【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开大体涉及半导体装置组合件，且更特定来说涉及用于半导体装置组合件的堆叠裸片模块及制造堆叠裸片模块的方法。
技术介绍
1、半导体封装通常包含安装于封装衬底上且围封于保护罩中的一或多个半导体裸片(例如，存储器芯片、微处理器芯片、成像器芯片)。半导体裸片可包含功能特征(例如存储器胞元、处理器电路或成像器装置)，以及电连接到功能特征的接合垫。接合垫可电连接到封装衬底的对应导电结构，所述导电结构可耦合到保护罩外部的端子，使得半导体裸片可连接到较高层级的电路系统。
2、市场压力不断驱使半导体制造商减小半导体裸片封装的大小以配合于电子装置的空间约束内，同时还迫使其降低与制造封装相关联的成本。在一些封装中，两个或更多个半导体裸片互相堆叠以减小封装的占用面积。在一些情况下，半导体裸片通过一次形成一个的接合线可操作地连接到封装的其它组件，此需要较长产出时间。在其它情况下，半导体裸片可包含贯穿衬底通孔(tsv)以促进半导体裸片的堆叠。然而，tsv技术趋于增加制造商的成本。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种半导体裸片组合件，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体裸片组合件，其中所述介电结构包含延伸到半导体裸片的所述叠瓦式堆叠的覆盖区外部的外部部分，且其中所述外部部分包含至少部分填充有所述一或多个导电结构的导电材料的一或多个孔。
3.根据权利要求2所述的半导体裸片组合件，其中所述一或多个导电结构经配置以在所述一或多个孔的底部处与外部互连件耦合。
4.根据权利要求1所述的半导体裸片组合件，其中所述一或多个导电结构包含导电晶种材料及形成于所述导电晶种材料上的铜层。
5.根据权利要求1所述的半导体裸片组合件，其中所述一或多个导电结构顺应所述介电结构的对应表面轮廓。
6.根据权利要求1所述的半导体裸片组合件，其中所述介电结构包含聚酰亚胺、旋涂玻璃、四乙氧基硅烷(TEOS)、等离子体氧化物、氮氧化物及/或硅碳氮化物中的至少一者。
7.根据权利要求1所述的半导体裸片组合件，其中所述堆叠的最底部半导体裸片包含未被所述介电结构覆盖的侧。
8.一种方法，其包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述介电材料延伸到所述两个或更多个堆叠半导体裸片的覆盖区的外部区。
11.根据权利要求10所述的方法，其中在所述介电材料中形成所述开口包含：在所述外部区的所述介电材料中形成一或多个孔。
12.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述一或多个导电结构包含：用所述一或多个导电结构的导电材料至少部分填充所述一或多个孔。
13.根据权利要求8所述的方法，其中在所述介电材料上形成所述一或多个导电结构包含：在所述开口中沉积所述导电结构的晶种材料，使得所述晶种材料接触所述一或多个接合垫。
14.根据权利要求13所述的方法，其中在所述介电材料上形成所述一或多个导电结构包含：在所述晶种材料上选择性地形成铜层。
15.根据权利要求14所述的方法，其中在所述介电材料上形成所述一或多个导电结构包含：移除未被所述铜层覆盖的所述晶种材料。
16.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：
17.一种半导体裸片组合件，其包括：
18.根据权利要求17所述的半导体裸片组合件，其进一步包括：
19.根据权利要求17所述的半导体裸片组合件，其中所述存储器模块是第一存储器模块，且所述半导体裸片组合件进一步包括：
20.根据权利要求19所述的半导体裸片组合件，其进一步包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体裸片组合件，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体裸片组合件，其中所述介电结构包含延伸到半导体裸片的所述叠瓦式堆叠的覆盖区外部的外部部分，且其中所述外部部分包含至少部分填充有所述一或多个导电结构的导电材料的一或多个孔。
3.根据权利要求2所述的半导体裸片组合件，其中所述一或多个导电结构经配置以在所述一或多个孔的底部处与外部互连件耦合。
4.根据权利要求1所述的半导体裸片组合件，其中所述一或多个导电结构包含导电晶种材料及形成于所述导电晶种材料上的铜层。
5.根据权利要求1所述的半导体裸片组合件，其中所述一或多个导电结构顺应所述介电结构的对应表面轮廓。
6.根据权利要求1所述的半导体裸片组合件，其中所述介电结构包含聚酰亚胺、旋涂玻璃、四乙氧基硅烷(teos)、等离子体氧化物、氮氧化物及/或硅碳氮化物中的至少一者。
7.根据权利要求1所述的半导体裸片组合件，其中所述堆叠的最底部半导体裸片包含未被所述介电结构覆盖的侧。
8.一种方法，其包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中同时形成所述一或多个导电结构。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述介电材料延伸到所述两个或更多个堆叠半导体裸片...
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