System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种光电探测器、制备方法及应用技术_技高网
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一种光电探测器、制备方法及应用技术

技术编号:40658225 阅读:3 留言:0更新日期:2024-03-18 18:50
本发明专利技术提供了一种光电探测器、制备方法及应用,依次包括层状设置的零维石墨烯、三维石墨烯、二维石墨烯和衬底层。本发明专利技术在零维石墨烯和二维石墨烯的配合作用下,有效提升了三维石墨烯的光电性能,由此本发明专利技术提供了一种有效提升三维石墨烯光电性能的手段。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及石墨烯领域,特别是涉及一种光电探测器、制备方法及应用


技术介绍

1、三维石墨烯具有较好的比表面积,使其具有很好的吸光性能,由此能够作为一种优良的光电探测器进行使用。

2、为了进一步提升三维石墨烯在光电转化上的性能,通常情况下会采用掺杂的方式对三维石墨烯的能级结构进行调节。但是,掺杂元素和反应物的选择多种多样,导致三维石墨烯的光电性能提升效果存在很大的不确定性。

3、故而现阶段,缺少一种掺杂之外的方法,用以提升三维石墨烯的光电性能。


技术实现思路

1、基于此,有必要针对三维石墨烯光电性能提升方法不足的问题,提供一种光电探测器、制备方法及应用。

2、本专利技术提供的技术方案为:

3、一种光电探测器,依次包括层状设置的零维石墨烯、三维石墨烯、二维石墨烯和衬底层。

4、本专利技术所述衬底层的材质为ge。

5、一种光电探测器的制备方法,包括:

6、将衬底层放置于pecvd设备的石英管中,并对石英管抽真空;

7、向石英管内通入保护气体,并加热至t1;

8、关停保护气体,同时通入氢气和甲烷,启动等离子体源,以在衬底层表面生长二维石墨烯;

9、关停氢气和甲烷并关闭等离子体源,使石英管降温至t2后抽真空;

10、再次启动等离子体源,并同时通入氢气和甲烷,以在t2条件下于二维石墨烯表面生长三维石墨烯;

11、关停氢气和甲烷并关闭等离子体源,对石英管抽真空;

12、再次启动等离子体源,并同时通入氢气和甲烷,在温度t3条件下于三维石墨烯表面生长零维石墨烯。

13、本专利技术二维石墨烯的生长控制参数为:t1=700℃,等离子体源功率为30w,氢气和甲烷的体积流量比为4:3,生长时间为10min。

14、本专利技术三维石墨烯的生长控制参数为:t2=550℃,等离子体源功率为150w,氢气和甲烷的体积流量比为1:5,生长时间为40min。

15、本专利技术零维石墨烯的生长控制参数为:t3=550℃,等离子体源功率为90w,氢气和甲烷的体积流量比为0.5:5,生长时间为10min。

16、一种光电探测器在光照传感中的应用。

17、本专利技术的有益效果至少包括如下之一:

18、1.零维石墨烯、三维石墨烯、二维石墨烯在合成过程中所使用的原料均为氢气和甲烷,且制备过程中始终在石英管中进行,并未离开石英管,并未涉及零维石墨烯、三维石墨烯、二维石墨烯的转移过程,由此有效降低了零维石墨烯、三维石墨烯、二维石墨烯中杂质和缺陷引入;

19、2.三维石墨烯和二维石墨烯之间通过c-c单键进行连接,由此二维石墨烯中部分c原子从sp2键转换为sp3键,由此引发二维石墨烯的结构变形。二维石墨烯和ge原子之间的范德华力能够引发衬底层表面ge原子重构,基于该重构作用,电子会从ge原子转移至二维石墨烯,其中又会有部分电子会通过三维石墨烯和二维石墨烯之间的c-c单键转移至三维石墨烯;

20、3.零维石墨烯均匀地分布在三维石墨烯的表面,零维石墨烯存在大量不饱和悬挂键,使得三维石墨烯表面功函数提升,提升了对电子的约束力。由此部分电子会从三维石墨烯转移至零维石墨烯,三维石墨烯需要从二维石墨烯处获取更多电子,以此实现零维石墨烯、三维石墨烯、二维石墨烯和衬底层相邻层之间的强耦合作用;

21、4.在零维石墨烯和二维石墨烯的配合作用下,有效提升了三维石墨烯的光电性能,由此本专利技术提供了一种有效提升三维石墨烯光电性能的手段。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光电探测器,其特征在于,依次包括层状设置的零维石墨烯、三维石墨烯、二维石墨烯和衬底层。

2.根据权利要求1所述的光电探测器,其特征在于,所述衬底层的材质为Ge。

3.一种光电探测器的制备方法,其特征在于,包括:

4.根据权利要求3所述的光电探测器的制备方法,其特征在于,二维石墨烯的生长控制参数为:T1=700℃,等离子体源功率为30W,氢气和甲烷的体积流量比为4:3,生长时间为10min。

5.根据权利要求4所述的光电探测器的制备方法,其特征在于,三维石墨烯的生长控制参数为:T2=550℃,等离子体源功率为150W,氢气和甲烷的体积流量比为1:5,生长时间为40min。

6.根据权利要求5所述的光电探测器的制备方法,其特征在于,零维石墨烯的生长控制参数为:T3=550℃,等离子体源功率为90W,氢气和甲烷的体积流量比为0.5:5,生长时间为10min。

7.一种如权利要求1或2所述的光电探测器在光照传感中的应用。

【技术特征摘要】

1.一种光电探测器,其特征在于,依次包括层状设置的零维石墨烯、三维石墨烯、二维石墨烯和衬底层。

2.根据权利要求1所述的光电探测器,其特征在于,所述衬底层的材质为ge。

3.一种光电探测器的制备方法,其特征在于,包括:

4.根据权利要求3所述的光电探测器的制备方法,其特征在于,二维石墨烯的生长控制参数为:t1=700℃,等离子体源功率为30w,氢气和甲烷的体积流量比为4:3,生长时间为10min。

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【专利技术属性】
技术研发人员:王刚狄增峰叶财超郑理许文武赵子奇王冰坤吴慧娟张金秋连山水张珊张光临
申请(专利权)人:宁波大学
类型:发明
国别省市:

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