【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及滤波器，尤其是一种含有半模基片同轴谐振器的滤波器 。
技术介绍
1、随着以5g为代表的通信技术迅速发展，6ghz以下频段的滤波器在射频系统中被迫切需要。可重构带通滤波器作为带通滤波器的一种，可以有效利用现在的频谱资源，满足不同的应用要求（频率&零点），在一定程度上减少所需滤波器件的数量和系统尺寸，这有利于满足通信射频系统对于小型化的需求。目前市面上主要采用的是印刷电路板（pcb）工艺，以siw（基片集成波导）和微带等为代表，有设计难度和加工成本低等特点，且伴随着适用频段广，性能高的优势。由于siw传输模式的限制，低于其截止频率以下的电磁信号无法在siw中传输，同时受制于其腔体谐振原理，存在尺寸大的缺陷。
技术实现思路
1、为解决上述现有技术问题，本专利技术提供一种含有半模基片同轴谐振器的滤波器，解决了现有技术中siw因为腔体谐振原理，导致尺寸大的问题。
2、本专利技术的一方面，提供了一种含有半模基片同轴谐振器的滤波器，具有：
3、容纳装置；
4、第一谐振器；
5、第二谐振器；
6、两个第一偏置电路；
7、两个第二偏置电路；
8、第三偏置电路；
9、第一电压源；
10、第二电压源；
11、第三电压源；
12、其中，所述容纳装置用于容纳所述第一谐振器、所述第二谐振器、所述两个第一偏置电路、所述两个第二偏置电路以及所述第三偏置电路，所述
13、其中，所述两个第一偏置电路的输入端分别与所述第一电压源的正极电性连接，所述两个第一偏置电路的第一输出端分别接地，所述第一电压源的负极接地，所述第一电压源和所述两个第一偏置电路用于调整所述第一谐振器与所述第二谐振器电耦合之外的电场强度；
14、其中，第一个所述第二偏置电路的输入端与所述第二电压源的正极电性连接，第一个所述第二偏置电路的第一输出端与所述第一谐振器电性连接，所述第二电压源的负极接地，第一个所述第二偏置电路的第二输出端接地；
15、其中，第二个所述第二偏置电路的输入端与所述第二电压源的正极电性连接，第二个所述第二偏置电路的第一输出端与所述第二谐振器电性连接，所述第二电压源的负极接地，第二个所述第二偏置电路的第二输出端接地，所述第二电压源和第一个所述第二偏置电路调整所述第一谐振器的频率，所述第二电压源和第二个所述第二偏置电路调整所述第二谐振器的频率；
16、其中，所述第三偏置电路的输入端与所述第三电压源的正极电性连接，所述第三偏置电路的输出端与所述第一谐振器电性连接，所述第三偏置电路的输出端与所述第二谐振器电性连接，所述第三电压源的负极接地；
17、其中，所述第三电压源和所述第三偏置电路调整所述第一谐振器与所述第二谐振器之间电磁混合耦合的电场强度。
18、在一实施例中，含有半模基片同轴谐振器的滤波器还包括信号输入馈线和信号输出馈线，第一个所述第一偏置电路的第二输出端与信号输入馈线的输入端电性连接，所述信号输入馈线的输出端与信号输出馈线的第一输入端电性连接，第二个所述第一偏置电路的第二输出端与所述信号输出馈线的第二输入端电性连接，所述信号输入馈线用于将信号源输出的信号传输至第一个所述第一偏置电路，第一个所述第一偏置电路和第二个所述第一偏置电路对所述信号的耦合强度进行调整，所述信号输出馈线用于输出调整后的信号。
19、在一实施例中，第一个所述第一偏置电路包括第一偏置电阻、第一变容二极管和第一旁路电容，所述第一偏置电阻的输入端与所述第一电压源的正极电性连接，所述第一偏置电阻的输出端分别与所述第一变容二极管的第一输入端、所述第一旁路电容的输入端连接，所述第一变容二极管的输出端与所述信号输入馈线电性连接，所述第一旁路电容的第一输出端接地，所述第一变容二极管的第二输入端与所述第一旁路电容的第二输出端电性连接。
20、在一实施例中，第一个所述第二偏置电路包括第二偏置电阻、第二旁路电容和第二变容二极管，所述第二偏置电阻的输入端与所述第二电压源的正极电性连接，所述第二偏置电阻的输出端分别与所述第二旁路电容的输入端、所述第二变容二极管的第一输入端电性连接，所述第二变容二极管的输出端与所述第一谐振器电性连接，所述第二旁路电容的第一输出端接地，所述第二变容二极管的第二输入端与所述第二旁路电容的第二输出端连接。
21、在一实施例中，第二个所述第二偏置电路包括第三偏置电阻、第三旁路电容和第三变容二极管，所述第三偏置电阻的输入端与所述第二电压源的正极电性连接，所述第三偏置电阻的输出端分别与所述第三旁路电容的输入端、所述第三变容二极管的第一输入端电性连接，所述第三变容二极管的输出端与所述第二谐振器电性连接，所述第三旁路电容的第一输出端接地，所述第三变容二极管的第二输入端与所述第三旁路电容的第二输出端电性连接。
22、在一实施例中，所述第三偏置电路包括第四偏置电阻、第四旁路电容和第四变容二极管，所述第四偏置电阻的输入端与所述第三电压源的正极电性连接，所述第四偏置电阻的输出端分别与所述第四旁路电容的输入端、所述第四变容二极管的第一输入端电性连接，所述第四变容二极管的第一输出端与所述第一谐振器电性连接，所述第四变容二极管的第二输入端与所述第四旁路电容的第二输出端电性连接，所述第四旁路电容的第三输出端与所述第二谐振器进行电性连接。
23、在一实施例中，所述容纳装置包括第一层介质基板、第二层介质基板、第一层金属铜层、第二层金属铜层、第三层金属铜层和第四层金属铜层，所述第四层金属铜层上方设置有所述第二层介质基板，所述第二层介质基板上方设置有所述第三层金属铜层，所述第三层金属铜层上方设置有所述第二层金属铜层，所述第二层金属铜层上方设置有所述第一层介质基板，所述第一层介质基板上方设置有所述第一层金属铜层，所述第一层介质基板内设置有所述两个第一偏置电路、所述两个第二偏置电路和所述第三偏置电路，所述第二层介质板内设置有所述第一谐振器和所述第二谐振器。
24、在一实施例中，所述第一层介质基板上设置有屏蔽腔，所述第一谐振器、所述第二谐振器、所述两个第二偏置电路、所述第三偏置电路位于所述屏蔽腔内，所述屏蔽腔用于对所述第一谐振器、所述第二谐振器、所述两个第二偏置电路和所述第三偏置电路进行隔离。
25、在一实施例中，所述第一层介质基板开设有相对设置的开路槽，所述第一谐振器、所述第二谐振器、所述两个第二偏置电路和所述第三偏置电路位于两个所述开路槽之间，所述第一谐振器、所述第二谐振器分别与一个所述开路槽连接，所述开路槽用于为所述第一谐振器、所述第二谐振器提供磁壁。
26、在一实施例中，所述屏蔽腔由多个金属通孔构成，所述多个金属通孔围绕所述第一谐振器、所述第二谐振器、所述两个第二偏置电路本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种含有半模基片同轴谐振器的滤波器，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的含有半模基片同轴谐振器的滤波器，其特征在于，还包括信号输入馈线（44）和信号输出馈线（45），第一个所述第一偏置电路（46）的第二输出端与信号输入馈线（44）的输入端电性连接，所述信号输入馈线（44）的输出端与信号输出馈线（45）的第一输入端电性连接，第二个所述第一偏置电路（47）的第二输出端与所述信号输出馈线（45）的第二输入端电性连接，所述信号输入馈线（44）用于将信号源输出的信号传输至第一个所述第一偏置电路（46），第一个所述第一偏置电路（46）和第二个所述第一偏置电路（47）对所述信号的耦合强度进行调整，所述信号输出馈线（45）用于输出调整后的信号。
3.根据权利要求1所述的含有半模基片同轴谐振器的滤波器，其特征在于，第一个所述第一偏置电路（46）包括第一偏置电阻（41）、第一变容二极管（42）和第一旁路电容（43），所述第一偏置电阻（41）的输入端与所述第一电压源（70）的正极电性连接，所述第一偏置电阻（41）的输出端分别与所述第一变容二极管（42）的第一输入端、
4.根据权利要求1所述的含有半模基片同轴谐振器的滤波器，其特征在于，第一个所述第二偏置电路（51）包括第二偏置电阻（511）、第二旁路电容（512）和第二变容二极管（513），所述第二偏置电阻（511）的输入端与所述第二电压源（80）的正极电性连接，所述第二偏置电阻（511）的输出端分别与所述第二旁路电容（512）的输入端、所述第二变容二极管（513）的第一输入端电性连接，所述第二变容二极管（513）的输出端与所述第一谐振器（20）电性连接，所述第二旁路电容（512）的第一输出端接地，所述第二变容二极管（513）的第二输入端与所述第二旁路电容（512）的第二输出端连接。
5.根据权利要求1所述的含有半模基片同轴谐振器的滤波器，其特征在于，第二个所述第二偏置电路（52）包括第三偏置电阻、第三旁路电容和第三变容二极管，所述第三偏置电阻的输入端与所述第二电压源（80）的正极电性连接，所述第三偏置电阻的输出端分别与所述第三旁路电容的输入端、所述第三变容二极管的第一输入端电性连接，所述第三变容二极管的输出端与所述第二谐振器（30）电性连接，所述第三旁路电容的第一输出端接地，所述第三变容二极管的第二输入端与所述第三旁路电容的第二输出端电性连接。
6.根据权利要求1所述的含有半模基片同轴谐振器的滤波器，其特征在于，所述第三偏置电路（60）包括第四偏置电阻（61）、第四旁路电容（62）和第四变容二极管（63），所述第四偏置电阻（61）的输入端与所述第三电压源（90）的正极电性连接，所述第四偏置电阻（61）的输出端分别与所述第四旁路电容（62）的输入端、所述第四变容二极管（63）的第一输入端电性连接，所述第四变容二极管（63）的第一输出端与所述第一谐振器（20）电性连接，所述第四变容二极管的第二输入端与所述第四旁路电容（62）的第二输出端电性连接，所述第四旁路电容（62）的第三输出端与所述第二谐振器（30）进行电性连接。
7.根据权利要求1所述的含有半模基片同轴谐振器的滤波器，其特征在于，所述容纳装置（10）包括第一层介质基板（11）、第二层介质基板（12）、第一层金属铜层（13）、第二层金属铜层（14）、第三层金属铜层（15）和第四层金属铜层（16），所述第四层金属铜层（16）上方设置有所述第二层介质基板（12），所述第二层介质基板（12）上方设置有所述第三层金属铜层（15），所述第三层金属铜层（15）上方设置有所述第二层金属铜层（14），所述第二层金属铜层（14）上方设置有所述第一层介质基板（11），所述第一层介质基板（11）上方设置有所述第一层金属铜层（13），所述第一层介质基板（11）内设置有所述两个第一偏置电路、所述两个第二偏置电路和所述第三偏置电路（60），所述第二层介质板（12）内设置有所述第一谐振器（20）和所述第二谐振器（30）。
8.根据权利要求7所述的含有半模基片同轴谐振器的滤波器，其特征在于，所述第一层介质基板（11）上设置有屏蔽腔（121），所述第一谐振器（20）、所述第二谐振器（30）、所述两个第二偏置电路、所述第三偏置电路（60）位于所述屏蔽腔（121）内，所述屏蔽腔（121）用于对所述第一谐振器（20）、所述第二谐振器（30）、所述两个第二...
【技术特征摘要】
1.一种含有半模基片同轴谐振器的滤波器，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的含有半模基片同轴谐振器的滤波器，其特征在于，还包括信号输入馈线（44）和信号输出馈线（45），第一个所述第一偏置电路（46）的第二输出端与信号输入馈线（44）的输入端电性连接，所述信号输入馈线（44）的输出端与信号输出馈线（45）的第一输入端电性连接，第二个所述第一偏置电路（47）的第二输出端与所述信号输出馈线（45）的第二输入端电性连接，所述信号输入馈线（44）用于将信号源输出的信号传输至第一个所述第一偏置电路（46），第一个所述第一偏置电路（46）和第二个所述第一偏置电路（47）对所述信号的耦合强度进行调整，所述信号输出馈线（45）用于输出调整后的信号。
3.根据权利要求1所述的含有半模基片同轴谐振器的滤波器，其特征在于，第一个所述第一偏置电路（46）包括第一偏置电阻（41）、第一变容二极管（42）和第一旁路电容（43），所述第一偏置电阻（41）的输入端与所述第一电压源（70）的正极电性连接，所述第一偏置电阻（41）的输出端分别与所述第一变容二极管（42）的第一输入端、所述第一旁路电容（43）的输入端连接，所述第一变容二极管（42）的输出端与所述信号输入馈线（44）电性连接，所述第一旁路电容（43）的第一输出端接地，所述第一变容二极管（42）的第二输入端与所述第一旁路电容（43）的第二输出端电性连接。
4.根据权利要求1所述的含有半模基片同轴谐振器的滤波器，其特征在于，第一个所述第二偏置电路（51）包括第二偏置电阻（511）、第二旁路电容（512）和第二变容二极管（513），所述第二偏置电阻（511）的输入端与所述第二电压源（80）的正极电性连接，所述第二偏置电阻（511）的输出端分别与所述第二旁路电容（512）的输入端、所述第二变容二极管（513）的第一输入端电性连接，所述第二变容二极管（513）的输出端与所述第一谐振器（20）电性连接，所述第二旁路电容（512）的第一输出端接地，所述第二变容二极管（513）的第二输入端与所述第二旁路电容（512）的第二输出端连接。
5.根据权利要求1所述的含有半模基片同轴谐振器的滤波器，其特征在于，第二个所述第二偏置电路（52）包括第三偏置电阻、第三旁路电容和第三变容二极管，所述第三偏置电阻的输入端与所述第二电压源（80）的正极电性连接，所述第三偏置电阻的输出端分别与所述第三旁路电容的输入端、所述第三变容二极管的第一输入端电性连接，所述第三变容二极管的输出端与所述第二谐振器（30）电性连接，所述第三旁路电容的第一输出端接地，所述第三变容二极管的第二输入端与所述第三旁路电容的第二输出端电性连接。
6.根据权利要求1所述的含有半模基片同轴谐振器的滤波器，其特征在于，所述第三偏置电路（60）包括第四偏置电阻（61）、第四旁路电容（62）和第四变容二极管（63），所述第四偏置电阻（61）的输入端与所述第三电压源（90）的正极...
【专利技术属性】
技术研发人员：董元旦，郑琰，田寒宇，安苏生，
申请(专利权)人：无锡频岢微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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