半导体结构及半导体结构的形成方法技术

技术编号：40611593 阅读：6 留言：0更新日期：2024-03-12 22:19

半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，衬底包括至少一个单元区，单元区包括沿第一方向排布的相邻的第一区和第二区，第一区包括第一隔离区，第二区包括第二隔离区，第一隔离区平行于第一方向的中轴线与第二隔离区的中轴线不重合；位于第一区上的第一栅极结构、分别位于第一栅极结构两侧的第一金属层和第二金属层；位于第二区上的第二栅极结构、分别位于第二栅极结构两侧的第三金属层和第四金属层，第一栅极结构、第一金属层、第二金属层、第二栅极结构、第三金属层和第四金属层平行于第二方向；位于第一隔离区上沿第一方向贯穿第一金属层和第二金属层的第一隔离结构；位于第二隔离区上沿第一方向贯穿第三金属层和第四金属层的第二隔离结构。