【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅溶胶制备，尤其是涉及一种晶圆研磨用硅溶胶晶种生长控制方法、系统及介质。
技术介绍
1、随着工业发展与经济社会的飞速发展，高纯硅溶胶行业也迎来了大变革的契机，高纯硅溶胶行业产品广泛应用于电子、航天、重型机械、建筑，航空等行业，其市场需求正处于持续增长中，随着科技的发展和社会的进步，高纯硅溶胶行业日益高涨。
2、在晶圆研磨过程中，硅溶胶是一种重要的研磨介质，其性能直接影响到研磨效果和产品的质量。而硅溶胶中晶种的生长是一个复杂的过程，受多种因素影响，如温度、压力、搅拌速度、硅酸浓度等。因此，精确控制硅溶胶晶种的生长成为提高硅溶胶质量和生产效率的关键。然而，现有的技术中，对硅溶胶晶种生长的控制方法通常依赖于经验或简单的工艺参数控制，无法实现精确控制，导致生产效率低下，产品质量不稳定。
3、因此，如何提高硅溶胶的生产效率以及如何不断精进硅溶胶的生产工艺，成为我们亟待解决的问题。
4、现有技术中，专利(申请号：200910054211.2)公开了一种硅溶胶晶种的制备方法，将碱性硅酸盐质水溶液与酸性...
【技术保护点】
1.一种晶圆研磨用硅溶胶晶种生长控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆研磨用硅溶胶晶种生长控制方法，其特征在于，在步骤U3中，所述将所述反应釜温度数据信息、搅拌器的速度数据信息、所述反应物的PH值数据信息、所述稳定剂加入速度的数据信息、所述硅酸加入速度的数据信息和所述硅溶胶晶种初始品的粒径数据信息输入改进的霍普菲儿神经网络模型进行训练和学习的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的晶圆研磨用硅溶胶晶种生长控制方法，其特征在于，在步骤U31中，所述反应釜温度关系函数f1(x1)、所述搅拌器的速度关系函数f2(x2)和所述反...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆研磨用硅溶胶晶种生长控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆研磨用硅溶胶晶种生长控制方法，其特征在于，在步骤u3中，所述将所述反应釜温度数据信息、搅拌器的速度数据信息、所述反应物的ph值数据信息、所述稳定剂加入速度的数据信息、所述硅酸加入速度的数据信息和所述硅溶胶晶种初始品的粒径数据信息输入改进的霍普菲儿神经网络模型进行训练和学习的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的晶圆研磨用硅溶胶晶种生长控制方法，其特征在于，在步骤u31中，所述反应釜温度关系函数f1(x1)、所述搅拌器的速度关系函数f2(x2)和所述反应物的ph值关系函数f3(x3)分别为：
4.根据权利要求2所述的晶圆研磨用硅溶胶晶种生长控制方法，其特征在于，在步骤u31中，所述稳定剂加入速度关系函数f4(x4)和所述硅酸加入速度关系函数f5(x5)分别为：
5.根据权利要求1所述的晶圆研磨用硅溶胶晶种生长控制方法，其特征在于，在步...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏军勇，阳若林，周宏娣，肖伟，肖凯，杨健，
申请(专利权)人：湖北工业大学，
类型：发明
国别省市：
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