阻垢合金及其制备方法以及由该阻垢合金制造的阻垢片技术

本申请涉及阻垢合金及其制备方法以及由该阻垢合金制造的阻垢片。阻垢合金包含以下组分：45wt％‑60wt％的Cu、15wt％‑25wt％的Zn、10wt％‑25wt％的Ni、3wt％‑10wt％的Sn、1wt％‑10wt％的Bi、0.05wt％‑1wt％的Fe、0.1wt％‑0.5wt％的Mn，其余为杂质，杂质的总含量≤0.1wt％。本申请的阻垢合金未添加Pb、Sb、As等毒害元素，健康环保；且未添加Ag、稀土等昂贵元素，成本较低。在阻垢合金中添加电负性较高且为游离态的Bi元素，利用其与Zn元素形成电势差激发出活化电流且Bi大大改善合金的切削加工性能。阻垢合金在加工成阻垢产品后能稳定释放70‑90μA的活化电流，阻垢率＞80％。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于合金，具体涉及阻垢合金及其制备方法以及由该阻垢合金制造的阻垢片。

技术介绍

1、水垢主要是水中的钙镁离子与碳酸根结合形成的沉淀物，目前市面上的阻垢或除垢方式大多数都是针对此过程，使用化学方法或物理方法使钙镁离子不与碳酸根反应，从而达到阻垢的效果。现有的一种阻垢合金，其由铜、镍、锌、锡等多种元素熔炼而成，在水流的冲刷下能自发释放自由电子，形成微电流，改变钙镁离子的电位差，使其失去成垢条件，以此实现阻垢。

2、目前阻垢合金的成分配方主要是以cu、ni、zn、sn的四元体系为主，另外添加pb、ag、al、fe、mn、sb等微量元素。

3、例如，专利申请cn106756219a公开了一种用于阻垢的铜镍钒触媒合金，成分为cu：55-60％，zn：16-18％，ni：10-14％，sn：3-3.5％，pb：10-12％，al：0.05-0.1％，sb：0.1-0.2％，mn：0.1-0.2％，v：0.4-0.6％。

4、另外，例如专利申请cn103805808a公开了一种用于阻垢的铜基触媒合金及其制备方法，该铜基触媒合金的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种阻垢合金，其特征在于，包含以下组分：45wt％-60wt％的Cu、15wt％-25wt％的Zn、10wt％-25wt％的Ni、3wt％-10wt％的Sn、1wt％-10wt％的Bi、0.05wt％-1wt％的Fe、0.1wt％-0.5wt％的Mn，其余为杂质，所述杂质的总含量≤0.1wt％。

2.根据权利要求1所述的阻垢合金，其中，

3.根据权利要求1-2中任一项所述的阻垢合金，其中，所述杂质包括≤0.09wt％的Pb，≤0.002wt％的Sb，≤0.002wt％的As，≤0.005wt％的S。

4.一种制备根据权利要求1-3中任一项所述的阻垢...

【技术特征摘要】

1.一种阻垢合金，其特征在于，包含以下组分：45wt％-60wt％的cu、15wt％-25wt％的zn、10wt％-25wt％的ni、3wt％-10wt％的sn、1wt％-10wt％的bi、0.05wt％-1wt％的fe、0.1wt％-0.5wt％的mn，其余为杂质，所述杂质的总含量≤0.1wt％。

2.根据权利要求1所述的阻垢合金，其中，

3.根据权利要求1-2中任一项所述的阻垢合金，其中，所述杂质包括≤0.09wt％的pb，≤0.002wt％的sb，≤0.002wt％的as，≤0.005wt％的s。

4.一种制备根据权利要求1-3中任一项所述的阻垢合金的方法，包括以下步骤：

5.根据权利要求6所述的方法，其中，在步骤(1)和步骤(2)中，所述铜锭的纯度≥99.90％。

6.根据权利要求6所述的方法，其中，在步骤(1)和步骤(3)中，所述cu-ni中间合金中ni元素的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林孝发，林孝山，姚劲毅，周年润，庄子栋，
申请(专利权)人：九牧厨卫股份有限公司，
类型：发明
国别省市：