【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，尤其涉及显示器件的制造，具体涉及阵列基板和显示面板。
技术介绍
1、oled(organic light emitting diode,有机发光显示)等面板的组件结构较简单、生产成本较低、较为节能，且具有可弯曲的特性，应用范围极广。
2、其中，oled等面板的像素驱动电路一般包括用于存储灰阶电压以决定驱动电流的存储电容，存储电容若设置的过小会降低发光器件的发光亮度。然而，若通过设置双层或者多层电容结构来增加电容会导致面板的制程道数增加，若通过增加电容极板的相对面积则造成子像素的占用面积增加，不利于高分辨率产品。
3、因此，现有的oled面板中存储电容无法设置的较大，急需改进。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供阵列基板和显示面板，以解决现有的oled面板中存在存储电容无法设置的较大的问题。
2、本专利技术实施例提供阵列基板，包括：
3、衬底，所述衬底上限定出像素区和电容区；
4、第一薄膜晶体管，位于所述衬底上的所述像素区，包括第一有源层、位于所述第一有源层靠近或远离所述衬底的一侧的第一栅极层、位于所述第一有源层远离所述衬底的一侧的第一源漏极层，所述第一源漏极层电性连接至所述第一有源层；
5、第一电容，包括异层设置且相对设置的第一极板、第二极板，所述第一极板、第二极板位于所述电容区，所述第一电容还包括位于所述第一极板和所述第二极板之间的第一介质层，所述第一介质层包括第一子介质层、位于所
6、其中，所述第一子介质层的介电常数大于所述第二子介质层的介电常数，所述第一有源层在所述衬底上的正投影位于所述第二子介质层在所述衬底上的正投影之中。
7、在一实施例中，所述第一子介质层的组成材料包括氧化铝、氧化锆中的至少一者，所述第二子介质层的组成材料包括氧化硅。
8、在一实施例中，所述第一栅极层位于所述第一有源层远离所述衬底的一侧，所述第一极板与所述第一栅极层同层设置，且所述第一极板的组成材料和所述第一栅极层的组成材料相同，所述第二极板位于所述第一极板远离或者靠近所述衬底的一侧。
9、在一实施例中，所述第二极板位于所述第一极板远离所述衬底的一侧，所述第二极板位于所述第一极板和所述第一源漏极层之间，或者所述第二极板和所述第一源漏极层同层设置。
10、在一实施例中，所述第二极板位于所述第一极板靠近所述衬底的一侧，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层和所述第一栅极层之间的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层与所述第一栅极层相对设置；
11、其中，所述第一介质层与所述栅极绝缘层同层设置。
12、在一实施例中，所述阵列基板还包括位于所述第一有源层靠近所述衬底的一侧的遮光层，所述第二极板位于所述第一极板靠近所述衬底的一侧；
13、其中，所述第二极板与所述遮光层同层设置。
14、在一实施例中，所述第一栅极层位于所述第一有源层靠近所述衬底的一侧，所述第一极板与所述第一栅极层同层设置，且所述第一极板的组成材料和所述第一栅极层的组成材料相同，所述第二极板位于所述第一极板远离所述衬底的一侧。
15、在一实施例中，所述第一薄膜晶体管为双栅薄膜晶体管，所述双栅薄膜晶体管包括位于所述第一有源层远离所述衬底的第一子栅极层、位于所述第一有源层靠近所述衬底的第二子栅极层。
16、在一实施例中，所述第一极板与所述第一子栅极层同层设置，且两者的组成材料相同，所述第二极板位于所述第一极板远离或者靠近所述衬底的一侧；
17、或者，所述第一极板与所述第二子栅极层同层设置，且两者的组成材料相同，所述第二极板位于所述第一极板远离或者靠近所述衬底的一侧。
18、在一实施例中，所述衬底上还限定出非显示区，所述阵列基板还包括：
19、第二薄膜晶体管，位于所述非显示区，所述第二薄膜晶体管在所述衬底上的正投影和所述第一薄膜晶体管在所述衬底上的正投影之间具有间隙，包括第二有源层，所述第一有源层位于所述第二有源层靠近所述衬底的一侧；
20、其中，所述第二有源层远离所述衬底的一侧依次设有第一子栅极绝缘层和第二栅极层，所述第一有源层远离所述衬底的一侧依次设有第二子栅极绝缘层、第三子栅极绝缘层和第一栅极层，所述第二有源层靠近所述衬底的一侧设有第四子栅极绝缘层；
21、其中，所述第一子栅极绝缘层的组成材料和所述第三子栅极绝缘层的组成材料相同，所述第二子栅极绝缘层的组成材料和所述第四子栅极绝缘层的组成材料相同。
22、在一实施例中，所述第二子介质层还位于所述非显示区，所述第二有源层在所述衬底上的正投影位于所述第二子介质层在所述衬底上的正投影之中。
23、本专利技术实施例提供显示面板，包括：
24、如上文任一所述的阵列基板；
25、金属转接层，位于所述第一薄膜晶体管远离所述衬底的一侧；
26、像素层，位于所述金属转接层远离所述衬底的一侧，所述金属转接层电性连接所述第一源漏极层和所述像素层。
27、本专利技术提供了阵列基板和显示面板，包括：衬底，所述衬底上限定出像素区和电容区；第一薄膜晶体管，位于所述衬底上的所述像素区，包括第一有源层、位于所述第一有源层靠近或远离所述衬底的一侧的第一栅极层、位于所述第一有源层远离所述衬底的一侧的第一源漏极层，所述第一源漏极层电性连接至所述第一有源层；第一电容，包括异层设置且相对设置的第一极板、第二极板(位于所述衬底上的所述电容区)，以及位于所述第一极板和所述第二极板之间的第一介质层，所述第一介质层包括第一子介质层、位于所述第一子介质层靠近所述第一有源层一侧的第二子介质层(位于所述像素区和所述电容区)；其中，本专利技术中通过将所述第一子介质层的介电常数设置为大于所述第二子介质层的介电常数，增加了第一电容的电容值，并且将所述第一有源层在所述衬底上的正投影设置为位于所述第二子介质层在所述衬底上的正投影之中，降低了第一有源层失效的风险。
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1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子介质层的组成材料包括氧化铝、氧化锆中的至少一者，所述第二子介质层的组成材料包括氧化硅。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极层位于所述第一有源层远离所述衬底的一侧，所述第一极板与所述第一栅极层同层设置，且所述第一极板的组成材料和所述第一栅极层的组成材料相同，所述第二极板位于所述第一极板远离或者靠近所述衬底的一侧。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二极板位于所述第一极板远离所述衬底的一侧，所述第二极板位于所述第一极板和所述第一源漏极层之间，或者所述第二极板和所述第一源漏极层同层设置。
5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二极板位于所述第一极板靠近所述衬底的一侧，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层和所述第一栅极层之间的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层与所述第一栅极层相对设置；
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述第一有源层靠近所述衬底的一侧的遮光层
7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极层位于所述第一有源层靠近所述衬底的一侧，所述第一极板与所述第一栅极层同层设置，且所述第一极板的组成材料和所述第一栅极层的组成材料相同，所述第二极板位于所述第一极板远离所述衬底的一侧。
8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为双栅薄膜晶体管，所述双栅薄膜晶体管包括位于所述第一有源层远离所述衬底的第一子栅极层、位于所述第一有源层靠近所述衬底的第二子栅极层。
9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一极板与所述第一子栅极层同层设置，且两者的组成材料相同，所述第二极板位于所述第一极板远离或者靠近所述衬底的一侧；
10.如权利要求1至9任一所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底上还限定出非显示区，所述阵列基板还包括：
11.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第二子介质层还位于所述非显示区，所述第二有源层在所述衬底上的正投影位于所述第二子介质层在所述衬底上的正投影之中。
12.一种显示面板，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子介质层的组成材料包括氧化铝、氧化锆中的至少一者，所述第二子介质层的组成材料包括氧化硅。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极层位于所述第一有源层远离所述衬底的一侧，所述第一极板与所述第一栅极层同层设置，且所述第一极板的组成材料和所述第一栅极层的组成材料相同，所述第二极板位于所述第一极板远离或者靠近所述衬底的一侧。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二极板位于所述第一极板远离所述衬底的一侧，所述第二极板位于所述第一极板和所述第一源漏极层之间，或者所述第二极板和所述第一源漏极层同层设置。
5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二极板位于所述第一极板靠近所述衬底的一侧，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层和所述第一栅极层之间的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层与所述第一栅极层相对设置；
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述第一有源层靠近所述衬底的一侧的遮光层，所述第二极板位于所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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