【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置的制造工序中使用的晶圆加工用粘着胶带，特别是涉及用于获得带芯片接合膜(粘接剂层)的半导体芯片的可膨胀的晶圆加工用粘着胶带。
技术介绍
1、在ic等半导体装置的制造工序中，为了获得伴随有芯片接合用的相当于芯片尺寸的粘接膜的半导体芯片，有时使用包括基材和粘着剂层的切割胶带与芯片接合膜(以下，有时称为“粘接剂层”或“粘接膜”)一体化后的切割芯片接合膜。
2、上述切割芯片接合膜是在切割胶带的粘着剂层上可剥离地设置有芯片接合膜(以下，有时称为“粘接膜”或“粘接剂层”)而成的。具体而言，半导体装置的制造中，例如，用于在切割芯片接合膜的芯片接合膜上贴附、配置半导体晶圆，将半导体晶圆与芯片接合膜一同切割，获得一个个的带粘接膜的半导体芯片。之后，将半导体芯片和芯片接合膜一起从切割胶带的粘着剂层剥离(拾取)而作为带芯片接合膜的半导体芯片，借由芯片接合膜而使半导体芯片粘固在引线框、配线基板或者另外的半导体芯片等被粘物上。
3、上述切割芯片接合膜从提高生产率的观点出发是适宜使用的，作为使用切割芯片接合膜来获得带芯片接合膜的半导体芯片的方法，近年来，代替以往的利用高速旋转的切割刀的全切割切断方法，作为能抑制由将薄膜化的半导体晶圆单片化成芯片时的缺损(chipping)、粘接剂层的切削屑所造成的拾取不良的方法，已提出(1)利用dbg(dicingbefore grinding，研磨前切割)的方法、(2)利用隐形切割(注册商标)的方法等。
4、上述(1)的利用dbg的方法中，首先，使用切割刀，不将半
5、上述(2)的利用隐形切割的方法中，首先，将通过背面磨削而薄膜化成预定厚度的半导体晶圆粘贴于切割芯片接合膜，对半导体晶圆内部照射激光而选择性地形成改性区域(改性层)并同时形成切割预定线。之后，通过将切割胶带冷膨胀，从而使龟裂从改性区域沿与半导体晶圆垂直地延展，使该半导体晶圆沿着上述切割预定线与在低温下被脆性化的芯片接合膜一同被割开成一个个。最后，通过拾取，从切割胶带的粘着剂层剥离，能够获得一个个的带芯片接合膜的半导体芯片。此时，为了确实地割开带芯片接合膜的半导体晶圆，对切割胶带要求足以进行割开的应力以及均匀且各向同性的扩张性，至今已有各种提案。
6、例如，专利文献1中，以提供在使用热固化型表面保护胶带时的加热处理中不会过度软化，并且在割断粘接剂层的膨胀工序中能使用的具有均匀且各向同性的扩张性的晶圆加工用胶带为目的，公开了一种基材膜，其包括具有最下层和所述最下层以外的其他层的2层以上的多个层，所述最下层由jis k 7206规定的维卡软化点为80℃以上的热塑性树脂形成，所述其他层由jis k 7206规定的维卡软化点为50℃以上且小于80℃的热塑性树脂形成。
7、另外，上述(1)的利用dbg的方法中，代替通过切割刀在半导体晶圆表面形成割断(割开)槽，而通过隐形切割在半导体晶圆内部选择性设置改性区域后，通过进行背面磨削而将半导体晶圆薄膜化至预定厚度，能够获得带芯片接合膜的半导体晶圆的分割体或能单片化的带芯片接合膜的半导体晶圆。这是称为sdbg(stealth dicing before griding，研磨前隐形切割)的方法。
8、然而，为了适当地拾取上述的带芯片接合膜的半导体芯片，通常，作为其前工序，以扩大上述冷膨胀工序中被割开的相邻的一个个带芯片接合膜的半导体芯片间的间隔(以下，有时称为“切口宽度”)为目的，实施在常温附近使切割胶带膨胀(以下，有时称为“常温膨胀”)的工序。该工序中，在将设置于切割胶带下方的扩张台上推时，在膨胀(扩张)台的边缘部施加于切割胶带的应力会成为比扩张台的中心部大的应力。因此，在常温膨胀后使扩张台下降来解除膨胀状态时，在切割胶带的外周部产生对应于扩张台边缘部的松弛。这样的松弛会使被分割的半导体芯片的间隔变得不均匀或变窄，成为拾取工序中的产品不良的原因。具体而言，在拾取工序中，有时无法从切割胶带的粘着剂层适当地拾取带芯片接合膜的半导体芯片，例如，在拾取半导体芯片时，在该芯片和与其相邻的芯片中，有时会产生因芯片间接触造成的损伤、因粘接剂层彼此的接触造成的再粘连等，拾取成品率降低。
9、作为消除这样的切割胶带的松弛的手段，已知有：对于切割胶带的外周部的松弛部分，例如通过以该部分的表面温度成为约80℃的方式吹送热风来加热松弛的部分，从而使其收缩并恢复成初始状态的热收缩工序(以下，有时称为“加热收缩工序”)。为了适当地实施该工序，切割胶带需要在80℃左右的温度下具有高热收缩性。通过该适当的热收缩工序，比切割胶带的外周部更靠内侧的区域(贴附有半导体晶圆的区域)会达到预定程度的张力发挥作用的紧张状态。其结果是，能够在扩大了一个个半导体芯片间的间隔(切口宽度)的状态下进行固定保持，因而能够从切割胶带的粘着剂层适当地拾取被割开的一个个带芯片接合膜的半导体芯片。
10、例如，专利文献2中，以提供能应对因拉伸率的增大而造成的芯片间隔的扩张，能通过吹送热风而充分除去因膨胀而产生的下垂，在拾取结束后的晶盒收纳时不会产生收纳错误的半导体晶圆固定用粘着胶带为目的，公开了一种在基材膜上具有粘着剂层而成的半导体晶圆固定用粘着胶带，所述基材膜具有至少1层的包含融点为60～80℃的离聚物树脂的层而成。
11、另外，专利文献3中，以提供具有适于通过膨胀来割断粘接剂层的工序的均匀扩张性，且在加热收缩工序中显示充分的收缩性，在加热收缩工序后不会引起因松弛造成的不良情况的晶圆加工用胶带为目的，公开了一种由热塑性交联树脂形成的基材膜，所述热塑性交联树脂的jis k 7206规定的维卡软化点为50℃以上且小于90℃，因热收缩而产生的应力的增大为9mpa以上。
12、现有技术文献
13、专利文献
14、专利文献1：日本特开2009-231700
15、专利文献2：日本特开平9-7976
16、专利文献3：日本特开2011-216508
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、专利文献1中的晶圆加工用胶带由于使用具有由维卡软化点为80℃以上的热塑性树脂形成的最下层的基材膜，因此不会产生对于卡盘工作台(本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶圆加工用粘着胶带，其是在通过膨胀而沿着芯片割断粘接剂层时使用的能膨胀的晶圆加工用粘着胶带，其具有基材膜和设于所述基材膜上的粘着剂层，
2.根据权利要求1所述的晶圆加工用粘着胶带，
3.根据权利要求1或2所述的晶圆加工用粘着胶带，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的晶圆加工用粘着胶带，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的晶圆加工用粘着胶带，
6.一种晶圆加工用粘着胶带，具有可剥离地设置在权利要求1～5中任一项所述的晶圆加工用粘着胶带的粘着剂层上的粘接剂层。
7.根据权利要求6所述的晶圆加工用粘着胶带，
8.根据权利要求6或7所述的晶圆加工用粘着胶带，
9.根据权利要求8所述的晶圆加工用粘着胶带，
10.半导体芯片或半导体装置的制造方法，该方法使用权利要求1～9中任一项所述的晶圆加工用粘着胶带。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种晶圆加工用粘着胶带，其是在通过膨胀而沿着芯片割断粘接剂层时使用的能膨胀的晶圆加工用粘着胶带，其具有基材膜和设于所述基材膜上的粘着剂层，
2.根据权利要求1所述的晶圆加工用粘着胶带，
3.根据权利要求1或2所述的晶圆加工用粘着胶带，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的晶圆加工用粘着胶带，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的晶圆加工用粘着胶带，
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