【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制作选择栅与字线的双重图案方法，更具体言之，其涉及一种以负型双重图案制作选择栅与字线的方法。
技术介绍
1、光刻制作工艺为利用曝光显影步骤来将光掩模上的电路图案缩微转印至晶片上，由此制作出特定线路图形的制作工艺。然而，随着半导体制作工艺的微缩，传统的光学光刻技术已面临了实作瓶颈。以现今主流的193纳米(nm)波长的氟化氩(arf)激光光源为例，其可达到的最小晶体管半间距(half-pitch)为65纳米，若再搭配业界现有的浸润式光刻(immersion lithography)技术，晶体管半间距则可以再推进至45纳米，但这已是光刻曝光的物理极限。若要实现45纳米以下制作工艺半间距的要求，则需仰赖更高阶的光刻技术，如浸润式光刻搭配双图案法(double patterning)技术、极紫外光(extreme ultra violet,euv)技术、无光掩模光刻(maskless lithography,ml2)技术，以及纳米转印(nano-imprint)等技术。
2、在上述所提的各种光刻技术中，自对准双重图案...
【技术保护点】
1.一种制作选择栅与字线的双重图案方法，包含：
2.如权利要求1所述的制作选择栅与字线的双重图案方法，其中在该目标层上形成该些第一串列图案的步骤包含：
3.如权利要求1所述的制作选择栅与字线的双重图案方法，还包含在形成该些第一串列图案之后与形成该间隔层之前进行修整制作工艺，减少该些第一串列图案在该第二方向上的宽度。
4.如权利要求1所述的制作选择栅与字线的双重图案方法，还包含在移除该些沟槽外的该填充层之后与该第一蚀刻制作工艺之前进行回蚀刻制作工艺，移除该些第一串列图案的顶面水平以上的该间隔层与该些第二串列图案，如此裸露出该些第一串列...
【技术特征摘要】
1.一种制作选择栅与字线的双重图案方法，包含：
2.如权利要求1所述的制作选择栅与字线的双重图案方法，其中在该目标层上形成该些第一串列图案的步骤包含：
3.如权利要求1所述的制作选择栅与字线的双重图案方法，还包含在形成该些第一串列图案之后与形成该间隔层之前进行修整制作工艺，减少该些第一串列图案在该第二方向上的宽度。
4.如权利要求1所述的制作选择栅与字线的双重图案方法，还包含在移除该些沟槽外的该填充层之后与该第一蚀刻制作工艺之前进行回蚀刻制作工艺，移除该些第一串列图案的顶面水平以上的该间隔层与该些第二串列图案，如此裸露出该些第一串列图案并使该些第一串列图案、该些第二串列图案以及该间隔层的顶面齐平。
5.如权利要求4所述的制作选择栅与字线的双重图案方法，其中该些第一串列图案上具有硬掩模层，该回蚀刻制作工艺进行至移除该些硬掩模层后停止。
6.如权利要求1所述的制作选择栅与字线的双重图案方法，还包含在移除该些沟槽外的该填充层之后与进行该第一蚀刻制作工艺之前进行下列步骤：
7.如权利要求6所述的制作选择栅与字线的双重图案方法，其中该第二光致抗蚀剂同时界定有周边区域上的栅极图案，该第三蚀刻制作工艺同时在该周边区域上的该填充层中形成该栅极图案。
8.如权利要求6所述的制作选择栅与字线的双重图案方法，其中该第二光致抗蚀剂更裸露出该些第二串列图案在该第一方向上超出该些第一串列图案的相连部分，第三蚀刻制作工艺该移除该些相连部分，如此...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄易晔，王子嵩，陈立达，高舜裕，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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