一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法技术

一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法，包括：在玻璃基板上形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层；涂布一层有机光阻，作为平坦层并进行图案化，源极位置进行开孔，采用第三绝缘层的光罩进行开孔，沉积第一透明电极层，在开孔处沉积一层辅助透明电极层，并共用第四绝缘层光罩+负型光阻，进行图案化，保留住第四过孔位置的辅助透明电极层；经湿蚀刻后未被退火过的辅助透明电极层，在没有光阻保护的情况下被蚀刻完毕，继续进行第四过孔的干蚀刻制程。本发明专利技术共用第四绝缘层光罩+负型光阻特性，过孔干蚀刻SiNx时反应产物残留在所保留部分ITO上，经过三次蚀刻后，有效避免了不同膜层干蚀刻残留的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于显示面板的制造，具体是指一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法。

技术介绍

1、现有已开发并应用于显示面板的阵列基板制造工艺，通常由多层金属层，无机非金属层以及透明电极层组合而成，不同膜层的堆叠顺序变化以及讯号走线设计多样化，会衍生出多种不同架构设计的显示驱动面板。例如需要10道mask制程的follow mid-com tic显示驱动面板，9道mask制程的followtop-comtic显示驱动面板等等，不同的显示面板其对应的显示功能及产品规格会有所不同。

2、igzotft在实际工业生产过程中采用传统的底栅结构，涉及的膜层结构常见的从下往上分别是栅极、绝缘层(siox)、igzo、源漏极、钝化层(siox)、公共电极、像素sinx、像素电极等等。不同膜质绝缘层结构，siox和sinx在过孔刻蚀过程中易出现过孔形貌异常，导致过孔连接异常无法导通，出现大比例的过孔相关不良。

3、现有技术的9道mask制程的followmid-comtic显示驱动面板制备方法如下：

4、第一步：采用pvd方式在玻璃基板-1上沉本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法，其特征在于：所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层，选用Mo/Al/Mo。

3.如权利要求1所述的一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法，其特征在于：所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层，选用SiOx。

4.如权利要求1所述的一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法，其特征在于：所述有源层，选用IGZO。

5.如权利要求1所述的一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法，其特征在于：所述第四绝缘层，选用SiNx。...

【技术特征摘要】

1.一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法，其特征在于：所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层，选用mo/al/mo。

3.如权利要求1所述的一种阵列基板优化刻蚀工艺的制备方法，其特征在于：所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层，选用siox。

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，陈鑫，
申请(专利权)人：华映科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：