【技术实现步骤摘要】
本技术涉及二维材料制备,尤其涉及一种二维材料转移装置。
技术介绍
1、二维材料是指电子仅可在两个维度的非纳米尺度(1nm-100nm)上自由运动(平面运动)的材料。随着半导体材料和器件应用的发展趋势逐渐趋于小型化,二维材料受到了材料界的广泛关注,其在集成电路上具有良好的应用前景。
2、但是,由于某些二维材料本身的特性,其只能在固定的材料表面进行生长制备。对于该特殊二维材料,当需要将二维材料包覆至目标基材时,就只能先在可生长二维材料的基材表面制备,然后再转移至目标基材上。现有技术中二维材料的转移通常采用人工手动完成,导致其具有产能低、无法量产、重复性差等缺陷。
3、此外,在二维材料转移至目标基材之后,很多情况下需要进行下一个工序,因此太久暴露在空气中会对二维材料表面产生不利的影响。在这种情况下,就希望其表面一直保持有保护层,待下一个工序再取下。
4、因此,亟需提出一种二维材料转移装置,以解决上述问题。
技术实现思路
1、本技术的目的之一在于提供一种二维材料转移装置,可以实现二维材料的自动化转移,转移效率较高,重复性好,且能实现量产。
2、本技术的目的之二在于提供一种二维材料转移装置,可以实现在二维材料转移完成之后表面有保护层的存在,对目标基材上的二维材料起到保护作用。
3、如上构思,本技术所采用的技术方案是:
4、一种二维材料转移装置,用于将生长基材上生长的二维材料转移至目标基材上,所述二维材料转移装置包括:
...【技术保护点】
1.一种二维材料转移装置,用于将生长基材上生长的二维材料转移至目标基材上,其特征在于,所述二维材料转移装置包括:
2.根据权利要求1所述的二维材料转移装置,其特征在于,所述二维材料转移装置还包括裁切单元(400),所述裁切单元(400)位于所述承载单元(200)的上方,所述裁切单元(400)被配置为按照所述目标基材的轮廓对粘附在所述目标基材上的承载膜料带(10)进行裁切,以在所述目标基材表面形成保护膜。
3.根据权利要求2所述的二维材料转移装置,其特征在于,所述裁切单元(400)包括:
4.根据权利要求3所述的二维材料转移装置,其特征在于,所述裁切升降驱动源(403)沿所述旋转平台(402)长度方向的位置可调。
5.根据权利要求2所述的二维材料转移装置,其特征在于,所述二维材料转移装置还包括残余膜输送单元(100),所述残余膜输送单元(100)被配置卷收经所述裁切单元(400)裁切完保护膜后剩余的承载膜料带(10)。
6.根据权利要求1所述的二维材料转移装置,其特征在于,所述承载位(203)上设置有吸附结构,所述吸附结构
7.根据权利要求1所述的二维材料转移装置,其特征在于,所述承载单元(200)包括:
8.根据权利要求1所述的二维材料转移装置,其特征在于,所述滚压单元(300)还包括:
9.根据权利要求1所述的二维材料转移装置,其特征在于,所述承载膜料带夹持运动单元(500)包括:
10.根据权利要求9所述的二维材料转移装置,其特征在于,所述承载膜料带夹持运动单元(500)还包括凸型滚筒(502),所述凸型滚筒(502)可转动地设置于所述夹持组件(501)的上方,所述凸型滚筒(502)的直径由其中间位置向两端逐渐减小。
11.根据权利要求9所述的二维材料转移装置,其特征在于,所述承载膜料带夹持运动单元(500)还包括导向组件(503),所述导向组件(503)包括沿竖直方向延伸的导轨(5031)和滑动配合于所述导轨(5031)上的导向件(5032),所述夹持组件(501)与所述导向件(5032)相连接。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的二维材料转移装置,其特征在于,所述滚压滚筒(301)上设置有加热件,所述加热件能通过所述滚压滚筒(301)对所述承载膜料带(10)进行加热;和/或
...【技术特征摘要】
1.一种二维材料转移装置,用于将生长基材上生长的二维材料转移至目标基材上,其特征在于,所述二维材料转移装置包括:
2.根据权利要求1所述的二维材料转移装置,其特征在于,所述二维材料转移装置还包括裁切单元(400),所述裁切单元(400)位于所述承载单元(200)的上方,所述裁切单元(400)被配置为按照所述目标基材的轮廓对粘附在所述目标基材上的承载膜料带(10)进行裁切,以在所述目标基材表面形成保护膜。
3.根据权利要求2所述的二维材料转移装置,其特征在于,所述裁切单元(400)包括:
4.根据权利要求3所述的二维材料转移装置,其特征在于,所述裁切升降驱动源(403)沿所述旋转平台(402)长度方向的位置可调。
5.根据权利要求2所述的二维材料转移装置,其特征在于,所述二维材料转移装置还包括残余膜输送单元(100),所述残余膜输送单元(100)被配置卷收经所述裁切单元(400)裁切完保护膜后剩余的承载膜料带(10)。
6.根据权利要求1所述的二维材料转移装置,其特征在于,所述承载位(203)上设置有吸附结构,所述吸附结构能够吸附所述生长基材或者目标基材。
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【专利技术属性】
技术研发人员:陈健健,马梅,朱静,蔡阿利,王建新,李琳琳,
申请(专利权)人:北京石墨烯研究院有限公司,
类型:新型
国别省市:
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