System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 分组存储器裸片的选择性存取制造技术_技高网

分组存储器裸片的选择性存取制造技术

技术编号:40672039 阅读:3 留言:0更新日期:2024-03-18 19:08
描述用于分组存储器裸片的选择性存取的方法、系统及装置。存储器装置可经配置有共享相同通道的一群组存储器裸片的选择裸片存取协议。所述协议可由来自主机装置的一或多个命令启用,所述命令可经由所述通道传达到所述群组的所述存储器裸片中的每一者。所述命令可指示可针对其启用一组命令的所述群组的第一组一或多个存储器裸片且还可指示针对其停用所述一组命令的至少一子集的所述群组的第二组一或多个存储器裸片。当选择裸片存取模式启用时,可限制所述停用存储器裸片执行经由所述通道接收的命令的所述子集。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍

1、存储器装置广泛用于在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者的各种电子装置中存储信息。信息通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储。举例来说,二进制存储器单元可编程到通常由逻辑1或逻辑0表示的两种支持状态中的一者。在一些实例中,单个存储器单元可支持多于两种状态,其中任一者可被存储。为了存取存储信息,组件可读取或感测存储器装置中的至少一种存储状态。为了存储信息,组件可在存储器装置中写入或编程状态。

2、存在各种类型的存储器装置及存储器单元,其包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫属化物存储器技术及其它。存储器单元可为易失性或非易失性的。例如feram的非易失性存储器可长时间维持其存储的逻辑状态,即使缺少外部电源。例如dram的易失性存储器装置会在与外部电源断开时丢失其存储的状态。


技术实现思路

【技术保护点】

1.一种设备,其包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述电路系统进一步可操作以:

3.根据权利要求1所述的设备,其中所述电路系统进一步可操作以:

4.根据权利要求3所述的设备,其中所述电路系统进一步可操作以:

5.根据权利要求4所述的设备,其中:

6.根据权利要求4所述的设备,其中所述电路系统进一步可操作以:

7.根据权利要求3所述的设备,其进一步包括:

8.根据权利要求3所述的设备,其进一步包括:

9.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一命令包括与所述多个存储器裸片的同步及校准操作相关联的多用途(MPC)命令。

10.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一命令包括与启用及停用经由所述多个存储器裸片的所述命令/地址通道接收的命令相关联的命令。

11.根据权利要求1所述的设备,其中所述一或多个操作包括针对与所述第一存储器裸片相关联的所述设备的寄存器的写入操作、针对所述第一存储器裸片的修复操作或两者。

12.根据权利要求1所述的设备,其中:>

13.一种设备,其包括:

14.根据权利要求13所述的设备,其中所述第一命令进一步指示所述第一存储器裸片在其中所述一组命令启用的第一模式中操作且指示所述第二存储器裸片在其中命令的所述第一子集停用且所述一组命令的第二子集启用的第二模式中操作。

15.根据权利要求14所述的设备,其中所述电路系统进一步可操作以:

16.根据权利要求15所述的设备,其中:

17.根据权利要求15所述的设备,其中所述电路系统进一步可操作以:

18.根据权利要求13所述的设备,其中所述第一命令包括与所述多个存储器裸片的同步及校准操作相关联的多用途(MPC)命令。

19.根据权利要求13所述的设备,其中所述第一命令包括与启用及停用经由所述多个存储器裸片的所述命令/地址通道接收的命令相关联的命令。

20.根据权利要求13所述的设备,其中所述一或多个操作包括针对与所述第一存储器裸片相关联的寄存器的写入操作、针对所述第一存储器裸片的修复操作或两者。

21.根据权利要求13所述的设备,其中:

22.一种方法,其包括:

23.根据权利要求22所述的方法,其进一步包括:

24.根据权利要求22所述的方法,其进一步包括:

25.根据权利要求24所述的方法,其进一步包括:

26.根据权利要求25所述的方法,其中:

27.根据权利要求25所述的方法,其进一步包括:

28.根据权利要求24所述的方法,其进一步包括:

29.根据权利要求24所述的方法,其进一步包括:

30.根据权利要求22所述的方法,其中所述第一命令包括与所述多个存储器裸片的同步及校准操作相关联的多用途(MPC)命令。

31.根据权利要求22所述的方法,其中所述第一命令包括与启用及停用经由所述多个存储器裸片的所述命令/地址通道接收的命令相关联的命令。

32.根据权利要求22所述的方法,其中所述一或多个操作包括针对与所述第一存储器裸片相关联的所述存储器装置的寄存器的写入操作、针对所述第一存储器裸片的修复操作或两者。

33.根据权利要求22所述的方法,其中:

34.一种方法,其包括:

35.根据权利要求34所述的方法,其中所述第一命令进一步指示所述第一存储器裸片在其中所述一组命令启用的第一模式中操作且指示所述第二存储器裸片在其中命令的所述第一子集停用且所述一组命令的第二子集启用的第二模式中操作。

36.根据权利要求35所述的方法,其进一步包括:

37.根据权利要求36所述的方法,其中:

38.根据权利要求36所述的方法,其进一步包括:

39.根据权利要求34所述的方法,其中所述第一命令包括与所述多个存储器裸片的同步及校准操作相关联的多用途(MPC)命令。

40.根据权利要求34所述的方法,其中所述第一命令包括与启用及停用经由所述多个存储器裸片的所述命令/地址通道接收的命令相关联的命令。

41.一种非暂时性计算机可读媒体,其存储包括指令的代码,所述指令在由电子装置的处理器执行时导致所述电子装置:

...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种设备,其包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述电路系统进一步可操作以:

3.根据权利要求1所述的设备,其中所述电路系统进一步可操作以:

4.根据权利要求3所述的设备,其中所述电路系统进一步可操作以:

5.根据权利要求4所述的设备,其中:

6.根据权利要求4所述的设备,其中所述电路系统进一步可操作以:

7.根据权利要求3所述的设备,其进一步包括:

8.根据权利要求3所述的设备,其进一步包括:

9.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一命令包括与所述多个存储器裸片的同步及校准操作相关联的多用途(mpc)命令。

10.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一命令包括与启用及停用经由所述多个存储器裸片的所述命令/地址通道接收的命令相关联的命令。

11.根据权利要求1所述的设备,其中所述一或多个操作包括针对与所述第一存储器裸片相关联的所述设备的寄存器的写入操作、针对所述第一存储器裸片的修复操作或两者。

12.根据权利要求1所述的设备,其中:

13.一种设备,其包括:

14.根据权利要求13所述的设备,其中所述第一命令进一步指示所述第一存储器裸片在其中所述一组命令启用的第一模式中操作且指示所述第二存储器裸片在其中命令的所述第一子集停用且所述一组命令的第二子集启用的第二模式中操作。

15.根据权利要求14所述的设备,其中所述电路系统进一步可操作以:

16.根据权利要求15所述的设备,其中:

17.根据权利要求15所述的设备,其中所述电路系统进一步可操作以:

18.根据权利要求13所述的设备,其中所述第一命令包括与所述多个存储器裸片的同步及校准操作相关联的多用途(mpc)命令。

19.根据权利要求13所述的设备,其中所述第一命令包括与启用及停用经由所述多个存储器裸片的所述命令/地址通道接收的命令相关联的命令。

20.根据权利要求13所述的设备,其中所述一或多个操作包括针对与所述第一存储器裸片相关联的寄存器的写入操作、针对所述第一存储器裸片的...

【专利技术属性】
技术研发人员:陆洋KY·金
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

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