【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及用于减少聚合物熔体进料中挥发物的工艺或方法。本专利技术还涉及用于从聚合物熔体进料中移去挥发物的脱挥发分装置。
技术介绍
1、在工业聚合期间，将单体、任选地伴随共聚单体和/或溶剂进料到聚合反应器。在聚合之后，最终聚合物产物可包含不期望的组分，例如未反应的单体、共聚单体或溶剂。可从聚合反应器中收取聚合物并进料到脱挥发分段(devolatilization section)，在那里可从聚合物中移去这些不期望的组分。例如，可通过真空蒸馏、闪蒸脱挥发分、汽提、增加聚合物表面积、或其组合来移去挥发物。如今的脱挥发分系统通常由两个步骤组成：第一步骤用于移去大部分的挥发物，和第二步骤用于微调挥发物的移去。
2、对于第二个步骤，可使聚合物通过喷嘴，所述喷嘴可为在容器中具有向下定向的多个小的穿孔(perforation)或孔(穴，洞，hole)的一个或多个流管的布置，用于排出呈股(束，strand)形式的熔融聚合物，其中喷嘴可包括各种形状，如在us 7,087,139 b1、us 7,754,849 b2、us 10,058,794 b2、或us 8,241,459 b2中所示例的。聚合物股为容器内聚合物的脱挥发分提供了增加的表面积。当股落在脱挥发分容器中时，可释放未反应的单体、共聚单体和/或溶剂，而聚合物股则收集在容器的底部。
3、然后可将脱挥发分的聚合物送至随后的聚合物加工步骤。鉴于脱挥发分的商业和监管重要性，对于改善的脱挥发分工艺和相关设备存在持续需要。
4、因此，本专利技术的目的是提供
技术实现思路
1、在第一方面，本专利技术提供在脱挥发分装置中减少聚合物熔体进料中挥发物的工艺，该工艺包括以下步骤：
2、-向脱挥发分喷嘴提供聚合物熔体进料；所述喷嘴包括：入口部分、包括集管(header)的聚合物分配部分、和包括多个孔(aperture)的出口部分，其中在温度t下将所述聚合物熔体进料提供给所述入口部分；
3、-使聚合物熔体进料通过所述孔，从而在脱挥发分容器中形成聚合物股；
4、-通过使聚合物股下落股下落高度到收集器中而将所述聚合物股收集在收集器中；从而获得收集器中的脱挥发分的聚合物和移去的挥发物；
5、-通过脱挥发分容器的气体出口收取挥发物；和
6、-通过收集器的聚合物出口从所述收集器收取所得脱挥发分的聚合物；
7、优选其特征在于
8、在温度t下的聚合物熔体粘度为至少100 000cp且至多5 000 000cp；
9、每个孔的平均通过量为至少5g/h且至多100g/h；
10、平均孔径为至少0.5mm且至多8.0mm；和，
11、股下落高度/平均孔径的比率为至少0.5m/mm至至多6.0m/mm。
12、在一些优选实施方式中，在温度t下的聚合物熔体粘度为至少200 000cp且至多2500 000cp，优选至少500 000cp且至多2 000 000cp；优选至少750 000cp且至多1 500000cp；最优选约1 000 000cp。
13、在一些优选实施方式中，每个孔的平均通过量为至少10g/h且至多75g/h；优选至少20g/h且至多50g/h；最优选约25g/h；其中通过将总通过量除以孔的数量来计算每个孔的平均通过量。
14、在一些优选实施方式中，喷嘴两端的压降为至少2.0巴且至多30.0巴；优选至少3.0巴且至多15.0巴；更优选至少4.0巴且至多10.0巴；最优选约6.0巴。
15、在一些优选实施方式中，聚合物温度为至少150℃且至多300℃；优选至少170℃且至多280℃；更优选至少190℃且至多260℃；最优选至少200℃且至多240℃。
16、在一些优选实施方式中，在喷嘴外部在脱挥发分容器中的压力为至少0.5毫巴绝对压力且至多500.0毫巴绝对压力；优选至少1.0毫巴绝对压力且至多200.0毫巴绝对压力；更优选至少1.2毫巴绝对压力且至多10.0毫巴绝对压力；最优选约1.5毫巴绝对压力。
17、在一些优选实施方式中，平均孔径为至少0.5mm且至多8.0mm；优选至少1.0mm且至多6.0mm；更优选至少1.5mm且至多4.0mm；最优选约2.0mm。
18、在一些优选实施方式中，股下落高度为至少1.0m且至多20.0m；优选至少2.0m且至多10.0m；更优选至少4.0m且至多8.0m；最优选约6.0m。
19、在一些优选实施方式中，在温度t下的聚合物粘度/平均孔径的比率为至少50000cp/mm至至多4 000 000cp/mm；优选至少60 000cp/mm至至多2 500 000cp/mm；优选至少80 000cp/mm至至多1 500 000cp/mm；优选至少150 000cp/mm至至多1 200 000cp/mm；优选至少200 000cp/mm至至多1 000 000cp/mm；优选至少400 000cp/mm至至多600 000cp/mm，优选约500 000cp/mm。
20、在一些优选实施方式中，股下落高度/平均孔径的比率为至少0.5m/mm至至多6.0m/mm；优选至少1.0m/mm至至多5.0m/mm；优选至少2.0m/mm至至多4.0m/mm；优选约3.0m/mm。
21、在一些优选实施方式中，在相邻孔之间的平均距离/平均孔径的比率为至少0.5至至多10.0；优选至少1.0至至多5.0；优选至少1.5至至多4.0；优选约2.0。
22、在一些优选实施方式中，每个孔的平均通过量/平均孔径的比率为至少2.0g/h/mm至至多50.0g/h/mm；优选至少5.0g/h/mm至至多30.0g/h/mm；优选至少10.0g/h/mm至至多15.0g/h/mm。
23、在一些优选实施方式中，聚合物熔体进料包括聚苯乙烯或聚乳酸。
24、在第二方面，本专利技术提供用于从聚合物熔体进料中移去挥发物的脱挥发分装置，所述装置布置成执行根据第一方面所述的工艺及其实施方式。
25、更具体地，本专利技术提供用于从聚合物熔体进料中移去挥发物的脱挥发分装置，该装置包括：
26、-包括如下的脱挥发分喷嘴：入口部分、包括集管的聚合物分配部分和包括多个孔的出口部分，配置成在脱挥发分容器中形成聚合物股；
27、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.用于在脱挥发分装置中减少聚合物熔体进料中挥发物的工艺，该工艺包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的工艺，其中在温度T下的所述聚合物熔体粘度为至少200000cP且至多2 500 000cP，优选至少500 000cP且至多2 000 000cP；优选至少750 000cP且至多1 500 000cP；最优选1 000 000cP。
3.根据前述权利要求任一项所述的工艺，其中每个孔的平均通过量为至少10g/h且至多75g/h；优选至少20g/h且至多50g/h；最优选25g/h；其中通过将总通过量除以孔的数量来计算每个孔的平均通过量。
4.根据前述权利要求任一项所述的工艺，其中喷嘴两端的压降为至少2.0巴且至多30.0巴；优选至少3.0巴且至多15.0巴；更优选至少4.0巴且至多10.0巴；最优选6.0巴。
5.根据前述权利要求任一项所述的工艺，其中聚合物温度为至少150℃且至多300℃；优选至少170℃且至多280℃；更优选至少190℃且至多260℃；最优选至少200℃且至多240℃。
6.根据前述权利要求任一项所
7.根据前述权利要求任一项所述的工艺，其中平均孔径为至少1.0mm且至多6.0mm；更优选至少1.5mm且至多4.0mm；最优选2.0mm。
8.根据前述权利要求任一项所述的工艺，其中股下落高度为至少1.0m且至多20.0m；优选至少2.0m且至多10.0m；更优选至少4.0m且至多8.0m；最优选6.0m。
9.根据前述权利要求任一项所述的工艺，其中在温度T下的聚合物粘度/平均孔径的比率为至少50 000cp/mm至至多4 000 000cp/mm；优选至少60 000cp/mm至至多2 500 000cp/mm；优选至少80 000cp/mm至至多1 500000cp/mm；优选至少150 000cp/mm至至多1 200000cp/mm；优选至少200000cp/mm至至多1 000 000cp/mm；优选至少400 000cp/mm至至多600 000cp/mm；优选500 000cp/mm。
10.根据前述权利要求任一项所述的工艺，其中股下落高度/平均孔径的比率为至少1.0m/mm至至多5.0m/mm；优选至少2.0m/mm至至多4.0m/mm；优选3.0m/mm。
11.根据前述权利要求任一项所述的工艺，其中相邻孔之间的平均距离/平均孔径的比率为至少0.5至至多10.0；优选至少1.0至至多5.0；优选至少1.5至至多4.0；优选2.0。
12.根据前述权利要求任一项所述的工艺，其中每个孔的平均通过量/平均孔径的比率为至少2.0g/h/mm至至多50.0g/h/mm；优选至少5.0g/h/mm至至多30.0g/h/mm；优选至少10.0g/h/mm至至多15.0g/h/mm。
13.根据前述权利要求任一项所述的工艺，其中所述聚合物熔体进料包括聚苯乙烯或聚乳酸。
14.用于从聚合物熔体进料中移去挥发物的脱挥发分装置，该装置优选配置成执行根据权利要求1至13任一项所述的工艺；和其中所述装置包括
15.脱挥发分的聚合物，其通过根据权利要求1至13任一项所述的工艺获得，所述脱挥发分的聚合物优选在出口处包含至多3 000ppm的挥发物的残余物浓度。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.用于在脱挥发分装置中减少聚合物熔体进料中挥发物的工艺，该工艺包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的工艺，其中在温度t下的所述聚合物熔体粘度为至少200000cp且至多2 500 000cp，优选至少500 000cp且至多2 000 000cp；优选至少750 000cp且至多1 500 000cp；最优选1 000 000cp。
3.根据前述权利要求任一项所述的工艺，其中每个孔的平均通过量为至少10g/h且至多75g/h；优选至少20g/h且至多50g/h；最优选25g/h；其中通过将总通过量除以孔的数量来计算每个孔的平均通过量。
4.根据前述权利要求任一项所述的工艺，其中喷嘴两端的压降为至少2.0巴且至多30.0巴；优选至少3.0巴且至多15.0巴；更优选至少4.0巴且至多10.0巴；最优选6.0巴。
5.根据前述权利要求任一项所述的工艺，其中聚合物温度为至少150℃且至多300℃；优选至少170℃且至多280℃；更优选至少190℃且至多260℃；最优选至少200℃且至多240℃。
6.根据前述权利要求任一项所述的工艺，其中在喷嘴外部在脱挥发分容器中的压力为至少0.5毫巴绝对压力且至多500.0毫巴绝对压力；优选至少1.0毫巴绝对压力且至多200.0毫巴绝对压力；更优选至少1.2毫巴绝对压力且至多10.0毫巴绝对压力；最优选1.5毫巴绝对压力。
7.根据前述权利要求任一项所述的工艺，其中平均孔径为至少1.0mm且至多6.0mm；更优选至少1.5mm且至多4.0mm；最优选2.0mm。
8.根据前述权利要求任一项所述的工艺，其中股下落高度为至少1.0m且至多20.0m；优选至少2.0m且至多10.0m；更优选至少4.0m且至多8.0m；最优选6....
【专利技术属性】
技术研发人员：S·埃翁，
申请(专利权)人：道达尔能源一技术比利时公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。