【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电源管理电路，尤其涉及一种dcdc和ldo自适应切换电路结构。
技术介绍
1、在对汽车电子等的led、mcu供电系统中，一般需要对电源进行降压使用，要求发热量小、精度和稳定性高。
2、现有降压电路工作模式单一，在输入电压和输出电压的电压差较大时，通常采用dcdc结构，来获得更高的效率以及较低的发热量。在输入电压和输出电压的电压差较小时，通常采用ldo结构来提升输出稳定性。在实际应用中，输入电压和输出负载有时候会有剧烈的变化，现有的dcdc结构和ldo结构降压电路，都只适用于输入电压与输出电压恒定的情况，输入电压和输出电压波动较大时，并不具有更好的适配性。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种dcdc和ldo自适应切换电路结构，将dcdc电路和ldo电路集成同一电路中，再通过自适应切换电路产生控制信号进行控制，以使更好的适配于降压电路中。
2、本专利技术采用的技术方案如下：
3、一种dcdc和ldo自适应切换电路结构，包括自适应切换电路、dcdc电路及ldo电路；
4、所述自适应切换电路包括减法器、比较器、反相器、第一晶体管q1和第二晶体管；
5、所述减法器的第一输入端接收dcdc电路的输出端电压或ldo电路的输出端电压，第二输入端接收电源电压；用于计算dcdc电路的输出端电压或ldo电路的输出端电压与输入端电源电压之间的电压差，并传输至比较器u2的正向输入端；
6、所述比较器u2的反向
7、所述第一晶体管q1源极接电源电压vdd，漏极连接ldo电路的输入端；反相器的输出连接第二晶体管q2的栅极，第二晶体管q2的栅极的源极接电源电压vdd，漏极连接dcdc电路；第一晶体管q1根据收到的高电平或低电平来控制ldo电路的开启或关闭，第二晶体管q2根据收到的高电平或低电平来控制dcdc电路的开启或关闭。
8、进一步的，所述减法器包括运算放大器u1、电阻r1、电阻r2、电阻r3和电阻r4；运算放大器u1的第一输入端连接电阻r3的一端和电阻r4的一端，电阻r3的另一端作为自适应切换电路的输入端；电阻r4的另一端与运算放大器u1的输出端相连；运算放大器u1的第二输入端分别连接电阻r1的一端和电阻r2的一端，电阻r1的另一端接电源电压vdd，电阻r2的另一端接地；运算放大器u1的输出端连接比较器u2的第一输入端。
9、进一步的，第一晶体管q1与第二晶体管q2为p型功率mos开关管。
10、进一步的，所述dcdc电路为隔离型或非隔离型的降压型电路。
11、本专利技术提供的dcdc和ldo自适应切换电路结构，是将dcdc电路和ldo电路集成同一电路中，通过自适应切换电路实现dcdc降压电路与ldo降压电路的自适应切换，使其能够在输入电压或负载波动较大时，更具适配性，从而提升整体电路的效率。整个电路结构元件数量少，芯片面积小。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种DCDC和LDO自适应切换电路结构，包括自适应切换电路、DCDC电路及LDO电路，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种DCDC和LDO自适应切换电路结构，其特征在于：所述减法器包括运算放大器U1、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4；运算放大器U1的第一输入端连接电阻R3的一端和电阻R4的一端，电阻R3的另一端作为自适应切换电路的输入端；电阻R4的另一端与运算放大器U1的输出端相连；运算放大器U1的第二输入端分别连接电阻R1的一端和电阻R2的一端，电阻R1的另一端接电源电压VDD，电阻R2的另一端接地；运算放大器U1的输出端连接比较器U2的第一输入端。
3.根据权利要求1所述的一种DCDC和LDO自适应切换电路结构，其特征在于：第一晶体管Q1与第二晶体管Q2为P型功率MOS开关管。
4.根据权利要求1所述的一种DCDC和LDO自适应切换电路结构，其特征在于：所述DCDC电路为隔离型或非隔离型的降压型电路。
【技术特征摘要】
1.一种dcdc和ldo自适应切换电路结构，包括自适应切换电路、dcdc电路及ldo电路，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种dcdc和ldo自适应切换电路结构，其特征在于：所述减法器包括运算放大器u1、电阻r1、电阻r2、电阻r3和电阻r4；运算放大器u1的第一输入端连接电阻r3的一端和电阻r4的一端，电阻r3的另一端作为自适应切换电路的输入端；电阻r4的另一端与运算放大器u1的输出端相连；运算放大器u1的第二...
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