【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的一个方式涉及一种晶体管、半导体装置及电子设备。另外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置的制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体晶片及模块。注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。除了晶体管等半导体元件之外，半导体电路、运算装置或存储装置也是半导体装置的一个方式。显示装置(液晶显示装置、发光显示装置等)、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、摄像装置、电子设备等有时包括半导体装置。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述。本说明书等所公开的专利技术的一个方式涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。
技术介绍
1、近年来，已对半导体装置进行开发，将其主要用于lsi、cpu及存储器。cpu是包括将半导体晶片加工为芯片的半导体集成电路(至少包括晶体管及存储器)且形成有作为连接端子的电极的半导体元件的集合体。
2、lsi、cpu及存储器等的半导体电路(ic芯片)安装在例如印刷线路板等电路板上，并被用作各种电子设备的部件之一。
3、此外，通过使用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜构成晶体管的技术受到注目。该晶体管被广泛地应用于集成电路(ic)及图像显示装置(也简单地记载为显示装置)等电子设备。作为可以应用于晶体管的半导体薄膜，硅类半导体材料被广泛地周知。作为其他材料，氧化
4、另外，已知使用氧化物半导体的晶体管的泄漏电流在非导通状态下极低。例如，专利文献1已公开了应用使用氧化物半导体的晶体管的泄漏电流低的特性的低功耗cpu等。另外，例如专利文献2已公开了利用使用氧化物半导体的晶体管的泄漏电流低的特性实现存储内容的长期保持的存储装置等。
5、用于晶体管的氧化物半导体中的杂质及缺陷影响到该晶体管的电特性。作为氧化物半导体中的缺陷之一可以举出氧空位。于是，用于晶体管的氧化物半导体中的氧空位越少越好。专利文献3及专利文献4公开了从设置在氧化物半导体的下方的绝缘体向该氧化物半导体供应氧来填补氧空位的方法。
6、近年来，随着电子设备的小型化和轻量化，对集成电路的进一步高密度化的要求提高。此外，有提高包含集成电路的半导体装置的生产率的需求。
7、[先行技术文献]
8、[专利文献]
9、[专利文献1]日本专利申请公开第2012-257187号公报
10、[专利文献2]日本专利申请公开第2011-151383号公报
11、[专利文献3]国际专利申请公开第2019/048983号
12、[专利文献4]国际专利申请公开第2019/123109号
技术实现思路
1、专利技术所要解决的技术问题
2、本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种电特性不均匀少的晶体管。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性优异的晶体管。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种具有优异电特性的晶体管。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖晶体管。
3、此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种晶体管的电特性不均匀小的半导体装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性优异的半导体装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种具有优异电特性的半导体装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种通态电流高的半导体装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种低功耗的半导体装置。
4、注意，这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。注意，本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。注意，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽出上述以外的目的。
5、解决技术问题的手段
6、本专利技术的一个方式是一种晶体管，包括：第一导电体；第一导电体上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体、第四绝缘体及第五绝缘体；第三绝缘体、第四绝缘体及第五绝缘体上的氧化物；氧化物上的第二导电体及第三导电体；第二导电体及第三导电体上的第六绝缘体；第六绝缘体上的第七绝缘体；氧化物上的第八绝缘体；第八绝缘体上的第九绝缘体；第九绝缘体上的第四导电体；以及第七绝缘体、第八绝缘体、第九绝缘体及第四导电体上的第十绝缘体。第六绝缘体具有与第一绝缘体的顶面、氧化物的侧面、第二导电体的侧面及顶面以及第三导电体的侧面及顶面接触的区域，第一导电体以与氧化物及第四导电体重叠的方式配置，第三绝缘体以与氧化物及第四导电体重叠的方式配置，第四绝缘体以与氧化物及第二导电体重叠的方式配置，第五绝缘体以与氧化物及第三导电体重叠的方式配置，第八绝缘体与第三绝缘体的侧面、氧化物的侧面及第七绝缘体的侧面接触，第八绝缘体具有其厚度比第九绝缘体薄的区域，并且，第三绝缘体的顶面的高度与第四绝缘体的顶面及第五绝缘体的顶面的高度一致或大致一致。
7、在上述晶体管中，优选的是，第四导电体的顶面的高度与第七绝缘体的顶面的高度一致或大致一致。
8、在上述晶体管中，优选的是，第四导电体的顶面的高度与第八绝缘体的最上部及第九绝缘体的最上部的高度一致或大致一致。
9、在上述晶体管中，优选的是，第八绝缘体包含铝及氧，并且第八绝缘体具有其厚度为1.0nm以上且3.0nm以下的区域。
10、在上述晶体管中，优选的是，第一绝缘体及第六绝缘体都包含硅及氮，第二绝缘体及第十绝缘体都包含铝及氧，并且第三绝缘体、第七绝缘体及第九绝缘体都包含硅及氧。
11、在上述晶体管中，优选的是，还包括第十绝缘体上的第十一绝缘体，其中第十一绝缘体与第一绝缘体的顶面、第六绝缘体的侧面、第七绝缘体的侧面、第十绝缘体的侧面及第十绝缘体的顶面接触，并且第十一绝缘体包含硅及氮。
12、本专利技术的一个方式是一种晶体管，包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体、第四绝缘体及第五绝缘体；第三绝缘体、第四绝缘体及第五绝缘体上的氧化物；氧化物上的第一导电体及第二导电体；第一导电体及第二导电体上的第六绝缘体；第六绝缘体上的第七绝缘体；氧化物上的第八绝缘体；第八绝缘体上的第三导电体；以及第七绝缘体、第八绝缘体及第三导电体上的第九绝缘体。第六绝缘体具有与第一绝缘体的顶面、氧化物的侧面、第一导电体的侧面及顶面以及第二导电体的侧面及顶面接触的区域，第三绝缘体以与氧化物及第三导电体重叠的方式配置，第四绝缘体以与氧化物及第一导电体重叠的方式配置，第五绝缘体以与氧化物及第二导电体重叠的方式配置，第八绝缘体与第三绝缘体的侧面、氧化物的侧面及第七绝缘体的侧面接触，并且，第三绝缘体的顶面的高度与第四绝缘体的顶面及第五绝缘体的顶面的高度一致或大致一致。
13、在上述晶体管中，优选的是，第三导本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶体管，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，
3.根据权利要求2所述的晶体管，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶体管，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶体管，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的晶体管，还包括所述第十绝缘体上的第十一绝缘体，
7.一种晶体管，包括：
8.根据权利要求7所述的晶体管，
9.根据权利要求8所述的晶体管，
10.根据权利要求7至9中任一项所述的晶体管，
11.根据权利要求7至10中任一项所述的晶体管，还包括所述第九绝缘体上的第十绝缘体，
12.根据权利要求1至11中任一项所述的晶体管，
13.根据权利要求1至12中任一项所述的晶体管，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种晶体管，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，
3.根据权利要求2所述的晶体管，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶体管，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶体管，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的晶体管，还包括所述第十绝缘体上的第十一绝缘体，
7.一种晶体管，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，国武宽司，奥野直树，神保安弘，大野敏和，大贯达也，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：
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