【技术实现步骤摘要】
本说明书实施例涉及半导体制造，尤其涉及一种标准单元布局及集成电路。
技术介绍
1、随着半导体制造技术的飞速发展，集成电路(例如，专用集成电路asic)的规模越来越大，其内部可能已经到达数百万门，尽管在流片之前会经过逻辑分析、仿真等验证工序，但还是难以覆盖所有的功能组合，流片后的芯片可能会出现一些功能缺陷或者某些功能不能满足客户需求。
2、目前，通常采用工程变更技术(engineering change order，eco)解决上述功能缺陷或者增加新的功能以满足客户需求。其中，eco是指通过改变流片后的芯片的金属走线来更改原先的连接，进而达到修复逻辑功能或者增加新的功能。
3、然而，现有方案中集成电路标准单元布局中采用较多的通孔连接导电图案，在进行eco时，需要更多的掩膜数量来分解通孔，增加成本。
技术实现思路
1、本说明书实施例解决的问题是提供一种标准单元布局及集成电路，能够减少掩膜的使用数量，降低成本。
2、首先，本说明书实施例提供一种标准单元布局，包括：
3、衬底，包括阱区；
4、有源区，位于所述阱区内，包括沟道层、栅极、源漏以及导电层；
5、第一导电图案，位于所述阱区上方；
6、第二导电图案，位于与所述第一导电图案相对的一侧；
7、多个有源区图案，位于所述第一导电图案和所述第二导电图案之间的第一区域和第二区域中，且各有源区图案相互隔离；
8、第一中心导电图案，位于所述第
9、第二中心导电图案，位于所述第二区域相邻的有源区图案之间，且与所述第二导电图案部分重叠；
10、多个辅助导电图案，分别位于所述多个有源图案中其中一个有源区图案的一侧，用于隔离所述多个有源区图案；
11、第一连通层图案，位于所述第一导电图案下方，且与所述第一中心导电图案重叠；
12、第二连通层图案，位于所述第二导电图案下方，且与所述第二中心导电图案重叠。
13、相应地，本说明书实施例还提供一种集成电路，包括多个标准单元布局，所述标准单元布局为前述实施例中所述的标准单元布局，其中，多个所述标准单元布局按照预设的连接关系连接。
14、与现有技术相比，本说明书实施例的技术方案具有以下优点：
15、本说明书实施例提供的标准单元布局中，其中，第一连通层图案位于第一导电图案上方，且与第一中心导电图案重叠，第二连通层图案位于所述第二导电图案上方，且与第二中心导电图案重叠，相比较于通过多个通孔连接的方式，能够减少单位面积的通孔的使用数量，相应的，在进行eco时，采用较少的掩膜即可进行eco；并且相对于通孔连接的方式，通过所述第一连通层图案，能够连通更多个第一导电图案和第一中心导电图案、以及通过所述第二连通层图案，能够连通更多个第二导电图案和第二中心导电图案，提高标准单元布局的空间利用率。因此，采用本说明书实施例中的标准单元布局，能够减少掩膜的使用数量，降低成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种标准单元布局，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的标准单元布局，其特征在于，所述第一中心导电图案与所述第二中心导电图案隔离。
3.根据权利要求1所述的标准单元布局，其特征在于，所述第一区域与所述第一导电图案相邻，且位于所述第一区域的多个有源区图案包括第一有源区域图案、第二有源区域图案和第三有源区域图案；
4.根据权利要求3所述的标准单元布局，其特征在于，所述第一中心导电图案包括多个第一中心导电子图案，且分别位于所述第一有源区域图案和所述第二有源区域图案之间，以及位于所述第二有源区域图案和所述第三有源区域图案之间；
5.根据权利要求3所述的标准单元布局，其特征在于，还包括：多个第三导电图案，分别位于所述第一有源区域图案、所述第二有源区域图案和所述第三有源区域图案上方，且与所述第一导电图案部分重叠；
6.根据权利要求5所述的标准单元布局，其特征在于，还包括：多个阻断层，分别位于所述多个第三导电图案和第四导电图案上，以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的中间区域，用于隔断所述第三导电图案和第四导电图案。>
7.根据权利要求3所述的标准单元布局，其特征在于，还包括：与至少一个有源区图案部分重叠的至少一个栅极导电图案。
8.根据权利要求6所述的标准单元布局，其特征在于，与所述第一有源区域图案重叠的至少一个栅极导电图案和所述第四有源区域图案重叠的至少一个栅极导电图案连续，构成重叠所述第一有源区域图案和第四有源区域图案的第一公共栅极导电图案；
9.根据权利要求8所述的标准单元布局，其特征在于，还包括：第一传导图案，形成于所述第一公共栅极导电图案，位于所述第一区域和所述第二区域之间的中间区域，并与所述第一公共栅极导电图案电接触；
10.根据权利要求3所述的标准单元布局，其特征在于，位于所述第一有源区域图案和所述第四有源区域图案的一侧的辅助导电图案连续；
11.根据权利要求1-10任一项所述的标准单元布局，其特征在于，还包括：
12.根据权利要求1所述的标准单元布局，其特征在于，所述第一区域与所述第一导电图案相邻，且所述多个有源区图案包括第一有源区域图案和第二有源区域图案；
13.根据权利要求12所述的标准单元布局，其特征在于，所述第一中心导电图案，位于所述第一有源区域图案和所述第二有源区域图案之间；
14.根据权利要求13所述的标准单元布局，其特征在于，还包括：
15.根据权利要求13所述的标准单元布局，其特征在于，还包括：与至少一个有源区图案部分重叠的至少一个栅极导电图案。
16.根据权利要求15所述的标准单元布局，其特征在于，与所述第一有源区域图案重叠的至少一个栅极导电图案和所述第三有源区域图案重叠的至少一个栅极导电图案连续，构成重叠所述第一有源区域图案和第三有源区域图案的第四公共栅极导电图案；
17.根据权利要求16所述的标准单元布局，其特征在于，还包括：
18.一种集成电路，其特征在于，包括多个标准单元布局，所述标准单元布局为权利要求1-10任一项所述的标准单元布局，其中，多个所述标准单元布局按照预设的连接关系连接。
19.根据权利要求18所述的集成电路，其特征在于，位于所述多个标准单元布局最外侧的辅助导电图案相互重叠连接。
20.根据权利要求19所述的集成电路，其特征在于，包括：多个镜像对称的标准单元布局，且所述多个镜像对称的标准单元布局的阱区以及第一导电图案分别相互重叠连接。
...【技术特征摘要】
1.一种标准单元布局，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的标准单元布局，其特征在于，所述第一中心导电图案与所述第二中心导电图案隔离。
3.根据权利要求1所述的标准单元布局，其特征在于，所述第一区域与所述第一导电图案相邻，且位于所述第一区域的多个有源区图案包括第一有源区域图案、第二有源区域图案和第三有源区域图案；
4.根据权利要求3所述的标准单元布局，其特征在于，所述第一中心导电图案包括多个第一中心导电子图案，且分别位于所述第一有源区域图案和所述第二有源区域图案之间，以及位于所述第二有源区域图案和所述第三有源区域图案之间；
5.根据权利要求3所述的标准单元布局，其特征在于，还包括：多个第三导电图案，分别位于所述第一有源区域图案、所述第二有源区域图案和所述第三有源区域图案上方，且与所述第一导电图案部分重叠；
6.根据权利要求5所述的标准单元布局，其特征在于，还包括：多个阻断层，分别位于所述多个第三导电图案和第四导电图案上，以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的中间区域，用于隔断所述第三导电图案和第四导电图案。
7.根据权利要求3所述的标准单元布局，其特征在于，还包括：与至少一个有源区图案部分重叠的至少一个栅极导电图案。
8.根据权利要求6所述的标准单元布局，其特征在于，与所述第一有源区域图案重叠的至少一个栅极导电图案和所述第四有源区域图案重叠的至少一个栅极导电图案连续，构成重叠所述第一有源区域图案和第四有源区域图案的第一公共栅极导电图案；
9.根据权利要求8所述的标准单元布局，其特征在于，还包括：第一传导图案，形成于所述第一公共栅极导电图案，位于所述第一区域和所述第二区域之间的中间区域，并与所述第一公共栅极导...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏俊英，雷传震，郁扬，王代平，蔡燕飞，苏柏青，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。