【技术实现步骤摘要】
本申请涉及射频，更具体地，涉及一种谐波抑制模块以及射频前端模组。
技术介绍
1、射频开关作为射频前端模组中的重要组成部分之一，其作用是准确切换和控制射频信号的传输路径，选通相应的射频通路，在无线通信系统共用天线的情况下，实现射频信号的接收和发射。
2、目前，由于射频开关容易产生谐波，从而给射频开关所在的电路造成极大的影响。然而，现有的谐波抑制模块对交调失真(intermodulation distortion，imd)的改善效果较差。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种谐波抑制模块以及射频前端模组。
2、根据本申请的第一方面，本申请实施例提供一种谐波抑制模块，该谐波抑制模块具有控制端口、第一端口和第二端口，该谐波抑制模块包括第一调谐单元、第二调谐单元以及电阻单元。其中，电阻单元连接于控制端口；第一调谐单元连接在第一端口和第二端口之间，并被配置为和电阻单元共同抑制由第一端口输入的第一射频信号中的谐波信号；第二调谐单元连接在第一调谐单元和电阻单元之间，并被配置为和电阻单元共同抑制由第二端口输入的第二射频信号中的谐波信号。
3、其中，在一些可选实施例中，第一射频信号和第二射频信号为一对双音信号。
4、其中，在一些可选实施例中，第一调谐单元和电阻单元被配置为产生第一抑制信号，第一抑制信号与第一射频信号中的谐波信号的相位差值的绝对值大于或等于170度且小于或等于190度；第二调谐单元和电阻单元被配置为产生第二抑制信号，第二抑制信号与第二射频
5、其中，在一些可选实施例中，第一调谐单元包括第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管的第一信号端连接于第一端口，第一晶体管的第二信号端连接于第二晶体管的第二信号端，第二晶体管的第一信号端连接于第二端口。
6、其中，在一些可选实施例中，第二调谐单元包括第三晶体管和第四晶体管；第三晶体管的第一信号端连接于第四晶体管的第二信号端以形成第一公共端，第一公共端连接于第一晶体管和第二晶体管的公共端；第三晶体管的第二信号端连接于第四晶体管的第一信号端以形成第二公共端，第二公共端连接于电阻单元的一端；电阻单元的另一端连接于控制端口。
7、其中，在一些可选实施例中，第一晶体管和第二晶体管的参数相同，第三晶体管和第四晶体管的参数相同，第一晶体管和第三晶体管的参数不相同。
8、其中，在一些可选实施例中，第一晶体管和第二晶体管的尺寸相同，第三晶体管和第四晶体管的尺寸相同，第一晶体管和第三晶体管的尺寸不相同。
9、其中，在一些可选实施例中，第一晶体管和第二晶体管均为第一二极管，第一晶体管的第一信号端和第二晶体管的第一信号端为第一二极管的正极，第一晶体管的第二信号端和第二晶体管的第二信号端为第一二极管的负极；第三晶体管和第四晶体管均为第二二极管，第三晶体管的第一信号端和第四晶体管的第一信号端为第二二极管的正极，第三晶体管的第二信号端和第四晶体管的第二信号端为第二二极管的负极。
10、其中，在一些可选实施例中，第一晶体管和第二晶体管均为第一金属氧化物半导体场效应晶体管，第一晶体管的第一信号端和第二晶体管的第一信号端为第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，第一晶体管的第二信号端和第二晶体管的第二信号端为第一金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极，第一金属氧化物半导体场效应晶体管的源极连接于第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极；或第一晶体管和第二晶体管均为第二金属氧化物半导体场效应晶体管，第一晶体管的第一信号端和第二晶体管的第一信号端为第二金属氧化物半导体场效应晶体管的源极，第一晶体管的第二信号端和第二晶体管的第二信号端为第二金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，第二金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极连接于第二金属氧化物半导体场效应晶体管的源极。
11、其中，在一些可选实施例中，第三晶体管和第四晶体管均为第三金属氧化物半导体场效应晶体管，第三晶体管的第一信号端和第四晶体管的第一信号端为第三金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极，第三晶体管的第二信号端和第四晶体管的第二信号端为第三金属氧化物半导体场效应晶体管的源极，第三金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接于第三金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极。
12、其中，在一些可选实施例中，电阻单元的等效电阻值大于或等于1千欧。
13、根据本申请的第二方面，本申请实施例还提供一种射频前端模组，该射频前端模组包括开关模块和上述的谐波抑制模块。
14、其中，在一些可选实施例中，开关模块包括串联连接的n个晶体管开关，晶体管开关具有第一端、第二端和第三端，n为大于0的自然数；谐波抑制模块的第一端口和第二端口分别连接于第一端、第二端和第三端中的任意两项。
15、其中，在一些可选实施例中，晶体管开关为金属氧化物半导体场效应晶体管，第一端为金属氧化物半导体场效应晶体管的源极，第二端为金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极，第三端为金属氧化物半导体场效应晶体管的体极。
16、其中，在一些可选实施例中，开关模块和谐波抑制模块集成在同一芯片中。
17、本申请提供了一种谐波抑制模块以及配置有谐波抑制模块的射频前端模组，该谐波抑制模块具有控制端口、第一端口和第二端口，谐波抑制模块包括第一调谐单元、第二调谐单元以及电阻单元。其中，电阻单元连接于控制端口，第一调谐单元连接在第一端口和第二端口之间，第二调谐单元连接在第一调谐单元和电阻单元之间。
18、由于第一调谐单元可以和电阻单元共同抑制由第一端口输入的第一射频信号中的谐波信号，且第二调谐单元可以和电阻单元共同抑制由第二端口输入的第二射频信号中的谐波信号。因此，当第一射频信号和第二射频信号同时输入谐波抑制模块(例如，第一射频信号和第二射频信号为一对双音信号)的情况下，第一调谐单元和第二调谐单元可以对上述两路射频信号中的谐波信号进行抑制，进而改善谐波抑制模块所在的射频电路(例如，开关电路或者射频前端模组)的交调失真，保证谐波抑制模块所在射频电路的整体性能。
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1.一种谐波抑制模块，其特征在于，具有控制端口、第一端口和第二端口，所述谐波抑制模块包括第一调谐单元、第二调谐单元以及电阻单元；
2.根据权利要求1所述的谐波抑制模块，其特征在于，所述第一射频信号和所述第二射频信号为一对双音信号。
3.根据权利要求1所述的谐波抑制模块，其特征在于，所述第一调谐单元和所述电阻单元被配置为产生第一抑制信号，所述第一抑制信号与所述第一射频信号中的谐波信号的相位差值的绝对值大于或等于170度且小于或等于190度；
4.根据权利要求1所述的谐波抑制模块，其特征在于，所述第一调谐单元包括第一晶体管和第二晶体管；
5.根据权利要求4所述的谐波抑制模块，其特征在于，所述第二调谐单元包括第三晶体管和第四晶体管；
6.根据权利要求5所述的谐波抑制模块，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管的参数相同，所述第三晶体管和所述第四晶体管的参数相同，所述第一晶体管和所述第三晶体管的参数不相同。
7.根据权利要求5所述的谐波抑制模块，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管的尺寸相同，所述第三晶体管
8.根据权利要求6或7所述的谐波抑制模块，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为第一二极管，所述第一晶体管的第一信号端和所述第二晶体管的第一信号端为所述第一二极管的正极，所述第一晶体管的第二信号端和所述第二晶体管的第二信号端为所述第一二极管的负极；
9.根据权利要求6或7所述的谐波抑制模块，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为第一金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一晶体管的第一信号端和所述第二晶体管的第一信号端为所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，所述第一晶体管的第二信号端和所述第二晶体管的第二信号端为所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的源极连接于所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极；或
10.根据权利要求6或7所述的谐波抑制模块，其特征在于，所述第三晶体管和所述第四晶体管均为第三金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第三晶体管的第一信号端和所述第四晶体管的第一信号端为所述第三金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极，所述第三晶体管的第二信号端和所述第四晶体管的第二信号端为所述第三金属氧化物半导体场效应晶体管的源极，所述第三金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接于所述第三金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极。
11.根据权利要求1所述的谐波抑制模块，其特征在于，所述电阻单元的等效电阻值大于或等于1千欧。
12.一种射频前端模组，其特征在于，包括：
13.根据权利要求12所述的射频前端模组，其特征在于，所述开关模块包括串联连接的N个晶体管开关，所述晶体管开关具有第一端、第二端和第三端，所述N为大于0的自然数；
14.根据权利要求13所述的射频前端模组，其特征在于，所述晶体管开关为金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一端为所述金属氧化物半导体场效应晶体管的源极，所述第二端为所述金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极，所述第三端为所述金属氧化物半导体场效应晶体管的体极。
15.根据权利要求12所述的射频前端模组，其特征在于，所述开关模块和所述谐波抑制模块集成在同一芯片中。
...【技术特征摘要】
1.一种谐波抑制模块，其特征在于，具有控制端口、第一端口和第二端口，所述谐波抑制模块包括第一调谐单元、第二调谐单元以及电阻单元；
2.根据权利要求1所述的谐波抑制模块，其特征在于，所述第一射频信号和所述第二射频信号为一对双音信号。
3.根据权利要求1所述的谐波抑制模块，其特征在于，所述第一调谐单元和所述电阻单元被配置为产生第一抑制信号，所述第一抑制信号与所述第一射频信号中的谐波信号的相位差值的绝对值大于或等于170度且小于或等于190度；
4.根据权利要求1所述的谐波抑制模块，其特征在于，所述第一调谐单元包括第一晶体管和第二晶体管；
5.根据权利要求4所述的谐波抑制模块，其特征在于，所述第二调谐单元包括第三晶体管和第四晶体管；
6.根据权利要求5所述的谐波抑制模块，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管的参数相同，所述第三晶体管和所述第四晶体管的参数相同，所述第一晶体管和所述第三晶体管的参数不相同。
7.根据权利要求5所述的谐波抑制模块，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管的尺寸相同，所述第三晶体管和所述第四晶体管的尺寸相同，所述第一晶体管和所述第三晶体管的尺寸不相同。
8.根据权利要求6或7所述的谐波抑制模块，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为第一二极管，所述第一晶体管的第一信号端和所述第二晶体管的第一信号端为所述第一二极管的正极，所述第一晶体管的第二信号端和所述第二晶体管的第二信号端为所述第一二极管的负极；
9.根据权利要求6或7所述的谐波抑制模块，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为第一金属氧化物半导体场效...
【专利技术属性】
技术研发人员：王欢，杨奎，王蕴洲，黄浦桓，陈劲业，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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