【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种金属膜层的返工方法。
技术介绍
1、在半导体制造工艺中，金属铝是常用的金属互连材料之一。以金属铝线为例，其形成步骤包括：在衬底上沉积包括铝膜在内的金属膜层，接着，在金属膜层上形成图形化的光刻胶层，再对金属膜层执行干法蚀刻工艺以形成金属铝线。然而，在沉积工艺后或光刻工艺后，由于一些异常状况导致金属膜层表面受损、金属成膜异常或金属膜层表面距离大量难以去除颗粒等现象，需要将金属膜层进行返工工艺，即先进行金属膜层剥离再进行金属膜层再生，但现有采用干法刻蚀工艺进行金属膜层剥离的工艺，使得返工后的良率较低，甚至出现报废的情况。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种金属膜层的返工方法，用以提高金属膜层的返工良率。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供的金属膜层的返工方法，包括：
3、提供一衬底，其上覆盖有待返工的金属膜层，所述金属膜层包括依次设置的第一阻挡层、铝膜层及第二阻挡层；
4、执行干法蚀刻工艺，去除所述第二阻挡层，以暴露所述铝膜层；
5、执行湿法蚀刻工艺，去除所述铝膜层，以暴露所述第一阻挡层；
6、执行研磨工艺，去除所述第一阻挡层及部分厚度的所述衬底，以暴露所述衬底表面。
7、可选的，所述衬底表面上覆盖有绝缘介质层，所述绝缘介质层中还形成有连接金属层。
8、可选的，所述第一阻挡层及所述第二阻挡层的材质均包括氮化钛。
9、可选的，还形成有抗反射层覆盖
10、可选的，执行所述干法蚀刻工艺的工艺气体包括氯基气体、碳氟气体及惰性气体，并在干法蚀刻至刻蚀终点时，继续去除部分厚度的所述铝膜层。
11、可选的，执行所述湿法蚀刻工艺时，所述铝膜层与所述第一阻挡层的刻蚀选择比大于或等于10:1。
12、可选的，所述研磨工艺包括化学机械研磨工艺，利用所述化学机械研磨工艺，去除所述第一阻挡层及部分厚度的所述绝缘介质层。
13、可选的，所述绝缘介质层的材质包括氧化硅，去除所述绝缘介质层的厚度小于或等于200埃。
14、可选的，所述待返工的金属膜层包括金属沉积工艺后的金属膜层、光刻显影工序后的金属膜层或金属刻蚀工艺中但未暴露所述衬底的金属膜层。
15、可选的，还包括在暴露的所述衬底表面重新形成所述金属膜层。
16、综上所述，本专利技术中，首先采用干法蚀刻工艺去除第二阻挡层，接着，采用湿法蚀刻工艺去除铝膜层，再采用研磨工艺去除第一阻挡层及部分厚度的衬底，以去除衬底表面上待返工的金属膜层。其中，利用干法蚀刻工艺中第二阻挡层相对其他膜层较低的刻蚀选择比，不仅可去除第二阻挡层，还可有效去除第二阻挡层上的其他膜层(例如抗反射层、光刻胶层)；利用湿法蚀刻工艺中铝膜层相对第一阻挡层较高的刻蚀选择比，不仅可使湿法蚀刻准确停止于第一阻挡层的表面，还可完全去除铝膜层，防止因铝膜层厚度及致密度波动引起的铝膜层残留；利用研磨工艺去除第一阻挡层及部分厚度的衬底，不仅可有效去除第一阻挡层，还可对衬底表面进行一定程度的修复。由此，采用本专利技术的返工方法，不仅可在较小影响或不影响衬底表面的情况，完整去除(剥离)金属膜层，暴露衬底的表面，还可在一并去除金属膜层上或金属膜层中的缺陷时，对衬底表面进行一定程度的修复，以利于后续在其表面上再生金属膜层。
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1.一种金属膜层的返工方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的金属膜层的返工方法，其特征在于，所述衬底表面上覆盖有绝缘介质层，所述绝缘介质层中还形成有连接金属层。
3.根据权利要求1所述的金属膜层的返工方法，其特征在于，所述第一阻挡层及所述第二阻挡层的材质均包括氮化钛。
4.根据权利要求3所述的金属膜层的返工方法，其特征在于，还形成有抗反射层覆盖所述第二阻挡层的表面。
5.根据权利要求3或4所述的金属膜层的返工方法，其特征在于，执行所述干法蚀刻工艺的工艺气体包括氯基气体、碳氟气体及惰性气体，并在干法蚀刻至刻蚀终点时，继续去除部分厚度的所述铝膜层。
6.根据权利要求1所述的金属膜层的返工方法，其特征在于，执行所述湿法蚀刻工艺时，所述铝膜层与所述第一阻挡层的刻蚀选择比大于或等于10:1。
7.根据权利要求2所述的金属膜层的返工方法，其特征在于，所述研磨工艺包括化学机械研磨工艺，利用所述化学机械研磨工艺，去除所述第一阻挡层及部分厚度的所述绝缘介质层。
8.根据权利要求2或7所述的金属膜层的返工
9.根据权利要求1所述的金属膜层的返工方法，其特征在于，所述待返工的金属膜层包括金属沉积工艺后的金属膜层、光刻显影工序后的金属膜层或金属刻蚀工艺中但未暴露所述衬底的金属膜层。
10.根据权利要求1所述的金属膜层的返工方法，其特征在于，还包括在暴露的所述衬底表面重新形成所述金属膜层。
...【技术特征摘要】
1.一种金属膜层的返工方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的金属膜层的返工方法，其特征在于，所述衬底表面上覆盖有绝缘介质层，所述绝缘介质层中还形成有连接金属层。
3.根据权利要求1所述的金属膜层的返工方法，其特征在于，所述第一阻挡层及所述第二阻挡层的材质均包括氮化钛。
4.根据权利要求3所述的金属膜层的返工方法，其特征在于，还形成有抗反射层覆盖所述第二阻挡层的表面。
5.根据权利要求3或4所述的金属膜层的返工方法，其特征在于，执行所述干法蚀刻工艺的工艺气体包括氯基气体、碳氟气体及惰性气体，并在干法蚀刻至刻蚀终点时，继续去除部分厚度的所述铝膜层。
6.根据权利要求1所述的金属膜层的返工方法，其特征在于，执行所述湿法蚀刻工...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐衡，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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