System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体装置制造方法及图纸_技高网

半导体装置制造方法及图纸

技术编号:40711824 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-22 11:13
本发明专利技术涉及半导体装置。第一半导体芯片与第一引线框相接,有第一晶体管,在与第一引线框相反侧的面具有第一栅极电极及第一源极电极。第一源极端子在第一方向的一侧与第一引线框排列。第一栅极端子在与第一方向相交的第二方向的一侧与第一源极端子排列。第一导电体经由导电体与第一源极电极相接且经由导电体与第一源极端子相接。第二引线框在第一方向的一侧。第二半导体芯片与第二引线框相接,有第二晶体管,在与第二引线框相反侧的面有第二栅极电极及第二源极电极。第二栅极端子在第二方向的一侧与第一栅极端子排列。第二源极端子在第二方向的一侧与第二栅极端子排列。第二导电体经由导电体与第二源极电极相接且经由导电体与第二源极端子相接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方式涉及半导体装置


技术介绍

1、已知一种包含半导体芯片、引线框以及将半导体芯片及引线框密封的树脂的半导体装置。


技术实现思路

1、一实施方式的半导体装置包含第一引线框、第一半导体芯片、第一源极端子、第一栅极端子、第一导电体、第二引线框、第二半导体、第二栅极端子、第二源极端子和第二导电体。

2、上述第一半导体芯片与上述第一引线框相接,包含第一晶体管,且在与上述第一引线框相反的一侧的面具有第一栅极电极及第一源极电极,上述第一栅极电极与上述第一晶体管的栅极连接,上述第一源极电极与上述第一晶体管的源极连接。上述第一源极端子在第一方向的一侧与上述第一引线框排列。上述第一栅极端子在与上述第一方向相交的第二方向的一侧与上述第一源极端子排列,并与上述第一栅极电极电连接。上述第一导电体经由导电体与上述第一源极电极相接并且经由导电体与上述第一源极端子相接。上述第二引线框位于上述第一方向的一侧。上述第二半导体芯片与上述第二引线框相接,包含第二晶体管,且在与上述第二引线框相反的一侧的面具有第二栅极电极及第二源极电极,上述第二栅极电极与上述第二晶体管的栅极连接,上述第二源极电极与上述第二晶体管的源极连接。上述第二栅极端子在上述第二方向的一侧与上述第一栅极端子排列,并与上述第二栅极电极电连接。上述第二源极端子在上述第二方向的一侧与上述第二栅极端子排列。上述第二导电体经由导电体与上述第二源极电极相接并且经由导电体与上述第二源极端子相接。

3、本实施方式想要提供使用便利性良好的半导体装置。

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【技术保护点】

1.一种半导体装置,其特征在于,具备:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,

8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置,其特征在于,具备:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,

【专利技术属性】
技术研发人员:田靡京东川义弘高木始
申请(专利权)人:株式会社东芝
类型:发明
国别省市:

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