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ET探测器闪烁体及其制备方法和应用技术

技术编号:40678731 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-18 19:17
本发明专利技术公开了一种ET探测器闪烁体及其制备方法和应用,其中,ET探测器闪烁体的制备方法包括:向去离子水中加入摩尔比为(2.8‑3.2):(0.01‑0.012):(0.25‑0.35)的荧光粉、硝酸锶与硅酸钠充分搅拌混合均匀得到荧光溶液;将所述荧光溶液用1800‑2200目的筛网进行过滤筛分得到荧光过滤液;取一预裁完成的ITO玻璃基底置于盛有所述荧光过滤液的培养皿中并保持水平后,再将培养皿置于通电的平行电极板中,待所述荧光过滤液沉积在所述ITO玻璃基底上形成荧光层得到闪烁体坯料;移出所述荧光过滤液的上清液,将所述闪烁体坯料放入烘箱中于75‑85℃温度条件下干燥1.5‑2.5h后得到闪烁体。本发明专利技术的闪烁体拍摄效果好、荧光层薄且致密均匀、不易脱落、不飞粉,且制备工艺简单,成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及闪烁体材料,尤其是涉及一种et探测器闪烁体及其制备方法和应用。


技术介绍

1、扫描电子显微镜(sem)是一种通过聚焦电子束扫描样品表面来激发信号从而获得样品信息的电子显微镜,通常用于各种材料的微观形貌分析与成分分析。扫描电子显微镜主要由电子光学系统、真空系统和信号探测系统三大部分组成,信号探测系统中尤为重要的便是二次电子探测器。二次电子探测器的主要测试原理如下:当高能电子束轰击样品表面激发出二次电子信号时,由栅极电压收集二次电子并被闪烁体高压加速,此时,二次电子探测器中的闪烁体把二次电子转换成光子,光子穿过光导管进入光电倍增管后,又经过光电效应转换成电的信号,再经放大系统和处理系统,最后在荧光屏上得到一个反映样品表面形貌的二次电子像。由此可知,闪烁体是二次电子探测器的重要部件,决定了扫描电镜图像的质量。

2、公告号为cn103805161b的中国专利技术专利公开了一种二次电子探测器闪烁体的制备方法,其公开了如下步骤:在去离子水中加入荧光粉、硝酸锶、硅酸钾,其摩尔比为2.5-3.5:0.008-0.012:0.2-04,所述荧光粉为p47、p15、p46荧光粉中的一种或多种混合物;将荧光粉溶液过筛,取玻璃片放置在荧光粉溶液中,沉淀后分为荧光粉层和上清液;将上清液移出,涂荧光粉层的玻璃片经自然晾干后再在70-80℃下干燥即得。

3、但通过该方法得到的闪烁体荧光粉层较厚且不均匀,使用过程会存在飞粉现象,易造成真空腔室污染,造成拍摄的图像暗且信噪比较差。


技术实现思路b>

1、为了克服现有技术的不足,本专利技术的目的之一在于提供一种et探测器闪烁体及其制备方法和应用,具有荧光粉层薄且致密、不易脱落的优点。

2、本专利技术的目的采用如下技术方案实现:

3、根据本公开实施例的第一方面,提供一种et探测器闪烁体,包括:基底、以及粘黏在基底上的荧光层,所述荧光层包括荧光粉、硝酸锶与硅酸钠,其中,荧光粉:硝酸锶:硅酸钠的摩尔比为(2.8-3.2):(0.01-0.012):(0.25-0.35)。

4、在一些示例性的实施方式中,所述基底为k9玻璃基底、有机玻璃基底或者ito玻璃基底。

5、在一些示例性的实施方式中,所述荧光粉为p47荧光粉、p15荧光粉和p46荧光粉中的一种或多种混合物。

6、在一些示例性的实施方式中,所述荧光粉:硝酸锶:硅酸钠的摩尔比为3:0.01:0.3。

7、根据本公开实施例的第二方面,提供一种et探测器闪烁体的制备方法,包括:

8、向去离子水中加入荧光粉、硝酸锶与硅酸钠充分搅拌混合均匀得到荧光溶液,其中,荧光粉:硝酸锶:硅酸钠的摩尔比为(2.8-3.2):(0.01-0.012):(0.25-0.35);

9、将所述荧光溶液用1800-2200目的筛网进行过滤筛分得到荧光过滤液;

10、取一预裁完成的ito玻璃基底置于盛有所述荧光过滤液的培养皿中并保持水平后,再将培养皿置于通电的平行电极板中,待所述荧光过滤液沉积在所述ito玻璃基底上形成荧光层得到闪烁体坯料;

11、移出所述荧光过滤液的上清液,将所述闪烁体坯料放入烘箱中于75-85℃温度条件下干燥1.5-2.5h后得到闪烁体。

12、在一些示例性的实施方式中,所述向去离子水中加入荧光粉、硝酸锶与硅酸钠充分搅拌混合均匀得到荧光溶液具体包括:

13、取相应比例的荧光粉、硝酸锶与硅酸钠加入去离子水中形成混合液;

14、对所述混合液进行机械搅拌持续10-20min得到搅拌混合液;

15、对所述搅拌混合液进行超声搅拌持续10-20min得到荧光溶液。

16、在一些示例性的实施方式中,配置混合液时,先在去离子水中加入荧光粉,待荧光粉完全分散在去离子水中后再添加硝酸锶和硅酸钠。

17、在一些示例性的实施方式中,所述平行电极板的高度设置为3-3.5cm,平行电极板间的电压设置为24v。

18、在一些示例性的实施方式中,所述将所述闪烁体坯料放入烘箱中于75-85℃温度条件下干燥1.5-2.5h后得到闪烁体之前还包括:

19、将所述闪烁体坯料自然晾干。

20、根据本公开实施例的第三方面,提供上述第一方面所述的et探测器闪烁体或上述第二方面所述的et探测器闪烁体的制备方法制备的闪烁体在扫描电子显微镜中的应用。

21、综上所述,相比现有技术,本专利技术具有如下有益效果:

22、本专利技术实施例通过提供一种et探测器闪烁体及其制备方法和应用,其中,et探测器闪烁体的制备方法包括:向去离子水中加入荧光粉、硝酸锶与硅酸钠充分搅拌混合均匀得到荧光溶液,其中,荧光粉:硝酸锶:硅酸钠的摩尔比为(2.8-3.2):(0.01-0.012):(0.25-0.35);将所述荧光溶液用1800-2200目的筛网进行过滤筛分得到荧光过滤液;取一预裁完成的ito玻璃基底置于盛有所述荧光过滤液的培养皿中并保持水平后,再将培养皿置于通电的平行电极板中,待所述荧光过滤液沉积在所述ito玻璃基底上形成荧光层得到闪烁体坯料;移出所述荧光过滤液的上清液,将所述闪烁体坯料放入烘箱中于75-85℃温度条件下干燥1.5-2.5h后得到闪烁体。通过配置合适浓度配比的溶液,使得最终沉积在基底表面的荧光粉足够薄的同时不会造成基底的裸露,通过机械搅拌和超声搅拌混合搅拌的方式使得荧光粉颗粒能够均匀分散在溶液中,提高了荧光层的均匀性;而将荧光溶液置于电场方向向下的匀强电场中沉积,由于分散的荧光粉微粒在溶液中呈负电性,施加方向向下的匀强电场可以加速荧光粉分级,并减少沉积时颗粒在基底表面聚堆,使得最终成型的荧光层更加致密;同时选择高透光性的ito导电玻璃做基底,荧光层沉积在导电面,使用时打在荧光层表面的电荷可通过导电面导出,从而可以避免产生电荷效应而影响成像质量。本专利技术的闪烁体拍摄效果好、荧光层薄且致密均匀、不易脱落、不飞粉,且制备工艺简单,成本更低。

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【技术保护点】

1.一种ET探测器闪烁体,其特征在于,包括:基底、以及粘黏在基底上的荧光层,所述荧光层包括荧光粉、硝酸锶与硅酸钠,其中,荧光粉:硝酸锶:硅酸钠的摩尔比为(2.8-3.2):(0.01-0.012):(0.25-0.35)。

2.根据权利要求1所述的ET探测器闪烁体,其特征在于,所述基底为K9玻璃基底、有机玻璃基底或者ITO玻璃基底。

3.根据权利要求1所述的ET探测器闪烁体,其特征在于,所述荧光粉为P47荧光粉、P15荧光粉和P46荧光粉中的一种或多种混合物。

4.根据权利要求1所述的ET探测器闪烁体,其特征在于,所述荧光粉:硝酸锶:硅酸钠的摩尔比为3:0.01:0.3。

5.一种ET探测器闪烁体的制备方法,其特征在于,包括:

6.根据权利要求5所述的ET探测器闪烁体的制备方法,其特征在于,所述向去离子水中加入荧光粉、硝酸锶与硅酸钠充分搅拌混合均匀得到荧光溶液具体包括:

7.根据权利要求6所述的ET探测器闪烁体的制备方法,其特征在于,配置混合液时,先在去离子水中加入荧光粉,待荧光粉完全分散在去离子水中后再添加硝酸锶和硅酸钠。

8.根据权利要求5所述的ET探测器闪烁体的制备方法,其特征在于,所述平行电极板的高度设置为3-3.5cm,平行电极板间的电压设置为24V。

9.根据权利要求5所述的ET探测器闪烁体的制备方法,其特征在于,所述将所述闪烁体坯料放入烘箱中于75-85℃温度条件下干燥1.5-2.5h后得到闪烁体之前还包括:

10.如将权利要求1-4中任一项所述的ET探测器闪烁体或如权利要求5-9中任一项所述的ET探测器闪烁体的制备方法制备的闪烁体在扫描电子显微镜中的应用。

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【技术特征摘要】

1.一种et探测器闪烁体,其特征在于,包括:基底、以及粘黏在基底上的荧光层,所述荧光层包括荧光粉、硝酸锶与硅酸钠,其中,荧光粉:硝酸锶:硅酸钠的摩尔比为(2.8-3.2):(0.01-0.012):(0.25-0.35)。

2.根据权利要求1所述的et探测器闪烁体,其特征在于,所述基底为k9玻璃基底、有机玻璃基底或者ito玻璃基底。

3.根据权利要求1所述的et探测器闪烁体,其特征在于,所述荧光粉为p47荧光粉、p15荧光粉和p46荧光粉中的一种或多种混合物。

4.根据权利要求1所述的et探测器闪烁体,其特征在于,所述荧光粉:硝酸锶:硅酸钠的摩尔比为3:0.01:0.3。

5.一种et探测器闪烁体的制备方法,其特征在于,包括:

6.根据权利要求5所述的et探测器闪烁体的制备方法,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:顾江丽贾晨马刚郭健尉东光
申请(专利权)人:屹东光学技术苏州有限公司
类型:发明
国别省市:

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