【技术实现步骤摘要】
本公开涉及显示装置和能够简化其制造工艺的制造显示装置的方法。
技术介绍
1、由于信息技术的日益发展，包括薄膜晶体管的显示装置的重要性已经增强。薄膜晶体管由栅电极、有源层、源电极和漏电极组成。根据其中电极被布置的结构，薄膜晶体管具有其中有源层定位在栅电极上的结构或其中栅电极定位在有源层上的结构。
2、在栅电极定位在有源层上的情况下，有源层被直接暴露于从衬底的底部流入的光。因此，可能在有源层中出现光泄露电流，并且可能出现诸如串扰的缺陷。为了防止这种情况，光屏蔽膜可以被提供在有源层之下。
3、在形成显示装置的工艺中需要多个掩模工艺。期望用减少数量的掩模工艺来制造显示装置以节省时间和金钱。
4、应理解，该
技术介绍
部分意在部分地提供用于理解技术的有用背景。然而，该技术背景部分也可以包括在本文中公开的主题的对应有效申请日之前不是由相关领域的技术人员理解的部分的想法、构思或认识。
技术实现思路
1、实施方式提供了以简化的制造工艺制造的显示装置。
2、然而，本公开的实施方式并不限于本文中阐述的那些。通过参考下面给出的本公开的详细描述，上述和其它实施方式对于本公开所属领域中的普通技术人员而言将变得更加明显。
3、根据本公开的实施方式的显示装置包括：定位在衬底上并且包括第一部分和具有比第一部分的厚度大的厚度的第二部分的光阻挡层；定位在光阻挡层上方的缓冲层；定位在缓冲层之上并且包括源区、沟道区和漏区的半导体层；定位在半导体层之上的栅绝缘层；定位
4、显示装置还可以包括定位在第二开口的侧表面上的第一虚设栅绝缘层和定位在第二开口的侧表面上的第二虚设栅电极。
5、层间绝缘层还可以包括在平面视图中与半导体层的漏区重叠的第三开口。显示装置还可以包括定位在第三开口的侧表面上的第二虚设栅绝缘层和定位在第三开口的侧表面上的第三虚设栅电极。
6、第一虚设栅电极、第二虚设栅电极、第三虚设栅电极和栅电极可以定位在同一层，并且第一虚设栅绝缘层、第二虚设栅绝缘层和栅绝缘层可以定位在同一层。
7、半导体层可以在平面视图中与光阻挡层的第一部分重叠。
8、定位在光阻挡层的第二部分之上的缓冲层的最上表面可以被定位成比半导体层的最上表面更远离衬底。
9、光阻挡层的第二部分可以在平面视图中不与栅绝缘层或第一虚设栅绝缘层重叠。
10、显示装置还可以包括定位在层间绝缘层上的源电极和定位在层间绝缘层上的漏电极。源电极可以通过第一开口与光阻挡层接触，并且通过第二开口与半导体层的源区接触。
11、漏电极可以通过第三开口与半导体层的漏区接触，并且第三开口可以定位在层间绝缘层中并且在平面视图中与半导体层的漏区重叠。
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1.一种显示装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述半导体层在平面视图中与所述光阻挡层的所述第一部分重叠。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，定位在所述光阻挡层的所述第二部分之上的所述缓冲层的最上表面被定位成比所述半导体层的最上表面更远离所述衬底。
7.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述光阻挡层的所述第二部分在平面视图中不与所述栅绝缘层或所述第一虚设栅绝缘层重叠。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述漏电极通过第三开口与所述半导体层的所述漏区接触，并且
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述半导体层在平面视图中与所述光阻挡层的所述第一部分重叠。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，定位在所述光阻挡...
【专利技术属性】
技术研发人员：李京垣，高殷慧，金连洪，金恩贤，李善熙，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：新型
国别省市：
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