MicroLED表面结构及制备方法技术

本发明专利技术涉及显示领域，为了提高量子点光提取效率及准直效果，提供了MicroLED表面结构及制备方法，通过在Micro‑LED芯片表面构造金属纳米环结构，当纳米环结构参数与中心量子点光波长相匹配时，会产生强烈的准直效应，可实现发出光线的定向准直功能；底部金属反射器收集量子点光源向下发出的光线，并反射至芯片发光方向，增加了发光方向的光子数，从而大大增加了量子点Micro‑LED芯片在垂直方向上的光提取效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，具体是一种microled表面结构及制备方法。

技术介绍

1、micro-led显示技术是指将小间距自发光led作为发光像素单元，在一定范围内集成高密度微小尺寸的led像素矩阵的技术。其作为自发光光源，具有高亮度、高对比度，响应时间较短等优点。

2、量子点材料由于其出色的发光效率与窄带宽特性，目前在micro-led显示技术中有着较为广泛的应用。但是由于量子点发光材料发射光子方向的不可控性导致了较低的光子提取效率，且传统的光子回收层难以控制发射光子的数量与性质，同时光谱调制能力相当有限，最终导致颜色渲染失衡，显示效果不佳，影响图像的对比度与表现力。

技术实现思路

1、为了提高量子点光提取效率及准直效果，本申请提供了一种microled表面结构及制备方法。

2、本专利技术解决上述问题所采用的技术方案是：

3、microled表面结构，包括基板及量子点光源，还包括：从下往上依次设置在基板上的底部金属阳极反射器、空穴传输层、电子传输层、光电阴极及表面金属纳本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.MicroLED表面结构，包括基板及量子点光源，其特征在于，还包括：从下往上依次设置在基板上的底部金属阳极反射器、空穴传输层、电子传输层、光电阴极及表面金属纳米环，所述电子传输层中设置有量子点材料放置空间，所述量子点光源设置在量子点材料放置空间且位于表面金属纳米环内，所述表面金属纳米环的内半径为量子点光源发出光线波长的n倍，环体宽度为量子点光源发出光线波长的m倍。

2.根据权利要求1所述的MicroLED表面结构，其特征在于，所述量子点光源设置在表面金属纳米环几何中心位置对应处。

3.根据权利要求1所述的MicroLED表面结构，其特征在于，n取1/3，m取1...

【技术特征摘要】

1.microled表面结构，包括基板及量子点光源，其特征在于，还包括：从下往上依次设置在基板上的底部金属阳极反射器、空穴传输层、电子传输层、光电阴极及表面金属纳米环，所述电子传输层中设置有量子点材料放置空间，所述量子点光源设置在量子点材料放置空间且位于表面金属纳米环内，所述表面金属纳米环的内半径为量子点光源发出光线波长的n倍，环体宽度为量子点光源发出光线波长的m倍。

2.根据权利要求1所述的microled表面结构，其特征在于，所述量子点光源设置在表面金属纳米环几何中心位置对应处。

3.根据权利要求1所述的microled表面结构，其特征在于，n取1/3，m取1/9。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的microled表面结构，其特征在于，所述表面金属纳米环包括底部黏着层及设置在黏着层表面的金属层。

5.根据权利要求4所述的microled表面结构，其特征在于，金属层厚度为对应量子点光源波长的1/4。

【专利技术属性】
技术研发人员：梁其鹏，陈宁，姜银磊，张寅睿，黎垚，熊黎，鲍雷华，
申请(专利权)人：四川启睿克科技有限公司，
类型：发明
国别省市：