【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及显示装置及其制造方法。
技术介绍
1、近年来，随着对信息显示的兴趣的增加，对显示装置的研究和开发正在持续进行中。
2、应当理解，本
技术介绍
部分部分地旨在提供对理解技术有用的背景。然而，本
技术介绍
部分也可以包括不属于本文中所公开的主题的相应有效申请日之前由相关领域的技术人员知晓或理解的思想、构思或认识。
技术实现思路
1、技术问题
2、本公开提供了提高发光效率并且防止电极配置之间的短路缺陷的显示装置及其制造方法。
3、本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员将从以下描述中清楚地理解未描述的其他技术目的。
4、解决方案
5、根据实施方式，显示装置可以包括：第一电极和第二电极，设置在衬底上；至少一个发光元件，包括：第一半导体层，包括第一类型的半导体；第二半导体层，包括与第一类型不同的第二类型的半导体；以及有源层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间；以及第三电极，设置在衬底上并且电连接到第二电极，且在平面图中，第三电极的至少一部分可以设置在第一电极与第二电极之间。
6、根据实施方式，第二电极和第三电极可以彼此物理接触。
7、根据实施方式，第一电极和第二电极可以在第一方向上间隔开，第一电极和第三电极可以在第一方向上间隔开，以及第一电极、第二电极和第三电极可以在与第一方向相交的第二方向上延伸。
8、根据实施方式，第一半导体层可以相比于靠近第一电极更靠近第二电极，第二半导体层可以相比
9、根据实施方式，第一半导体层可以包括n型半导体，且第二半导体层可以包括p型半导体。
10、根据实施方式，在平面图中，第二半导体层可以与第一电极重叠。
11、根据实施方式，在平面图中，有源层可以设置成相比于邻近第二电极更邻近第一电极。
12、根据实施方式，在平面图中，第一电极可以不与第三电极重叠，且在平面图中，第二电极可以与第三电极重叠。
13、根据实施方式，至少一个发光元件可以包括在平面图中与第一电极重叠的发光元件，第三电极可以包括在平面图中与发光元件重叠的第一区域和与第二电极重叠的第二区域，以及第一区域和第二区域可以彼此间隔开。
14、根据实施方式，第一电极和第二电极可以间隔开第一距离，第一电极和第三电极可以间隔开第二距离，以及第一电极与第二电极之间的第一距离可以大于第一电极与第三电极之间的第二距离。
15、根据实施方式，第三电极的远端部可以与第二电极间隔开第三距离，第一距离可以是约3μm或更大，以及第三距离可以在约1μm至约2.5μm的范围内。
16、根据实施方式，显示装置还可以包括设置在衬底上的绝缘部，绝缘部和第三电极设置在同一层上。
17、根据实施方式，第一电极可以设置在绝缘部上，且第一电极与衬底之间的间隔距离和第二电极与衬底之间的间隔距离可以相等。
18、根据实施方式，第三电极可以包括反射材料。
19、根据实施方式，显示装置还可以包括设置在衬底上的连接图案，连接图案和第三电极设置在同一层上。
20、根据实施方式，第一电极与衬底之间的间隔距离可以小于第二电极与衬底之间的间隔距离。
21、根据实施方式，显示装置还可以包括在平面图中与第一电极和第二电极重叠的绝缘层，绝缘层可以在平面图中与第一电极重叠的区域中具有第一厚度，并且在平面图中与第二电极和第三电极重叠的区域中具有第二厚度，以及第一厚度可以大于绝缘层的第二厚度。
22、根据实施方式，制造显示装置的方法可以包括：在衬底上设置第一电极和第二电极；在衬底上设置第一电极和第二电极；提供包括溶剂和溶剂中的发光元件的墨；以及在第一电极与第二电极之间形成电场，发光元件可以包括：第一半导体层，包括第一类型的半导体；第二半导体层，包括与第一类型不同的第二类型的半导体；以及有源层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间，设置第一电极和第二电极可以包括：电连接第二电极和第三电极；以及将第三电极的至少一部分设置成在平面图中在第一电极与第二电极之间。
23、根据实施方式，形成电场可以包括：从第一电极输出第一电信号；从第二电极和第三电极输出第二电信号；以及向其中设置有发光元件的区域提供对准电场，且对准电场可以基于第一电信号和第二电信号。
24、根据实施方式，第三电极可以包括基于第二电极的远端部，且可以从第三电极的远端部提供第二电信号的至少一部分。
25、本公开不限于上述内容，并且本领域技术人员将从说明书和附图中清楚地理解其他目的。
26、有益效果
27、根据实施方式，可以提供提高发光效率并且防止电极配置之间的短路缺陷的显示装置及其制造方法。
28、本公开的效果不限于上述效果，并且本领域技术人员将从说明书和附图中清楚地理解未描述的效果。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二电极和所述第三电极彼此物理接触。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，在平面图中，所述第二半导体层与所述第一电极重叠。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，在平面图中，所述有源层相比于靠近所述第二电极更靠近所述第一电极。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，
12.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第三电极包括反射材料。
15.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
16
17.根据权利要求16所述的显示装置，还包括：
18.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
19.根据权利要求18所述的方法，其中，形成所述电场包括：
20.根据权利要求19所述的方法，其中，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二电极和所述第三电极彼此物理接触。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，在平面图中，所述第二半导体层与所述第一电极重叠。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，在平面图中，所述有源层相比于靠近所述第二电极更靠近所述第一电极。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
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【专利技术属性】
技术研发人员：李世贤，金东佑，辛珉暻，仓学璇，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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