System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种半导体功率器件制造用刻蚀机制造技术_技高网
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一种半导体功率器件制造用刻蚀机制造技术

技术编号:40667427 阅读:3 留言:0更新日期:2024-03-18 19:02
本发明专利技术公开了一种半导体功率器件制造用刻蚀机,涉及半导体湿法蚀刻技术领域,包括箱体,所述箱体的顶部固定安装有刻蚀池,所述刻蚀池的顶部设置有滑动刻蚀结构,所述滑动刻蚀结构包括安装槽和滑动座,两个所述安装槽对称开设在箱体的顶部两侧位置,所述滑动座滑动安装在安装槽的内部,所述滑动座的前部和后部均并列开设有上滑道和下滑道,所述滑动座的内部开设有异形槽,所述异形槽的内部通过滑轮滑动安装有滑块。本发明专利技术所述的一种半导体功率器件制造用刻蚀机,通过控制不同的半导体功率器件在刻蚀池中匀速运动的速率,确保整个器件表面都与刻蚀液均匀接触,从而实现更加精确与一致的加工结果,提高半导体功率器件的加工精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体湿法蚀刻,特别涉及一种半导体功率器件制造用刻蚀机


技术介绍

1、半导体是一类材料的总称,常见的半导体材料包括硅、锗、砷化镓,在半导体材料加工的过程中往往采用刻蚀的方法进行加工,刻蚀分为湿法刻蚀与干法刻蚀两种,前者是通过将待加工的半导体加工件放置在充满刻蚀液的刻蚀池中进行加工的技术,而干法刻蚀则是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术;

2、公开号为“cn201985081u”的中国专利公开了“一种半导体生产用湿法蚀刻装置。包括有动力系统、制冷系统、操作台(21)、反应槽(13)、盛放硅片的花篮(20),其特征在于:在花篮(20)上设置吊臂(19),所述吊臂(19)上设置机械抓取机构(8)”,其虽然可以通过将硅加工件放置在花篮中,送入刻蚀池中进行刻蚀,但由于将加工件静置在刻蚀池中,容易出现刻蚀液对于加工件过侵蚀的现象发生,并且加工件被刻蚀的部分容易残留碎屑,进而影响整个加工件的加工精度,存在实用性低下的问题,并且在加工完成后,无法对于加工件表面残留的刻蚀液进行快速烘干,容易使得残留的刻蚀液继续对于加工件进行刻蚀,影响半导体功率器件的加工精度与均一性,因此,本专利技术提出了一种半导体功率器件制造用刻蚀机。


技术实现思路

1、本专利技术的主要目的在于提供一种半导体功率器件制造用刻蚀机,可以有效解决
技术介绍
中的技术问题。

2、为实现上述目的,本专利技术采取的技术方案为:

3、一种半导体功率器件制造用刻蚀机,包括箱体,所述箱体的顶部固定安装有刻蚀池,所述刻蚀池的顶部设置有滑动刻蚀结构;

4、所述滑动刻蚀结构包括安装槽和滑动座,两个所述安装槽对称开设在箱体的顶部两侧位置,所述滑动座滑动安装在安装槽的内部,所述滑动座的前部和后部均并列开设有上滑道和下滑道,所述滑动座的内部开设有异形槽,所述异形槽的内部通过滑轮滑动安装有滑块,所述滑块的前部和后部均固定安装有上限位块和下限位块,且上限位块和下限位块分别与上滑道和下滑道适应性匹配,所述滑块的顶部固定安装有支杆,所述箱体的两侧对称转动安装有左转动块一、左转动块二、右转动块一和右转动块二,且左转动块一和左转动块二、右转动块一和右转动块二分别处于同一垂直轴线,所述左转动块一和右转动块一、左转动块二和右转动块二分别处于同一水平线,所述右转动块一和右转动块二的前部分别固定安装有从动齿轮,所述箱体的两侧靠近一端中间位置均固定安装有安装块,所述安装块的后部靠近中心位置转动安装有主动齿轮,且主动齿轮与从动齿轮啮合,所述左转动块一和右转动块一的外部套设有上传动带,所述左转动块二和右转动块二的外部套设有下传动带,所述上传动带和下传动带的外部分别固定安装有上拨杆和下拨杆。

5、作为本专利技术的进一步方案,所述上拨杆和下拨杆的中心处于同一垂直轴线上,所述上拨杆和下拨杆的一端呈弧面,且弧面与上限位块和下限位块均适应性匹配。

6、作为本专利技术的进一步方案,所述安装块的前部固定安装有电机,且电机的输出轴贯穿安装座与主动齿轮固定连接。

7、作为本专利技术的进一步方案,所述支杆的底部中心位置设置有夹持结构,所述夹持结构包括圆棒和套筒,所述圆棒固定安装在支杆的底部中心位置,所述套筒通过螺栓连接在支杆的外部,所述套筒的底部固定安装有底座,所述底座的底部转动连接有连接块,所述连接块的前部靠近中心位置固定安装有固定块,所述固定块的顶部靠近中心位置螺纹安装有螺纹杆,所述螺纹杆的底部转动安装有压板,所述压板与连接块之间安装有加工件固定板;

8、所述底座的内部开设有空腔,所述空腔的内部卡接有卡块,所述卡块的后部中心位置固定安装有金属棒,所述金属棒的外部缠绕有弹簧,所述卡块的前部中心位置固定安装有齿块,所述连接块的前部开设有齿槽,且齿槽与齿块适应性匹配。

9、作为本专利技术的进一步方案,所述弹簧的一端固定安装在卡块的前部,所述弹簧的另一端固定安装在空腔的内部,所述卡块的外部设置有限位片,且限位片与空腔适应性匹配。

10、作为本专利技术的进一步方案,所述箱体的顶部靠近一侧位置设置有吹扫结构,所述吹扫结构包括立杆和风机,所述立杆固定安装在箱体的顶部靠近一侧中间位置,所述风机固定安装在立杆的前部靠近顶部位置,所述立杆的后部开设有滑槽,所述滑槽的内部滑动安装有活动块;

11、所述活动块的一端固定安装有球座,所述球座的内部转动安装有球体,所述球体的一端固定安装有方形块,所述方形块的内部转动安装有旋转棒,所述旋转棒的外部对称安装有若干喷头,所述立杆的顶部固定安装有定位块,所述风机与定位块之间固定连接有连接管,所述定位块的前部安装有波纹送风管,且波纹送风管的一端与喷头分别适应性匹配,所述支杆靠近立杆一侧的内壁上固定安装有压棒,所述风机的外部靠近压棒的一侧安装有按压开关。

12、作为本专利技术的进一步方案,所述压棒的一端呈弧面,且压棒与按压开关适应性匹配。

13、作为本专利技术的进一步方案,所述球座的一侧与方形块的顶部均螺纹安装有抵紧螺栓,所述波纹送风管具有弹性。

14、作为本专利技术的进一步方案,所述滑动座的底部对称固定安装有两个滚轮,所述左转动块一、左转动块二、右转动块一和右转动块二的外部均设置有限位盘,且限位盘与箱体适应性匹配。

15、作为本专利技术的进一步方案,所述圆棒的两侧开设有若干螺孔,所述螺纹杆的外部靠近底部位置设置有限位圈,且限位圈与压板适应性匹配。

16、本专利技术的有益效果如下:

17、通过设置滑动刻蚀结构,可以通过上拨杆与下限位块的接触推动下,使得滑块在滑动座内部下降,进而带动需要加工的半导体功率器件可以在加工时,完全没入刻蚀池内部并匀速运动,确保整个器件表面都与刻蚀液接触,并通过匀速运动使刻蚀液在器件表面均匀分布,从而实现更加精确与一致的加工结果,提高加工的精度;

18、通过让加工件固定板在刻蚀池中运动,可以确保半导体功率器件在刻蚀液中的接触时间均衡,避免长时间停留在任何一个位置导致过度刻蚀或不足刻蚀,进而加工速度,提高刻蚀效率,保证各个区域的刻蚀深度一致,使半导体功率器件表面的光滑度和尺寸精度更容易得到控制,从而提高半导体功率器件的性能和可靠性;

19、通过设置夹持结构配合滑动刻蚀结构,通过下拨杆与下限位块的接触,可以在完成刻蚀后,使得滑块在滑动座内部抬升,让完成加工的半导体功率器件脱离刻蚀池内部,可以避免加工件长时间接触刻蚀液,以减少刻蚀液对加工件的不必要腐蚀和损伤,并且由于夹持结构的调节,加工件固定板会呈一定的斜度,使得加工件固定板在脱离刻蚀池后,表面残留的刻蚀液可以回落进入刻蚀池的内部,可以减少刻蚀液在加工台面和设备周围的残留,方便后续的清洗和处理;

20、通过设置吹扫结构配合滑动刻蚀结构与夹持结构,可以在加工件固定板返回过程中,通过由于支杆处于最高位置,可以通过支杆外部安装的压棒对于按压开关进行挤压以打开风机,通过连接管与波纹送风管将热风送至喷头处,对于刻蚀完成后的加工件固定板进行吹扫烘干,可以将刻蚀液有效地去除,本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体功率器件制造用刻蚀机,包括箱体(1),所述箱体(1)的顶部固定安装有刻蚀池(2),其特征在于,所述刻蚀池(2)的顶部设置有滑动刻蚀结构(3);

2.根据权利要求1所述的一种半导体功率器件制造用刻蚀机,其特征在于:所述上拨杆(22)和下拨杆(23)的中心处于同一垂直轴线上,所述上拨杆(22)和下拨杆(23)的一端呈弧面,且弧面与上限位块(11)和下限位块(12)均适应性匹配。

3.根据权利要求1所述的一种半导体功率器件制造用刻蚀机,其特征在于:所述安装块(18)的前部固定安装有电机,且电机的输出轴贯穿安装座(18)与主动齿轮(19)固定连接。

4.根据权利要求1所述的一种半导体功率器件制造用刻蚀机,其特征在于:所述支杆(13)的底部中心位置设置有夹持结构(24),所述夹持结构(24)包括圆棒(25)和套筒(26),所述圆棒(25)固定安装在支杆(13)的底部中心位置,所述套筒(26)通过螺栓连接在支杆(13)的外部,所述套筒(26)的底部固定安装有底座(27),所述底座(27)的底部转动连接有连接块(28),所述连接块(28)的前部靠近中心位置固定安装有固定块(29),所述固定块(29)的顶部靠近中心位置螺纹安装有螺纹杆(30),所述螺纹杆(30)的底部转动安装有压板(31),所述压板(31)与连接块(28)之间安装有加工件固定板(32);

5.根据权利要求4所述的一种半导体功率器件制造用刻蚀机,其特征在于:所述弹簧的一端固定安装在卡块(33)的前部,所述弹簧的另一端固定安装在空腔的内部,所述卡块(33)的外部设置有限位片,且限位片与空腔适应性匹配。

6.根据权利要求1所述的一种半导体功率器件制造用刻蚀机,其特征在于:所述箱体(1)的顶部靠近一侧位置设置有吹扫结构(4),所述吹扫结构(4)包括立杆(37)和风机(38),所述立杆(37)固定安装在箱体(1)的顶部靠近一侧中间位置,所述风机(38)固定安装在立杆(37)的前部靠近顶部位置,所述立杆(37)的后部开设有滑槽(39),所述滑槽(39)的内部滑动安装有活动块(40);

7.根据权利要求6所述的一种半导体功率器件制造用刻蚀机,其特征在于:所述压棒(50)的一端呈弧面,且压棒(50)与按压开关(49)适应性匹配。

8.根据权利要求6所述的一种半导体功率器件制造用刻蚀机,其特征在于:所述球座(41)的一侧与方形块(43)的顶部均螺纹安装有抵紧螺栓,所述波纹送风管(48)具有弹性。

9.根据权利要求1所述的一种半导体功率器件制造用刻蚀机,其特征在于:所述滑动座(6)的底部对称固定安装有两个滚轮,所述左转动块一(14)、左转动块二(15)、右转动块一(16)和右转动块二(17)的外部均设置有限位盘,且限位盘与箱体(1)适应性匹配。

10.根据权利要求4所述的一种半导体功率器件制造用刻蚀机,其特征在于:所述圆棒(25)的两侧开设有若干螺孔,所述螺纹杆(30)的外部靠近底部位置设置有限位圈,且限位圈与压板(31)适应性匹配。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体功率器件制造用刻蚀机,包括箱体(1),所述箱体(1)的顶部固定安装有刻蚀池(2),其特征在于,所述刻蚀池(2)的顶部设置有滑动刻蚀结构(3);

2.根据权利要求1所述的一种半导体功率器件制造用刻蚀机,其特征在于:所述上拨杆(22)和下拨杆(23)的中心处于同一垂直轴线上,所述上拨杆(22)和下拨杆(23)的一端呈弧面,且弧面与上限位块(11)和下限位块(12)均适应性匹配。

3.根据权利要求1所述的一种半导体功率器件制造用刻蚀机,其特征在于:所述安装块(18)的前部固定安装有电机,且电机的输出轴贯穿安装座(18)与主动齿轮(19)固定连接。

4.根据权利要求1所述的一种半导体功率器件制造用刻蚀机,其特征在于:所述支杆(13)的底部中心位置设置有夹持结构(24),所述夹持结构(24)包括圆棒(25)和套筒(26),所述圆棒(25)固定安装在支杆(13)的底部中心位置,所述套筒(26)通过螺栓连接在支杆(13)的外部,所述套筒(26)的底部固定安装有底座(27),所述底座(27)的底部转动连接有连接块(28),所述连接块(28)的前部靠近中心位置固定安装有固定块(29),所述固定块(29)的顶部靠近中心位置螺纹安装有螺纹杆(30),所述螺纹杆(30)的底部转动安装有压板(31),所述压板(31)与连接块(28)之间安装有加工件固定板(32);

5.根据权利要求4所述的一种半导体功率器件制造用刻蚀机,其特征在于:所述弹簧的一端固定安装在卡块...

【专利技术属性】
技术研发人员:侯家宇
申请(专利权)人:浙江大学
类型:发明
国别省市:

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