【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光敏半导体，尤其涉及一种配体化合物、含有该配体化合物的复合物及复合物溶液、应用该复合物的图案化发光层及其制备方法、应用该图案化发光层的装置及应用该装置的电子设备。
技术介绍
1、电致(或光致)发光装置中的半导体发光层(例如量子点发光层)通常需要进行图案化，业界对半导体发光层的图案化方法主要有转印法和光刻胶刻蚀法。但，转印法的加工尺寸受限，无法实现微小尺寸产品的图案化，图案化精细度低，且加工良率低；而光刻胶蚀刻法的工艺复杂，且显影液和刻蚀液对半导体发光层及其他功能层(例如空穴传输层/电子传输层等)存在不良影响，从而影响电致(或光致)发光装置的良率。
技术实现思路
1、鉴于此，为解决以上缺陷的至少之一，本申请实施例有必要提出一种光敏活性较高的配体化合物。
2、另，本申请实施例还提出一种含有该配体化合物的复合物及其溶液、应用该复合物的图案化发光层及其制备方法、应用该图案化发光层的装置及应该装置的电子设备。
3、本申请实施例第一方面提供了配体化合物，所述配体化合物具有如下式(i)的结构：
4、x-y-l-(z)n (i)，
5、其中，x是hooc-，nh2-，hooop-，hss-或hs-；
6、y是单键，脂肪族有机基团，芳香族有机基团，以及含有酯基、醚基、羰基及酰胺基中的至少一种的有机基团中的至少一种；
7、l是具有至少三价的原子或至少具有三个化学键的有机基团；
8、z是末封端基团为可交联基
9、n是大于或等于2的整数。
10、本申请实施例通过在配体化合物的分子主链的一个末端引入多个末封端基团为可交联基团的有机基团，能够增加每个配体化合物上的可交联基团的数量，进而提高配体化合物的光敏活性，有利于减少曝光剂量，同时缩短曝光时长以提高图案化效率。
11、在一些实施例中，所述式(i)中的z选自烯烃基，炔烃基，烯丙基，丙烯酸基，丙烯酰基，丙烯酰胺基，叠氮基，叠氮苯基，氟取代的叠氮苯基，重氮碳，苯甲酮，以及肉桂酸基中的至少一种。
12、以上有机基团的末封端基团为双键或三键，这些末封端基团具有可交联功能，在所述式(i)中含有多个以上有机基团，增加了可交联基团的数量，能进一步提高所述配体化合物的光敏活性。
13、在一些实施例中，所述式(i)中的l包括碳或氮。
14、碳为四价原子，能与其他原子或有机基团形成四个化学键，可以连接两个或三个具有末封端基团的z；氮为三价原子，能与其他原子或有机基团形成三个化学键，可以连接两个具有末封端基团的z。因此，当式(i)中的l中包括碳或氮时，可以在配体化合物中接入两个或三个z，有利于提高配体化合物的光敏活性，而且，此时z基团的键接位阻较小，有利于配体化合物中多个z基团的引入。
15、在一些实施例中，所述式(i)中的y是饱和脂肪族有机基团，且选自饱和脂肪烃基、脂族酯基、脂族酰胺基、脂族氧羰基及脂族醚基中的至少一种。
16、通过在配体化合物的分子中接入饱和脂肪族有机基团，可提高配体化合物分子链的柔性，有利于不同配体化合物的末端可交联基团之间接触发生交联反应。
17、在一些实施例中，所述配体化合物具有如式(ii)至式(iv)中任意一化学式所示的结构：
18、
19、其中，所述式(ii)至式(iv)中的z均是末封端基团为可交联基团的有机基团。
20、通过在配体化合物的分子主链一个末端接入了两个或三个末封端基团为可交联基团的z，增加了活性位点的数量，进而增加了不同半导体颗粒物上的可交联基团之间接触的机会，提高了配体化合物的光敏活性，而且也能够提高交联密度，增加最终交联结构的稳定性。另外，当式(i)中的y为碳原子数为1-22的饱和脂肪酯基时，在合成过程中，y结构的原料仅末端具有羧基，活性连接位点的位置确定，有利于有机基团z引入主链的末端，合成路径更容易实现，从而得到本申请设计的前述式(i)结构的配体化合物。
21、在一些实施例中，所述可交联基团为碳-碳双键，所述配体化合物具有如式(v)至式(xvi)中任意一化学式所示的结构：
22、
23、本申请实施例第二方面提供了一种复合物，该复合物包括半导体颗粒以及至少一种如上所述的配体化合物，所述配体化合物与所述半导体颗粒表面配位连接。
24、本申请实施例的配体化合物在分子主链的末端连接多个具有交联活性的有机基团z，增加了配体化合物分子主链末端的可交联基团的数量，有利于提高光敏活性，同时，可交联基团又位于每个有机基团z的末端，增加了不同复合物上的可交联基团之间接触的机会，有利于不同半导体颗粒复合物的可交联基团之间的接触进而发生交联固化反应，以进一步提高光敏活性、减少曝光剂量、同时缩短曝光时长以提高图案化效率，而且能够提高交联密度，增加最终形成的交联结构的稳定性。
25、在一些实施例中，所述半导体颗粒包括cds，cdse，cdte，zns，znse，znte，pbs，pbse，pbte，hgs，hgse，hgte，gan，gap，gaas，inp，inas，zno，sno2，tio2，in2o3，ga2o3，sio2，nio，moo3，wo3，cu2o，cuo，fe3o4，au，ag，碳点，cspbcl3，cspbbr3，cspbi3，ch3nh3pbcl3，ch3nh3pbbr3以及ch3nh3pbi3中的至少一种。
26、在一些实施例中，还包括辅助分散配体，所述辅助分散配体与所述半导体颗粒表面配位连接，所述配体化合物的重量占所述辅助分散配体和所述配体化合物总重量的2％～50％。
27、通过增加辅助分散配体，可以提高前述实施例合成的新型配体化合物的分散性，以利于新型配体化合物均匀连接在半导体颗粒的表面，进一步提高半导体颗粒的光敏活性；而且，通过增加辅助分散配体，还可以在提高半导体颗粒光敏活性的同时，降低新型配体化合物的用量；另外，新型配体化合物的添加量过低(小于2％)则对半导体颗粒光敏活性的提高程度有限，若新型配体化合物的添加量过高(超过50％)，辅助分散配体的量太少，不利于新型配体化合物的均匀分散，且增加了新型配体化合物的用量，进而提高了新型配体化合物的成本，因此，本申请实施例将配体化合物的重量占比控制在2％～50％范围内。
28、在一些实施例中，所述配体化合物的重量占所述辅助分散配体和所述配体化合物总重量的5％～30％。
29、在一些实施例中，所述辅助分散配体包括脂肪酸，不饱和脂肪酸，脂肪胺，不饱和脂肪胺，烷基硫醇，不饱和烷基硫醇，烷基膦酸及不饱和烷基膦酸中的至少一种。
30、通过在复合物中加入以上类型的辅助分散配体，有利于降低新型配体化合物的用量，进而降低成本，同时将少量新型配体化合物与辅助分散配体复配后，可以使少量新型配体化合物均匀附着于半导体颗粒的表面，而且能够提高半导体颗粒复合物在有机溶剂本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种配体化合物，其特征在于，所述配体化合物具有如下式(I)的结构：
2.根据权利要求1所述的配体化合物，其特征在于，所述式(I)中的Z选自烯烃基，炔烃基，烯丙基，丙烯酸基，丙烯酰基，丙烯酰胺基，叠氮基，叠氮苯基，氟取代的叠氮苯基，重氮碳，苯甲酮，以及肉桂酸基中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的配体化合物，其特征在于，所述式(I)中的L包括碳或氮。
4.根据权利要求1所述的配体化合物，其特征在于，所述式(I)中的Y是饱和脂肪族有机基团，且选自饱和脂肪烃基、脂族酯基、脂族酰胺基、脂族氧羰基及脂族醚基中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的配体化合物，其特征在于，所述配体化合物具有如式(II)至式(IV)中任意一化学式所示的结构：
6.根据权利要求5所述的配体化合物，其特征在于，所述可交联基团为碳-碳双键，所述配体化合物具有如式(V)至式(XVI)中任意一化学式所示的结构：
7.一种复合物，其特征在于，包括半导体颗粒以及至少一种根据权利要求1至6中的任意一项所述的配体化合物，所述配体化合物与所述半导体颗粒表
8.根据权利要求7所述的复合物，其特征在于，所述半导体颗粒包括CdS，CdSe，CdTe，ZnS，ZnSe，ZnTe，PbS，PbSe，PbTe，HgS，HgSe，HgTe，GaN，GaP，GaAs，InP，InAs，ZnO，SnO2，TiO2，In2O3，Ga2O3，SiO2，NiO，MoO3，WO3，Cu2O，CuO，Fe3O4，Au，Ag，碳点，CsPbCl3，CsPbBr3，CsPbI3，CH3NH3PbCl3，CH3NH3PbBr3以及CH3NH3PbI3中的至少一种。
9.根据权利要求7所述的复合物，其特征在于，还包括辅助分散配体，所述辅助分散配体与所述半导体颗粒表面配位连接，所述配体化合物的重量占所述辅助分散配体和所述配体化合物总重量的2％～50％。
10.根据权利要求9所述的复合物，其特征在于，所述配体化合物的重量占所述辅助分散配体和所述配体化合物总重量的5％～30％。
11.根据权利要求9所述的复合物，其特征在于，所述辅助分散配体包括脂肪酸，不饱和脂肪酸，脂肪胺，不饱和脂肪胺，烷基硫醇，不饱和烷基硫醇，烷基膦酸及不饱和烷基膦酸中的至少一种。
12.一种复合物溶液，其特征在于，包括有机溶剂和分散于所述有机溶剂的根据权利要求7至11中任意一项所述的复合物。
13.一种图案化发光层，其特征在于，包括交联结构，所述交联结构由权利要求7至10中任意一项所述的复合物交联得到。
14.一种图案化发光层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
15.根据权利要求14所述的图案化发光层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：曝光含有权利要求7至11中任意一项所述的复合物的膜，得到曝光膜；以及
16.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，所述曝光的时间为0.1～600秒。
17.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，所述曝光采用的光照强度为0.001～1000mW/cm2。
18.一种装置，其特征在于，包括如权利要求13所述的图案化发光层，或由权利要求14至17中任意一项所述的图案化发光层的制备方法制得的图案化发光层。
19.一种电子设备，其特征在于，包括壳体和位于所述壳体上的如权利要求18所述的装置。
...【技术特征摘要】
1.一种配体化合物，其特征在于，所述配体化合物具有如下式(i)的结构：
2.根据权利要求1所述的配体化合物，其特征在于，所述式(i)中的z选自烯烃基，炔烃基，烯丙基，丙烯酸基，丙烯酰基，丙烯酰胺基，叠氮基，叠氮苯基，氟取代的叠氮苯基，重氮碳，苯甲酮，以及肉桂酸基中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的配体化合物，其特征在于，所述式(i)中的l包括碳或氮。
4.根据权利要求1所述的配体化合物，其特征在于，所述式(i)中的y是饱和脂肪族有机基团，且选自饱和脂肪烃基、脂族酯基、脂族酰胺基、脂族氧羰基及脂族醚基中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的配体化合物，其特征在于，所述配体化合物具有如式(ii)至式(iv)中任意一化学式所示的结构：
6.根据权利要求5所述的配体化合物，其特征在于，所述可交联基团为碳-碳双键，所述配体化合物具有如式(v)至式(xvi)中任意一化学式所示的结构：
7.一种复合物，其特征在于，包括半导体颗粒以及至少一种根据权利要求1至6中的任意一项所述的配体化合物，所述配体化合物与所述半导体颗粒表面配位连接。
8.根据权利要求7所述的复合物，其特征在于，所述半导体颗粒包括cds，cdse，cdte，zns，znse，znte，pbs，pbse，pbte，hgs，hgse，hgte，gan，gap，gaas，inp，inas，zno，sno2，tio2，in2o3，ga2o3，sio2，nio，moo3，wo3，cu2o，cuo，fe3o4，au，ag，碳点，cspbcl3，cspbbr3，cspbi3，ch3nh3pbcl3，ch3nh3pbbr3以及ch3nh3pbi3中的至...
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