一种射频微系统的电磁屏蔽三维互连结构及信号传输方法技术方案

本发明专利技术公开了一种射频微系统的电磁屏蔽三维互连结构及信号传输方法，包括基板三维互连结构、裸芯片三维互连结构、电磁屏蔽互连结构；基板三维互连结构包括上基板和下基板，上基板设置有定位孔和互连基座，裸芯片三维互连结构、电磁屏蔽互连结构均位于下基板上，其中电磁屏蔽互连结构包括垂直互连柱，在下基板上均匀排列构成连续区域，用于传输地信号和射频信号；各垂直互连柱分别插入相对应的互连基座，并使用导电胶固化实现互连；下基板上的垂直定位柱插入定位孔，实现上基板和下基板的定位。本发明专利技术所设计的结构有效解决了焊接过程中的短路问题，降低了工艺难度，提升了可靠性，适合工程上大范围推广。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及射频微系统，具体涉及一种射频微系统的电磁屏蔽三维互连结构，还涉及一种射频微系统的射频信号传输方法。

技术介绍

1、摩尔定律已接近物理极限，但未来电子信息系统将持续向更高集成度、更高性能、更高工作频率等方向发展，传统的集成封装技术逐渐难以满足新型系统集成要求。未来的技术发展趋势将是延续摩尔定律与超越摩尔定律结合起来，通过三维异质异构集成，实现更高价值的系统——微系统。微系统集成技术通过在微纳尺度上采用异质异构方法集成，是实现更高集成度、更高性能、更高工作频率需求的主要手段。

2、射频微系统集成技术作为系统微型化趋势下的先进集成封装技术，已经成为引领装备发展、推动电子技术创新的重大基础技术，是支撑电子信息装备在传感、通信领域能力变革的重要技术平台，同时也是当前电子信息技术研究的核心技术之一。

3、射频微系统主要针对5g通信、物联网等前沿领域内一体化射频前端、有源阵面等小型化、轻量化、多功能化的应用需求，以微电子、光电子、mems等电子元器件为基础，采用以微纳加工技术为代表的微系统异质异构集成工艺技术，结合架构、软件和算法，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种射频微系统的电磁屏蔽三维互连结构，其特征在于，包括基板三维互连结构、裸芯片三维互连结构、电磁屏蔽互连结构；

2.根据权利要求1所述的一种射频微系统的电磁屏蔽三维互连结构，其特征在于，裸芯片三维互连结构包括多个裸芯片(8)、键合指(7)，各裸芯片(8)上表面设置多个裸芯片PAD(9)，键合指(7)分别位于裸芯片(8)一侧，电磁屏蔽互连结构还包括三维互连微柱(10-2)，以连接不同裸芯片(8)上的裸芯片PAD(9)，以及连接裸芯片PAD(9)与键合指(7)。

3.根据权利要求1所述的一种射频微系统的电磁屏蔽三维互连结构，其特征在于，裸芯片三维互连结构包括多个裸...

【技术特征摘要】

1.一种射频微系统的电磁屏蔽三维互连结构，其特征在于，包括基板三维互连结构、裸芯片三维互连结构、电磁屏蔽互连结构；

2.根据权利要求1所述的一种射频微系统的电磁屏蔽三维互连结构，其特征在于，裸芯片三维互连结构包括多个裸芯片(8)、键合指(7)，各裸芯片(8)上表面设置多个裸芯片pad(9)，键合指(7)分别位于裸芯片(8)一侧，电磁屏蔽互连结构还包括三维互连微柱(10-2)，以连接不同裸芯片(8)上的裸芯片pad(9)，以及连接裸芯片pad(9)与键合指(7)。

3.根据权利要求1所述的一种射频微系统的电磁屏蔽三维互连结构，其特征在于，裸芯片三维互连结构包括多个裸芯片(8)、键合指(7)，各裸芯片(8)上表面设置多个裸芯片pad(9)，键合指(7)分别位于各裸芯片(8)两侧，电磁屏蔽互连结构还包括三维互连微柱(10-1)，以连接裸芯片(8)上的裸芯片pad(9)与裸芯片(8)两侧的键合指(7)。

4.根据权利要求1所述的一种射频微系统的电磁屏蔽三维互连结构，其特征在于，裸芯片三维互连结构包括多个裸芯片(8)，各裸芯片(8)上表面设置多个裸芯片pad(9)，电磁屏蔽互连结构还包括三维互连微柱(10-3)，以分别连接不同裸芯片(8)上的裸芯片pad(9)。

5.根据权利要求2-4任意一项所述的一种射频微系统的电磁屏蔽三维互连结构，其特征在于，所述电磁屏蔽三维互连结构为多个基板层叠的结构，各基板设置定位孔(3)，各基板的下表面设置互连基座...

【专利技术属性】
技术研发人员：张君直，杨进，刘梓枫，朱健，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：