二极管...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一倒角部的曲率半径大于或等于

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极与所述第二台面的最小距离l的范围为2μm～10μm。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二台面具有一最短侧边，所述第一倒角部和所述第二倒角部的曲率半径均小于所述最短侧边的长度的一半。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二倒角部与所述第一倒角部具有相同或者不同的曲率半径。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述第二倒角部的曲率半径为10μm～60μm。

7.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述第一倒角部的曲率半径为5μm～60μm。

8.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述第二倒角部的曲率半径与所述第一倒角部的曲率半径之比大于1。

9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述第二倒角部的曲率半径与所述第一倒角部的曲率半径之比介于1～8之间。

10.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述第一倒角部的中心点与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：余伟铭，黄秀丽，赵春丞，于艳玲，张中英，蔡吉明，黄少华，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：