【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于发光材料，尤其涉及一种超薄lu3-xal5o12:cex3+激光陶瓷片的制备方法。
技术介绍
1、发光二极管(led)白光主要是硅胶树脂混合荧光粉，通过蓝光的激发，产生绿光、黄光、红光，最后混合得到白光。但由于树脂的耐候性和热稳定性差，带来严重的光衰、光色偏移、黄化和老化问题。
2、传统封装用硅胶树脂导热系数小于0.2w11.k，导热系数小及热稳定性差，当光密度过高时，光产生的热量无法及时传导出去，进而导致胶材料黄化与劣化，其产品光密度最大只能承受200l11112。所以传统led封装产品，在激光照明领域无法应用。而透明氧化铝陶瓷和玻璃具有较高透光性和热稳定性，他们的热导系数在1～20w11.k之间，可以迅速将热量传导出去，从而降低自身的温度，两种材料可承受的光密度在1000l11112以上，将其制成发光陶瓷运用在激光照明领域具有更好的运用前景。
3、但是，陶瓷荧光片厚度对其散热性和透光性具有不可忽视的影响，陶瓷片越薄它的透光性能就会越好，散热就越快，最后出光的稳定性就会优于等厚度的光学陶瓷。
4、因此，需要一种能更好的解决传统led封装呈现的耐候性差、热稳定差、黄化劣化、光密度低等问题的材料。
技术实现思路
1、本专利技术针对上述现有技术存在的不足，提供一种物理化学稳定性好，发光效率高的固体超薄lu3-xal5o12:cex3+激光陶瓷片，以解决传统led封装呈现的耐候性差、热稳定差、黄化劣化、光密度低等问题；本专利技术的激光陶瓷
2、一种超薄lu3-xal5o12:cex3+激光陶瓷片的制备方法，x为0～1，包括如下步骤：
3、(1)将原料氧化镥、氧化铝和氧化铈均匀混合，经过冷等静压处理成型，再进行加压煅烧处理，合成的透明lu3-xal5o12:cex3+陶瓷柱；
4、(2)将步骤(1)合成的透明lu3-xal5o12:cex3+陶瓷柱进行退火处理；
5、(3)将步骤(2)退火后的lu3-xal5o12:cex3+陶瓷柱切割成150±8微米的陶瓷片，再进行减薄处理，使陶瓷片的厚度为100±1微米；
6、(4)将步骤(3)得到的陶瓷片进一步进行厚度减薄，磨量为50±1微米，得lu3-xal5o12:cex3+陶瓷薄片；
7、(5)将步骤(4)中的lu3-xal5o12:cex3+陶瓷薄片进行双面精抛光处理，即可得到所需的超薄lu3-xal5o12:cex3+激光陶瓷片。
8、本专利技术的超薄lu3-xal5o12:cex3+激光陶瓷片采用冷等静压成型、高压高温煅烧、退火、切割、打磨和抛光等工艺制备而成，所述陶瓷片具有厚度薄、透光性好、发光强度高、耐温性强、散热快和光密度高等优点，在大功率和激光照明领域具有更好的竞争优势。
9、进一步地，所述步骤(1)中，原料氧化镥、氧化铝和氧化铈的摩尔比为1.5-x:2.5:x。
10、进一步地，所述步骤(1)中，所述原料均匀混合后在冷等静压200-250兆帕成型，加压煅烧处理的压力为200-250公斤，温度为2000℃-2300℃，时间为48-50h。
11、本专利技术先将混合后的原材料冷等静压成型，可增加粉体间的反应活性，降低烧结温度；进行加压煅烧处理可降低反应温度，增加烧结后陶瓷片的致密性和透光性。
12、进一步地，所述步骤(2)中，所述透明lu3-xal5o12:cex3+陶瓷在1200℃-1250℃保温5-6小时进行的退火处理，所述退火处理的升温和降温速度为1℃1111。更好地除去透明lu3-xal5o12:cex3+陶瓷的应力。
13、进一步地，所述步骤(3)中，所述透明lu3-xal5o12:cex3+陶瓷采用金刚砂线切割机进行切割。
14、进一步地，所述步骤(4)的陶瓷片的一面用石蜡固定在粘料板上，采用数控单面减薄机进行厚度减薄，每次减薄量控制在1-3μ1，刀片转速控制在20000-60000r1111。
15、进一步地，所述步骤(5)中，所述精抛光处理后的光泽度大于等于90度。
16、本专利技术的有益效果为：
17、(1)本专利技术制备的超薄lu3-xal5o12:cex3+激光陶瓷片具有厚度薄、透光性好、发光强度高、耐温性强、散热快和光密度高等优点，在大功率和激光照明领域具有更好的竞争优势，解决了传统led封装产品带来的严重光衰、光色偏移、黄化和老化严重，同时光密度低的问题。
18、(2)本专利技术制备的超薄lu3-xal5o12:cex3+激光陶瓷片物理化学性能稳定，抗酸抗碱，在环境中不与水、氧气、二氧化碳反应，光密度大，耐热、无毒、无公害。
19、(3)本专利技术制备超薄lu3-xal5o12:cex3+激光陶瓷片的方法简单，容易操作，低成本，无污染、易于工业化生产。
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1.一种超薄Lu3-xAl5O12:Cex3+激光陶瓷片的制备方法，其特征在于，x为0～1，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的超薄Lu3-xAl5O12:Cex3+激光陶瓷片的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，原料氧化镥、氧化铝和氧化铈的摩尔比为1.5-x:2.5:x。
3.根据权利要求1所述的超薄Lu3-xAl5O12:Cex3+激光陶瓷片的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述原料均匀混合后在冷等静压200-250兆帕成型，加压煅烧处理的压力为200-250公斤，温度为2000℃-2300℃，时间为48-50h。
4.根据权利要求1所述的超薄Lu3-xAl5O12:Cex3+激光陶瓷片的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述透明Lu3-xAl5O12:Cex3+陶瓷柱在1200℃-1250℃保温5-6小时进行的退火处理，所述退火处理的升温和降温速度为1℃/min。
5.根据权利要求1所述的超薄Lu3-xAl5O12:Cex3+激光陶瓷片的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，所述透明Lu3-xAl5O1
6.根据权利要求1所述的超薄Lu3-xAl5O12:Cex3+激光陶瓷片的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)的陶瓷片的一面用石蜡固定在粘料板上，采用数控单面减薄机进行厚度减薄，每次减薄量控制在1-3μm，刀片转速控制在20000-60000r/min。
7.根据权利要求1所述的超薄Lu3-xAl5O12:Cex3+激光陶瓷片的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中，所述精抛光处理后的光泽度大于等于90度。
...【技术特征摘要】
1.一种超薄lu3-xal5o12:cex3+激光陶瓷片的制备方法，其特征在于，x为0～1，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的超薄lu3-xal5o12:cex3+激光陶瓷片的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，原料氧化镥、氧化铝和氧化铈的摩尔比为1.5-x:2.5:x。
3.根据权利要求1所述的超薄lu3-xal5o12:cex3+激光陶瓷片的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述原料均匀混合后在冷等静压200-250兆帕成型，加压煅烧处理的压力为200-250公斤，温度为2000℃-2300℃，时间为48-50h。
4.根据权利要求1所述的超薄lu3-xal5o12:cex3+激光陶瓷片的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述透明lu3-xal5o12:cex3+陶瓷柱...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘天用，邓华，毕研刚，刘铁钢，曾庆云，于香云，李亭，王珊珊，
申请(专利权)人：烟台希尔德材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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