【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏，特别是涉及一种太阳电池及其制备方法。
技术介绍
1、在太阳电池的制备过程中，掺杂层的图案化一般采用激光开槽后再通过湿法刻蚀来实现。传统的激光开槽过程中，激光作用于掺杂多晶硅层会导致接触部位局部的掺杂浓度升高，该较高掺杂浓度的掺杂多晶硅区域会导致对掺杂多晶硅进行湿法刻蚀的难度较大，影响后续的湿法刻蚀的效果，进而导致对掺杂多晶硅的刻蚀效果较差。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种太阳电池及其制备方法。本申请中的太阳电池的制备方法能够减少在激光开槽的过程中局部高掺杂区域的形成，降低对后续湿法刻蚀的影响，进而得到刻蚀效果较好的掺杂多晶硅。
2、第一方面，本申请提供一种太阳电池的制备方法，包括：
3、于衬底的表面上制备依次层叠设置的第一掺杂硅材料层、第一本征硅材料层以及第一保护层；
4、于所述第一保护层上通过激光形成凹槽，所述凹槽仅贯穿所述第一保护层，或者，所述凹槽贯穿所述第一保护层且部分贯穿所述第一本征硅材料层；
5、湿法刻蚀去除所述凹槽处的所述第一掺杂硅材料层；
6、退火使得所述第一掺杂硅材料层和所述第一本征硅材料层转化为第一掺杂多晶硅层。
7、在一些实施例中，所述退火的温度为850℃~950℃。
8、在一些实施例中，所述第一掺杂多晶硅层的掺杂浓度为8×1019cm-3~1×1020cm-3。
9、在一些实施例中，所述第一掺杂硅材料层的厚度为50nm~100nm。
...【技术保护点】
1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述退火的温度为850℃~950℃。
3.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂多晶硅层的掺杂浓度为8×1019cm-3~1×1020cm-3。
4.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂硅材料层的厚度为50nm~100nm；和/或，
5.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，于衬底的表面上制备依次层叠设置的第一掺杂硅材料层、第一本征硅材料层以及第一保护层包括：
6.根据权利要求5所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，于所述衬底的表面上制备第二本征硅材料层包括：
7.根据权利要求6所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一隧穿氧化层的厚度为1nm~3nm；和/或，
8.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂硅材料层的掺杂元素包括硼元素。
9.根据权利要求1~8任一项所述的太阳电池的制备方法
10.根据权利要求9所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，湿法刻蚀去除所述凹槽处的所述第一掺杂硅材料层包括：使得所述凹槽部分贯穿所述衬底；
11.根据权利要求10所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，使得所述凹槽部分贯穿所述衬底包括：使得所述凹槽的槽底与所述衬底设置有所述第一掺杂硅材料层的表面之间的高度差为2μm~4μm。
12.根据权利要求9所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，于所述凹槽的槽底制备第二掺杂硅材料层包括：于所述凹槽的槽底制备依次层叠设置的第二隧穿氧化层和第二掺杂硅材料层。
13.根据权利要求12所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第二隧穿氧化层的厚度为1nm~3nm；和/或，
14.一种太阳电池，其特征在于，通过权利要求1~13任一所述的太阳电池的制备方法制备得到。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述退火的温度为850℃~950℃。
3.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂多晶硅层的掺杂浓度为8×1019cm-3~1×1020cm-3。
4.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂硅材料层的厚度为50nm~100nm；和/或，
5.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，于衬底的表面上制备依次层叠设置的第一掺杂硅材料层、第一本征硅材料层以及第一保护层包括：
6.根据权利要求5所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，于所述衬底的表面上制备第二本征硅材料层包括：
7.根据权利要求6所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一隧穿氧化层的厚度为1nm~3nm；和/或，
8.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂硅材料...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓明璋，孟夏杰，邢国强，
申请(专利权)人：通威太阳能成都有限公司，
类型：发明
国别省市：
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